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电场强化SRB生物膜降解硫酸根条件优化
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作者 胡守恒 徐建平 何双双 《安徽工程大学学报》 CAS 2016年第2期36-39,共4页
对硫酸盐还原菌生物膜进行电场强化条件研究,结果表明最优条件为:连接电阻500Ω、温度35℃、pH为7、碳硫比为2.当连接电阻大于500Ω时,随着连接电阻的增大硫酸根去除速率降低;当温度偏离35℃或pH偏离7时,硫酸根去除速率逐渐降低;当硫酸... 对硫酸盐还原菌生物膜进行电场强化条件研究,结果表明最优条件为:连接电阻500Ω、温度35℃、pH为7、碳硫比为2.当连接电阻大于500Ω时,随着连接电阻的增大硫酸根去除速率降低;当温度偏离35℃或pH偏离7时,硫酸根去除速率逐渐降低;当硫酸根一定时,随着碳源增加,硫酸根去除率增加;碳硫比增加至4时,硫酸根去除率不再增加.电场强化与非电场强化硫酸盐还原菌生物膜降解硫酸根的研究表明,电场强化要比非电场强化硫酸盐还原菌生物膜降解硫酸根速率快,去除率提高约10%. 展开更多
关键词 电场强化 srb生物膜:降解硫酸根 条件优化
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