中子深度分析的能量展宽修正

离子在样品内的能量岐离将改变中子深度分析(neutron depth profiling,NDP)的多道离子能谱分布。基于SRIM程序,分析了10B(n,α)7Li反应产生的四种离子穿过硅材料后的能量离散情况,获得了四种离子的能谱分布拟合函数,为中子深度分析技术提供了能量GAUSS展宽的数学模型。

^(241)Am俘获反应中^(242)Cm α粒子测量方法研究

241Am发生中子俘获反应,主要生成激发态的242Amg(83.7%),242Amg通过β衰变生成242Cm,242Cmα粒子的最低能量比241Amα粒子的最高能量高约500 keV。用SRIM程序模拟了两种能量的α粒子在铝箔中的穿透情况,26μm的Al箔可以将241Am的α粒子完全吸收掉,242Cm的α粒子对26μm的Al箔穿透率达99.7%。在探测器前加26μm吸收铝箔,可以排除241Amα粒子对242Cm的α粒子测量的影响,实现242Cmα粒子的测量。

NiFe_2O_4铁氧体薄膜溅射产额的蒙特卡罗模拟

通过蒙特卡罗方法,运用SRIM程序,模拟了Ar+轰击NiFe2O4铁氧体靶材的过程,研究了不同入射能量及角度Ar+轰击NiFe2O4靶材引起的溅射产额。结果表明:离子垂直入射时NiFe2O4中各元素的溅射产额和出射原子能量都随入射离子能量的增大而增大;各元素产额的比率在低能离子入射时,变化较大,但能在较大的入射离子能量范围内保持相对稳定的值;离子斜入射时,随着入射离子角度增加,各元素的溅射产额先增大,后减小,并在77°左右达到最大值;离子入射角度变化时,并不严重影响各元素之间产额的比率,且组分比率能在较大的离子入射角度范围内保持相对稳定的值。

Si^+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟

在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si+自注入Si晶体的Si+深度分布几率和注入时的能量传递。计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si+的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si+进一步深入的主导因素。论文还初步讨论了注入剂量和退火温度对发光强度的影响,以及W缺陷的可能形成原因。

Ar^+轰击SrTiO_3表面缺陷的模拟计算方法研究

SrTiO_3的电学性质严重依赖于氧空位浓度。采用Ar^+轰击SrTiO_3能使其表面产生氧空位。本文提出了一种基于蒙特卡罗模拟辅助控制离子注入时间的方法,利用SRIM程序模拟Ar^+注入Sr TiO_3,分析了氧空位的分布情况,再通过迭代计算研究氧空位浓度随时间的变化趋势。通过此算法得出时间与非晶化层的关系,从而辅助实验上控制离子注入的时间。