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适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计
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作者 张永琥 张海英 +2 位作者 黄水龙 雷牡敏 高振东 《电子器件》 CAS 2010年第3期281-285,共5页
基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和... 基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求。结果表明,在6 GHz~9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,IIP3大于10 dBm。电路核心面积0.35 mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA。 展开更多
关键词 0.18μm-CMOS 高线性度 超宽带 ssb混频器 折叠PMOS跨导级 并联峰化
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