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适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计
1
作者
张永琥
张海英
+2 位作者
黄水龙
雷牡敏
高振东
《电子器件》
CAS
2010年第3期281-285,共5页
基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和...
基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求。结果表明,在6 GHz~9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,IIP3大于10 dBm。电路核心面积0.35 mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA。
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关键词
0.18μm-CMOS
高线性度
超宽带
ssb混频器
折叠PMOS跨导级
并联峰化
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职称材料
题名
适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计
1
作者
张永琥
张海英
黄水龙
雷牡敏
高振东
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
2010年第3期281-285,共5页
基金
国家科技重大专项资助"新一代宽带无线移动通信网"(2009ZX3006-008)
国际科技合作项目资助"新一代超宽带无线通信芯片研发"(2008DFA10490)
文摘
基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求。结果表明,在6 GHz~9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,IIP3大于10 dBm。电路核心面积0.35 mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA。
关键词
0.18μm-CMOS
高线性度
超宽带
ssb混频器
折叠PMOS跨导级
并联峰化
Keywords
0.18 μm-CMOS
high linearity
UBW(Ultra-Wide Band)
ssb
-Mixer
folded-PMOS transconductance
shunt-peaking
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计
张永琥
张海英
黄水龙
雷牡敏
高振东
《电子器件》
CAS
2010
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