1
|
聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响 |
李相辉
张祥龙
孟妮
聂申奥
邱宇轩
何彦刚
|
《半导体技术》
北大核心
|
2024 |
0 |
|
2
|
用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料(英文) |
Toranosuke Ashizawa
|
《电子工业专用设备》
|
2004 |
0 |
|
3
|
选择性抛光液的研究 |
刘涛
于高洋
周国安
|
《电子工业专用设备》
|
2009 |
3
|
|
4
|
化学机械抛光技术现状与发展趋势 |
童志义
|
《电子工业专用设备》
|
2004 |
10
|
|
5
|
柠檬酸对CeO_(2)磨料分散稳定性及抛光性能的影响 |
续晨
周建伟
王辰伟
田源
李越
崔志慧
李森
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2022 |
0 |
|
6
|
一种改善内部高速振荡器低温良率的工艺方法 |
魏代龙
|
《中国集成电路》
|
2022 |
0 |
|