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聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响
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作者 李相辉 张祥龙 +3 位作者 孟妮 聂申奥 邱宇轩 何彦刚 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期131-137,共7页
在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了... 在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了聚甲基丙烯酸(PMAA)对SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率以及二者去除速率选择比的影响,分析了PMAA在影响SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率过程中的作用机理。结果表明,PMAA的加入可以降低SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率,当PMAA的质量分数为120×10^(-6)时,SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率分别为185.4 nm/min和3.0 nm/min,去除速率选择比为61。抛光后SiO_(2)与Si_(3)N_(4)晶圆表面有较好的表面粗糙度,分别为0.290 nm和0.233 nm。 展开更多
关键词 浅沟槽隔离(sti) 化学机械抛光(cmp) 二氧化硅(SiO_(2)) 氮化硅(Si_(3)N_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比
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用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料(英文)
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作者 Toranosuke Ashizawa 《电子工业专用设备》 2004年第6期13-15,共3页
现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为... 现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求。这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃()材料。 展开更多
关键词 浅沟道隔离 金属CHP 低κ介质 CHP浆料 平坦化工艺
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选择性抛光液的研究 被引量:3
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作者 刘涛 于高洋 周国安 《电子工业专用设备》 2009年第6期36-39,共4页
抛光液是化学机械平坦化的关键耗材,而针对STI和铜线的抛光,通常使用选择性抛光液。采用二氧化铈作为研磨颗粒的第二代抛光液,具有自动停止的特点,配合粗抛和精抛,能够十分有效解决目前STI存在的工艺缺点。而针对铜线的抛光,介绍了有机... 抛光液是化学机械平坦化的关键耗材,而针对STI和铜线的抛光,通常使用选择性抛光液。采用二氧化铈作为研磨颗粒的第二代抛光液,具有自动停止的特点,配合粗抛和精抛,能够十分有效解决目前STI存在的工艺缺点。而针对铜线的抛光,介绍了有机物作为研磨颗粒的抛光液,具备十分卓越的选择比,高产出和低缺陷,将是今后重点发展的产品类型之一。 展开更多
关键词 化学机械抛光 浅沟道隔离 抛光液 二氧化铈 有机物
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化学机械抛光技术现状与发展趋势 被引量:10
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作者 童志义 《电子工业专用设备》 2004年第6期1-6,共6页
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90~65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。
关键词 cmp 浅沟道隔离 铜/低κ材料 清洗 终点检测 发展趋势
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柠檬酸对CeO_(2)磨料分散稳定性及抛光性能的影响
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作者 续晨 周建伟 +4 位作者 王辰伟 田源 李越 崔志慧 李森 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期111-116,共6页
采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO_(2)磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮化硅(Si_(3)N_(4))的去除速率选择性难以控制的问题进行了研究。分散实验结果表明,由于柠檬酸可以结合... 采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO_(2)磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮化硅(Si_(3)N_(4))的去除速率选择性难以控制的问题进行了研究。分散实验结果表明,由于柠檬酸可以结合在CeO_(2)颗粒表面从而极大提高了CeO_(2)磨料的空间位阻,CeO_(2)溶液的分散稳定性得到提升,因此,与酒石酸、硝酸和磷酸相比,在CeO_(2)溶液中使用柠檬酸作为pH调节剂,可以使CeO_(2)磨料具有更小的粒径和较低的分散度以及使CeO_(2)溶液具有较高绝对值的Zeta电位。抛光实验结果表明,柠檬酸可以极大抑制Si_(3)N_(4)的去除速率,且对TEOS的去除速率影响较小,因此,使用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂能实现TEOS/Si_(3)N_(4)的高去除速率选择比。同时抛光后TEOS和Si_(3)N_(4)薄膜具有良好的表面形貌和低的表面粗糙度。 展开更多
关键词 浅沟槽隔离(sti) 化学机械抛光(cmp) CeO_(2) 分散 柠檬酸 速率选择性
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一种改善内部高速振荡器低温良率的工艺方法
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作者 魏代龙 《中国集成电路》 2022年第6期74-77,共4页
MCU芯片内部高速振荡器(HRC)的低温度敏感性对其在控制领域的应用至关重要,通过优化晶圆制造工艺来降低温度敏感性提升良率具有重要的意义。通常晶圆上有源区的图形密度差异会引起大块浅沟槽隔离区域的碟形化,在后续的多晶硅蚀刻步骤中... MCU芯片内部高速振荡器(HRC)的低温度敏感性对其在控制领域的应用至关重要,通过优化晶圆制造工艺来降低温度敏感性提升良率具有重要的意义。通常晶圆上有源区的图形密度差异会引起大块浅沟槽隔离区域的碟形化,在后续的多晶硅蚀刻步骤中引入有源区损伤,进而使器件的实际电性参数偏离预期值,最后使低温条件下HRC频率精度降低。本文通过在晶圆的制作工艺中,增加浅沟槽隔离化学机械研磨步骤后氮化硅剩余厚度来减少大块浅沟槽隔离区域的碟形化,同时在多晶硅光刻步骤中减少抗反射涂层厚度去改善抗反射涂层厚度的均一性,最后在多晶硅蚀刻步骤中相应的减少蚀刻时间去避免过蚀刻,进而可以有效地改善有源区损伤。通过这种工艺优化方式,低温晶圆级探针(CP)测试时HRC频率精度分布更集中并且接近目标频率,有效提升了在低温条件下HRC的频率精度,晶圆边缘HRC良率提升可以达到1%。 展开更多
关键词 内部高速振荡器 温度敏感性 浅沟槽隔离化学机械研磨 有源区损伤 多晶硅光刻
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