一种应用于可见光通信系统的高带宽CMOS APD

采用标准的0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的应用于可见光通信系统的雪崩光电二极管(APD)。相较于传统的CMOS APD,该器件在深n阱/p衬底的结构基础上增加一层p阱,再在其上分别离子注入一层n^(+)/p^(+)层作为器件的雪崩击穿层,并且采用STI结构来防止器件边缘过早击穿。仿真结果表明,器件的雪崩击穿电压为9.9V,暗电流为1×10^(-12)A,3dB带宽为5.9GHz,响应度为1.2A/W。由于STI保护环和短接深n阱/p衬底的结构设计,器件暗电流较传统结构CMOS APD降低了2个量级,且带宽提高了约10%。