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HARP-SiCoNi工艺在量产环境下提升高台阶比浅沟道隔离填充能力的研究
1
作者
倪立华
丁亚钦
李宗旭
《集成电路应用》
2024年第4期52-54,共3页
阐述基于量产环境中“高台阶比”的“非标准V型”STI结构,使用传统的HARP和SiCoNi组合工艺研究该结构Void Free的填充方案,并测试HARP预沉积厚度和SiCoNi刻蚀量的工艺窗口,实现量产环境下“高台阶比”的“非标准V型”沟槽Void Free填充。
关键词
集成电路制造
sti填充
HARP
SiCoNi
VOID
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职称材料
题名
HARP-SiCoNi工艺在量产环境下提升高台阶比浅沟道隔离填充能力的研究
1
作者
倪立华
丁亚钦
李宗旭
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《集成电路应用》
2024年第4期52-54,共3页
文摘
阐述基于量产环境中“高台阶比”的“非标准V型”STI结构,使用传统的HARP和SiCoNi组合工艺研究该结构Void Free的填充方案,并测试HARP预沉积厚度和SiCoNi刻蚀量的工艺窗口,实现量产环境下“高台阶比”的“非标准V型”沟槽Void Free填充。
关键词
集成电路制造
sti填充
HARP
SiCoNi
VOID
Keywords
integrated circuits manufacturing
sti
gap fill
HARP
SiCoNi
Void
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
HARP-SiCoNi工艺在量产环境下提升高台阶比浅沟道隔离填充能力的研究
倪立华
丁亚钦
李宗旭
《集成电路应用》
2024
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