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HARP-SiCoNi工艺在量产环境下提升高台阶比浅沟道隔离填充能力的研究
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作者 倪立华 丁亚钦 李宗旭 《集成电路应用》 2024年第4期52-54,共3页
阐述基于量产环境中“高台阶比”的“非标准V型”STI结构,使用传统的HARP和SiCoNi组合工艺研究该结构Void Free的填充方案,并测试HARP预沉积厚度和SiCoNi刻蚀量的工艺窗口,实现量产环境下“高台阶比”的“非标准V型”沟槽Void Free填充。
关键词 集成电路制造 sti填充 HARP SiCoNi VOID
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