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SU-8胶深紫外光刻模拟 被引量：5
1
作者 冯明 黄庆安 +2 位作者 李伟华 周再发 朱真 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1465-1470,共6页
综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可... 综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测. 展开更多
关键词 su-8胶 光刻模拟 显影轮廓
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