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SU-8胶深紫外光刻模拟
被引量:
5
1
作者
冯明
黄庆安
+2 位作者
李伟华
周再发
朱真
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1465-1470,共6页
综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可...
综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测.
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关键词
su-
8
胶
光刻模拟
显影轮廓
下载PDF
职称材料
题名
SU-8胶深紫外光刻模拟
被引量:
5
1
作者
冯明
黄庆安
李伟华
周再发
朱真
机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1465-1470,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:50325519)~~
文摘
综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测.
关键词
su-
8
胶
光刻模拟
显影轮廓
Keywords
su-8 photoresistr lithography simulation
development orofile
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SU-8胶深紫外光刻模拟
冯明
黄庆安
李伟华
周再发
朱真
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
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