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利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)
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作者 伊福廷 缪鹏 +2 位作者 彭良强 张菊芳 韩勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期26-29,共4页
提出了一种解决大高宽比 SU 8结构的新方法 .该方法是将 SU 8胶涂在一块掩模上 ,紫外光从掩模的背面照射 ,这样 SU 8胶的曝光将从底部开始 ,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量 ,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力 .实... 提出了一种解决大高宽比 SU 8结构的新方法 .该方法是将 SU 8胶涂在一块掩模上 ,紫外光从掩模的背面照射 ,这样 SU 8胶的曝光将从底部开始 ,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量 ,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力 .实验结果表明 ,该方法能够得到高宽比为 32的 SU 8结构 ,而文献报道的 SU 8胶结构的高宽比最大仅为 展开更多
关键词 MEMS su8 微加工 背面曝光
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