多尺度微纳米流道光刻压印工艺及关键技术研究

光刻压印是多尺度微纳米流道工艺设计的关键技术,依据SU8-2025光刻胶与波长为350nm^400nm之间紫外激光光化学作用产生强酸的原理,选用黏度2500cSt、最大复型高度25的SU8-2025负性光刻胶和聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)正性光刻胶,通过微纳米套刻工艺的优化,实现了多尺度微纳米流道复型压印光刻,解决了涂胶、套刻、温控、显影以及微纳米结构光学测量等关键的技术问题,提高了微纳米流道内表面的质量,为可降解血管支架的性能检测提供了新的研究思路,也为多尺度复杂异形体的复型制造研究和发展提供必要的科学依据。