基于Notch1信号通路观察电针对脑缺血再灌注损伤大鼠缺血周边皮质与SVZ区神经干细胞增殖的影响

目的:探讨电针曲池、足三里穴对脑缺血再灌注损伤大鼠缺血周边区皮质、室管膜下区(SVZ)内源性神经干细胞增殖的影响及可能机制。方法:采用改良Zea Longa线栓法制备大鼠脑缺血再灌注损伤模型。电针患肢曲池、足三里穴,治疗3 d和7 d后,观察大鼠神经功能缺损和脑梗死体积情况,以及动物整体行为学的变化;采用免疫组化和免疫荧光法观察Nestin、Vimentin阳性细胞分布及与Brdu共标情况;采用Western Blotting法检测Notch1信号转导通路相关蛋白的表达水平。结果:(1)电针曲池、足三里穴后,脑缺血再灌注损伤大鼠的神经缺损评分降低,脑梗死体积减小(P<0.05);(2)Catwalk步态分析显示,电针治疗3 d和7 d后大鼠通过Catwalk通道的平均速度增加,而持续时间减少(P<0.05);(3)模型组大鼠脑缺血再灌注损伤8d,缺血周围区皮质以及缺血侧SVZ区Ki-67、Nestin和Vimentin阳性细胞数量较缺血再灌注损伤4 d时增加(P<0.05或P<0.01)。电针治疗3 d和7 d均促进神经干细胞增殖(P<0.05);(4)电针治疗7 d后缺血周围区皮质以及缺血侧SVZ区JAG1、NICD、Hes1、Hes5的表达量较模型组明显增加(P<0.05或P<0.01),而电针+GSI组大鼠脑缺血周围区皮质以及缺血侧SVZ区NICD、Hes1、Hes5蛋白的表达量显著降低(P<0.05),但JAG1的表达无统计学意义(P>0.05)。(5)电针+GSI组Nestin阳性细胞、Brdu与Nestin共定位细胞在缺血周围区皮质、缺血侧SVZ区均明显增加(P<0.01或P<0.05)。结论:电针曲池、足三里穴能够减少脑梗死体积,改善动物整体行为学,发挥积极的神经保护作用。其作用机制可能为活化Notch1信号转导通路,释放NICD调控Hes1、Hes5的表达,促进缺血周围区皮质以及缺血侧SVZ区内源性神经干细胞的增殖。

NMDA受体亚单位NR2B特异性拮抗剂Ro25-6981对缺血再灌注大鼠SVZ区神经干细胞增殖的影响研究

目的:探讨NMDA受体亚单位NR2B特异性拮抗剂Ro25-6981对缺血再灌注大鼠脑室下区(SVZ)神经干细胞增殖的影响。方法:选取7d年龄新生SD大鼠并指作为缺血再灌注模型。采取随机数字表法均分为正常对照组、特异性拮抗剂组以及缺血再灌注组。统计各组间SVZ区Nestin表达量,同时记录BrdU阳性细胞数的上升下降情况。结果:12h,缺血再灌注组SVZ区Nestin阳性细胞的平均吸光度明显升高,与特异性拮抗剂组相比有明显差异(P<0.05)。24h等时间点特异性拮抗剂组与缺血再灌注组Nestin阳性细胞的平均吸光度明显变化较为一致。72h,缺血再灌注组BrdU阳性细胞数明显多于正常对照组以及特异性拮抗剂组,对比差异有统计学意义(P<0.05)。结论:Ro 25-6981能够降低缺血再灌注大鼠SVZ区Nestin表达量及BrdU阳性细胞数,表明其可调控神经干细胞增殖的表达,值得临床关注。