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Sb^(3+)/Bi^(3+)掺杂对Cs_(3)DyCl_(6)钙钛矿光学性能的影响 被引量:1
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作者 周宇 王有力 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期240-245,共6页
A_(2)B′BCl_(6)双钙钛矿因其极强的空气稳定性、出色的光学性能而被应用于发光材料。以Cs^(+)作为A^(+)、Dy^(3+)替代Pb^(2+)、Cl^(-)作为卤素合成新的镝基钙钛矿纳米晶体Cs_(3)DyCl_(6),以Sb^(3+)/Bi^(3+)作为激发剂掺杂,成功制备了... A_(2)B′BCl_(6)双钙钛矿因其极强的空气稳定性、出色的光学性能而被应用于发光材料。以Cs^(+)作为A^(+)、Dy^(3+)替代Pb^(2+)、Cl^(-)作为卤素合成新的镝基钙钛矿纳米晶体Cs_(3)DyCl_(6),以Sb^(3+)/Bi^(3+)作为激发剂掺杂,成功制备了非铅钙钛矿材料,研究了Sb^(3+)/Bi^(3+)掺杂对钙钛矿发光特性的影响。结果表明:Cs_(3)DyCl_(6)是一种具有高效激发和宽带发射特性的基质,在不添加任何激发剂的情况下就能够发出蓝绿光。在Sb^(3+)掺杂下,材料的发光向黄光方向移动,随着Sb^(3+)掺杂浓度的继续提高,发光强度开始下降,最佳掺杂比例为5%;Bi^(3+)掺杂时的Cs_(3)DyCl_(6)光学性能与Sb^(3+)掺杂下非常相似,当Bi^(3+)掺杂比例为1%时,发光强度达到最大值,Sb^(3+)/Bi^(3+)掺杂能够有效地改善Cs_(3)DyCl_(6)的光学性能。 展开更多
关键词 钙钛矿 镝基 掺杂 sb^(3+)/Bi^(3) 光学性能
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Pt掺杂对Ti/SnO_(2)-Sb-Nd纳米球状电极性能的影响
2
作者 李阳 丁家正 +2 位作者 谢文玉 李长刚 梁家豪 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期2071-2077,共7页
采用一步水热法成功制备出不同Pt掺杂量下Ti/SnO_(2)-Sb-Nd-Pt纳米球状电极,通过SEM、XRD和XPS表征电极表面的形貌、结构和化学组成,LSV、CV和加速寿命(ALT)测试电极的电化学性能和稳定性,并通过降解硝基苯(NB)能力验证电极催化活性。... 采用一步水热法成功制备出不同Pt掺杂量下Ti/SnO_(2)-Sb-Nd-Pt纳米球状电极,通过SEM、XRD和XPS表征电极表面的形貌、结构和化学组成,LSV、CV和加速寿命(ALT)测试电极的电化学性能和稳定性,并通过降解硝基苯(NB)能力验证电极催化活性。结果表明,Pt掺杂不会改变电极的SnO_(2)晶型结构,适量Pt掺杂可以使电极表面涂层更加均匀致密,提高电极稳定性,但降低了涂层中吸附氧含量,使得电极催化活性降低。掺杂1.5%Pt后,电极ALT由28.0 min延长至78.2 h,虽然NB去除率由96.53%降至80.61%,但在电极实际使用寿命内,NB理论降解总量由62.6 mg/cm^(2)增至8 754.1 mg/cm^(2)。显示了该电极具有良好的应用潜力,为开发高效、稳定的电极材料提供了参考。 展开更多
关键词 Ti/SnO_(2)-sb-Nd电极 PT掺杂 表征 电催化性能 稳定性
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TNTs结构强化TNTs/SnO_(2)-Sb电极电催化活性的影响机制
3
作者 杨莉莎 郭颜铭 《燃料化学学报(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期687-697,共11页
采用溶剂热法制备了TNTs/SnO_(2)-Sb电极,通过调整氧化电压和氧化时间构建出不同结构的二氧化钛纳米管(TNTs)阵列,以探究其对电极结构和电化学性能的影响。SEM和接触角测试表明,相较于阳极氧化时间,阳极氧化电压是影响TNTs阵列形貌和表... 采用溶剂热法制备了TNTs/SnO_(2)-Sb电极,通过调整氧化电压和氧化时间构建出不同结构的二氧化钛纳米管(TNTs)阵列,以探究其对电极结构和电化学性能的影响。SEM和接触角测试表明,相较于阳极氧化时间,阳极氧化电压是影响TNTs阵列形貌和表面亲水性的主要因素。SEM、XRD、LSV和EIS结果表明,TNTs阵列孔径的大小影响了催化涂层的形貌、晶粒尺寸以及电极的析氧电位。XPS、EPR和羟基自由基(·OH)生成测试表明,涂层表面致密且粒径较小有利于电极表面获得更多的氧空位,且氧空位浓度越高,吸附氧物种越多,从而增强了活性自由基的形成以及对有机物的降解。以长度950 nm,孔径100 nm的TNTs阵列层为基底时,所制备的电极TNTs(25 V)/SnO_(2)-Sb展现出了最佳的苯酚处理效果(92%±4.6%,2 h)。 展开更多
关键词 TNTs结构 SnO_(2)-sb电极 溶剂热 氧空位 电催化氧化
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Sb、Ta掺杂对铌酸钾钠性能的影响
4
作者 张盼盼 杨秀凡 +2 位作者 杨琼 卢松 王先永 《科技创新与应用》 2024年第32期47-50,共4页
该文基于密度泛函的第一性原理计算Sb、Ta掺杂铌酸钾钠的电子结构和光学性质。通过计算发现未掺杂的铌酸钾钠带隙为2.188 eV,Sb掺杂铌酸钾钠带隙变为2.213 eV,而Ta掺杂铌酸钾钠带隙为2.098 eV。通过分析Sb、Ta掺杂铌酸钾钠的态密度发现S... 该文基于密度泛函的第一性原理计算Sb、Ta掺杂铌酸钾钠的电子结构和光学性质。通过计算发现未掺杂的铌酸钾钠带隙为2.188 eV,Sb掺杂铌酸钾钠带隙变为2.213 eV,而Ta掺杂铌酸钾钠带隙为2.098 eV。通过分析Sb、Ta掺杂铌酸钾钠的态密度发现Sb掺杂后在-10 eV左右出现新的波,位于-5.508~0.496 eV的波主要由Ta的d轨道和K的s轨道杂化而成。Sb、Ta单掺杂与共掺杂铌酸钾钠均使介电函数的实部ε_(1)(ω)分别提高,但函数整体向低能级移动,虚部在0~3.93 eV产生新的峰且向低能级移动。Ta掺杂时能量损失函数峰值提高,Sb掺杂则减少。 展开更多
关键词 第一性原理 sb、Ta掺杂 铌酸钾钠 能带 性质
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Sb^(3+)/Bi^(3+)掺杂对Cs_(2)ADyCl_(6)(A=Li,Na,K)发光性能的影响
5
作者 周宇 王有力 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期425-431,共7页
A2B′BCl_(6)型双钙钛矿因其极强的空气稳定性和出色的光学特性而被应用于发光材料。以Cs^(+)作为A^(+),Dy^(3+)替代Pb^(2+),Cl^(-)作为卤素制备新的镝基钙钛矿纳米晶体Cs_(3)DyCl_(6),使用Li、Na、K离子替代式掺杂合成Cs_(2)ADyCl_(6)(... A2B′BCl_(6)型双钙钛矿因其极强的空气稳定性和出色的光学特性而被应用于发光材料。以Cs^(+)作为A^(+),Dy^(3+)替代Pb^(2+),Cl^(-)作为卤素制备新的镝基钙钛矿纳米晶体Cs_(3)DyCl_(6),使用Li、Na、K离子替代式掺杂合成Cs_(2)ADyCl_(6)(A=Li,Na,K)非铅体系钙钛矿材料,通过掺杂Sb^(3+)/Bi^(3+)作为激发剂实现了不同发光性能的调控。结果表明:Cs_(2)NaDyCl_(6)发射曲线更加平滑且在蓝光与黄光区域均可实现发射,表现出优异的光学特性;通过Sb^(3+)/Bi^(3+)掺杂,双钙钛矿的光学特性得到显著提升,Na^(+)和Sb^(3+)的共同作用可以使钙钛矿材料发光产生蓝移,而Na^(+)与Bi^(3+)的共同作用则可以使其发光产生红移。 展开更多
关键词 双钙钛矿 掺杂 激发 发光性能 sb^(3+)/Bi^(3+) Na^(+)
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In^(3+)、Sb^(3+)、Bi^(3+)掺杂对双钙钛矿Cs_(2)NaDyCl_(6)发光性能的调控
6
作者 周宇 王有力 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期538-543,共6页
A2B′BCl_(6)型双钙钛矿因其极强的空气稳定性和出色的光学性能而被应用于发光材料。使用Na离子替代式掺杂合成非铅体系钙钛矿材料Cs_(2)NaDyCl_(6),引入In^(3+)、Sb^(3+)和Bi^(3+)等掺杂元素对双钙钛矿Cs_(2)NaDyCl_(6)发光性能进行调... A2B′BCl_(6)型双钙钛矿因其极强的空气稳定性和出色的光学性能而被应用于发光材料。使用Na离子替代式掺杂合成非铅体系钙钛矿材料Cs_(2)NaDyCl_(6),引入In^(3+)、Sb^(3+)和Bi^(3+)等掺杂元素对双钙钛矿Cs_(2)NaDyCl_(6)发光性能进行调控。结果表明:通过In^(3+)的掺杂,拓宽了材料的发射区间,进一步提高了其光学性能;Bi^(3+)掺杂能够使钙钛矿的发射光发生红移现象,Sb^(3+)掺杂可以使钙钛矿的发射光发生蓝移现象,Sb^(3+)和Bi^(3+)共同掺杂能够平衡钙钛矿在可见光区域的发射;在In^(3+)、Sb^(3+)、Bi^(3+)三种元素的共同掺杂下,Cs_(2)NaDy_(0.445)In_(0.445)Cl_(6)∶0.1Bi 0.01Sb成功实现了白光发射,在265 nm波长激发下,其CIE色坐标为(0.34,0.35),色温达到5314 K,显色指数高达94。 展开更多
关键词 双钙钛矿 掺杂 发光性能 In^(3+) sb^(3+) Bi^(3+)
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In、Bi、Sb掺杂SnO_(2)锂化的第一性原理研究 被引量:3
7
作者 胡苗 闫共芹 +2 位作者 苏一伦 SAIDOV Anvar 武桐 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2023年第4期20-28,101,共10页
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势(USPP)法,以In、Bi、Sb掺杂SnO_(2)为主要研究对象,构建了M_(1-x)Sn_(x)O_(2)二维片状材料模型并模拟其锂化过程,获得Li^(+)饱和浓度曲线;构建M_(1-x)Sn_(x)O_(2)三维晶体结构并计算其... 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势(USPP)法,以In、Bi、Sb掺杂SnO_(2)为主要研究对象,构建了M_(1-x)Sn_(x)O_(2)二维片状材料模型并模拟其锂化过程,获得Li^(+)饱和浓度曲线;构建M_(1-x)Sn_(x)O_(2)三维晶体结构并计算其能带结构、态密度、分子轨道和布居;使用过渡态搜索(TS search)方法评估了Li^(+)扩散的能垒。结果表明,M_(1-x)Sn_(x)O_(2)锂化至饱和状态时锂浓度分别为Li_(0.47)SnO_(2)、Li_(0.47)In_(0.3)Sn_(0.7)O_(2)、Li_(0.47)Bi_(0.3)Sn_(0.7)O_(2)、Li_(0.59)Sb_(0.3)Sn_(0.7)O_(2);SnO_(2)、In-SnO_(2)、Bi-SnO_(2)、Sb-SnO_(2)的带隙分别为1.23、1.72、1.47、0.23 eV,其中Sb-SnO_(2)态密度在费米能级处脉冲峰的展宽扩大到-2~6 eV,表明Sb原子的掺杂使得原子间的耦合作用增强,带隙减小,轨道范围变大,电子的非局域性变强;掺杂In、Bi、Sb原子后SnO_(2)离子键的键级由0.33分别转变为0.22、0.03、0.02,离子性依次增强,其中Sb-SnO_(2)的离子性最强,Sn—O键强度最低。同样的路径下Li^(+)在SnO_(2)、In-SnO_(2)、Bi-SnO_(2)、Sb-SnO_(2)中扩散所需的最大能量分别为1.1、0.75、1.03、0.56 eV;金属元素Sb掺杂SnO_(2)可有效增强其锂化能力。 展开更多
关键词 In、Bi、sb掺杂SnO_(2) 电子结构 第一性原理
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Sb元素掺杂对GeTe-PbTe材料热电性能的影响
8
作者 陈媛媛 刘佳林 阎勇 《电源技术》 CAS 北大核心 2023年第3期374-376,共3页
以(GeTe)_(0.91)(PbTe)_(0.09)固溶体合金为研究对象,通过掺杂Sb元素来降低载流子浓度,探索Sb元素含量对(GeTe)_(0.91)(PbTe)_(0.09)材料热电性能的影响机制,提升材料热电性能。通过熔炼、真空热压、退火结合工艺制备了一系列(GeTe)_(0.... 以(GeTe)_(0.91)(PbTe)_(0.09)固溶体合金为研究对象,通过掺杂Sb元素来降低载流子浓度,探索Sb元素含量对(GeTe)_(0.91)(PbTe)_(0.09)材料热电性能的影响机制,提升材料热电性能。通过熔炼、真空热压、退火结合工艺制备了一系列(GeTe)_(0.91-x)(PbTe)_(0.09)(SbTe)x材料样品,对其热电性能进行表征和研究。结果表明:掺杂Sb元素后,成分为(GeTe)_(0.85)-(PbTe)_(0.09)(SbTe)_(0.06)材料热电性能最好,其ZT值在773 K条件下可达到1.65。将(GeTe)_(0.91)(PbTe)_(0.09)材料和(GeTe)_(0.85)-(PbTe)_(0.09)(SbTe)_(0.06)材料制成温差电单偶,测试单偶的热电转换效率,(GeTe)_(0.85)(PbTe)_(0.09)(SbTe)_(0.06)材料单偶的热电转换效率可达(GeTe)_(0.91)(PbTe)_(0.09)材料单偶的201.5%。 展开更多
关键词 (GeTe)_(0.91)(PbTe)_(0.09) sb掺杂 热电性能 热电转换效率
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Sb掺杂O3型Na_(0.9)Ni_(0.5)Mn_(0.3)Ti_(0.2)O_(2)钠离子电池正极材料 被引量:2
9
作者 孔国强 冷明哲 +2 位作者 周战荣 夏池 沈晓芳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期656-662,I0005,I0006,共9页
提高钠离子电池正极材料的循环稳定性和比容量是实现其广泛应用的关键,基于引入特定杂元素可优化正极材料结构稳定性和比容量的策略,本研究采用便捷的固相反应法制备O3-Na_(0.9)Ni_(0.5)Mn_(0.3)Ti_(0.2)O_(2)(NMTSb_(x),x=0,0.02,0.04,... 提高钠离子电池正极材料的循环稳定性和比容量是实现其广泛应用的关键,基于引入特定杂元素可优化正极材料结构稳定性和比容量的策略,本研究采用便捷的固相反应法制备O3-Na_(0.9)Ni_(0.5)Mn_(0.3)Ti_(0.2)O_(2)(NMTSb_(x),x=0,0.02,0.04,0.06)系列层状氧化物正极材料,对比研究了Sb掺杂对Na_(0.9)Ni_(0.5)Mn_(0.3)Ti_(0.2)O_(2)正极材料储钠性能的影响。测试结果表明,引入Sb后过渡金属层中氧原子之间的静电斥力减小,晶格间距扩大,有利于Na^(+)的脱嵌。且掺杂Sb所造成的强电子离域降低了整个系统的能量,获得了更有利于循环充放电的稳定性结构。在2.0~4.2 V测试范围下,未掺杂的NMTSb_(0)在1C(240mA·g^(-1))倍率下初始放电比容量为122.8mAh·g^(-1),200圈循环后容量保持率仅为41.5%,掺杂后的NMTSb_(0.04)在1C倍率下初始放电比容量达到135.2 mAh·g^(-1),200圈循环后容量保持率为70%,掺杂后材料的放电容量明显提高,循环寿命显著延长。本研究有助于推动钠离子电池的进一步发展。 展开更多
关键词 sb掺杂 O3型 正极材料 固相法 宽电压 钠离子电池
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Ti/SnO_(2)-Sb-Ni-F电极的制备及其电催化降解罗丹明B性能研究
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作者 郭乃华 褚佳 +2 位作者 杨凡 贾伟航 熊善新 《当代化工》 CAS 2023年第12期2773-2778,共6页
采用溶胶凝胶法和热分解法制备不同煅烧温度和涂刷次数条件下的Ti/SnO_(2)-Sb-Ni-F电极,并探究其对罗丹明B染料模拟废水的降解效果。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其物相组成及表面形貌进行表征;运用循环伏安法(CV)、计... 采用溶胶凝胶法和热分解法制备不同煅烧温度和涂刷次数条件下的Ti/SnO_(2)-Sb-Ni-F电极,并探究其对罗丹明B染料模拟废水的降解效果。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其物相组成及表面形貌进行表征;运用循环伏安法(CV)、计时电流法和线性扫描伏安法(LSV)测试其电化学性能。结果表明:同一煅烧温度下,60次涂刷比30次表现出更加优异的电化学性能。其中60次涂刷,450℃煅烧温度下Ti/SnO_(2)-Sb-Ni-F电极具有更高的析氧电位(2.1 V),更优的电催化活性以及更高的稳定性。在降解实验中,其在20 min内对罗丹明B的降解率为98.8%。因此,该电极在废水处理领域具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 电催化氧化 涂刷 Ti/SnO_(2)-sb电极 掺杂
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Effect of Growth Parameters on Core Length of Φ76.2mm Heavily Sb-doped Si Crystals
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作者 曾世铭 何林 +2 位作者 王君毅 常青 许江华 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第2期150-153,共4页
An M-shaped interface was observed in the top part of Φ76. 2 mm , (111) , dislocation-free, heavily Sb-doped Si single crystals, which is beneficial for crystals to keep dislocation-free condition at the beginning of... An M-shaped interface was observed in the top part of Φ76. 2 mm , (111) , dislocation-free, heavily Sb-doped Si single crystals, which is beneficial for crystals to keep dislocation-free condition at the beginning ofbody growth. Effects of seed rotation, crucible rotation , crown shape and growth rate on M-shaed interfacewere studied. Under proper conditions, impurity core length can be shortened from 6 cm to 1 cm , the yield israised by more than 5 %. 展开更多
关键词 Heavily sb-doped Si crystals Growth parameters Impuritycore
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Electrical and optical properties of Sb-doped ZnO thin films synthesized by sol–gel method
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作者 曹萌萌 赵小如 +3 位作者 段利兵 刘金茹 关蒙萌 郭文瑞 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期598-602,共5页
Sb-doped ZnO thin films with different values of Sb content (from 0 to 1.1 at.%) are deposited by the sol-gel dip- coating method under different sol concentrations. The effects of Sb-doping content, sol concentrati... Sb-doped ZnO thin films with different values of Sb content (from 0 to 1.1 at.%) are deposited by the sol-gel dip- coating method under different sol concentrations. The effects of Sb-doping content, sol concentration, and annealing ambient on the structural, optical, and electrical properties of ZnO films are investigated. The results of the X-ray diffraction and ultraviolet-visible spectroscopy (UV-VIS) spectrophotometer indicate that each of all the films retains the wurtzite ZnO structure and possesses a preferred orientation along the c axis, with high transmittance (〉 90%) in the visible range. The Hall effect measurements show that the vacuum annealed thin films synthesized in the sol concentration of 0.75 mol/L each have an adjustable n-type electrical conductivity by varying Sb-doping density, and the photoluminescence (PL) spectra revealed that the defect emission (around 450 nm) is predominant. However, the thin films prepared by the sol with a concentration of 0.25 mol/L, despite their poor conductivity, have priority in ultraviolet emission, and the PL peak position shows first a blue-shift and then a red-shift with the increase of the Sb doping content. 展开更多
关键词 sb-doped ZnO thin films electrical and optical properties sol concentrations annealing ambient
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Solid State Reaction Synthesis and Thermoelectric Properties ofMg_2Si doped with Sb and Te
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作者 姜洪义 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2002年第2期36-38,共3页
Doped with Sb and Te, Mg2Si based compounds were prepared respectively by solid state reaction at 823 K for 8 h. Effects of dopants of Sb and Te on the structure and thermoelectric properties of the compounds were inv... Doped with Sb and Te, Mg2Si based compounds were prepared respectively by solid state reaction at 823 K for 8 h. Effects of dopants of Sb and Te on the structure and thermoelectric properties of the compounds were investigated. By calculating the values of the electrical conductivity for Sb-doped sample, the mechanism of electric conduction at 625 K is different. The figure of merit for sample doped with 0.4 wt% Te at500K is 2.4 × 10-3W/mK2,and it reaches 3. 3 ×10-3 W/mK2 at 650K for the sample doped with 0. 5wt% Sb. The values are more than 1.4 times and 2.3 times of the pure Mg2 Si sample. 展开更多
关键词 solid state reaction doping of sb and Te thermoelectric properties
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Oxidation of propane to acrylic acid and acetic acid over alkaline earth-doped Mo-V-Sb-O_x catalysts 被引量:2
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作者 Chandan S.Chaudhari Shailesh S.Sable +2 位作者 Hanumant Gurav Ashutosh A.Kelkar Vilas H.Rane 《Journal of Natural Gas Chemistry》 EI CAS CSCD 2010年第6期593-599,共7页
Alkaline earth metal (Mg,Ca,Sr and Ba)-doped Mo-V-Sb-O x catalysts,prepared by a dry-up method,have been investigated for their catalytic performance in the oxidation of propane under different reaction conditions.T... Alkaline earth metal (Mg,Ca,Sr and Ba)-doped Mo-V-Sb-O x catalysts,prepared by a dry-up method,have been investigated for their catalytic performance in the oxidation of propane under different reaction conditions.The catalysts have been characterized by N2 adsorption-desorption,temperature-programmed desorption (TPD) of NH3,SEM and XRD.Influence of water vapor on the catalytic performance,particularly on the selectivities to acetic acid and acrylic acid,has also been studied.The selectivity to acrylic acid was improved significantly by the doping of alkaline earth metals to Mo-V-Sb-O x catalysts.The surface acidic sites of the catalyst decreased with the doping of the catalyst with alkaline earth metals,which ultimately was found to be beneficial for obtaining high selectivity to acrylic acid.The catalytic activity and product selectivities were found to be influenced by the reaction temperature,C3H8/O2 ratio and space velocity.A significant improvement in the selectivity to acrylic acid has also been observed by the addition of water vapor in the feed of propane and oxygen in the oxidation of propane. 展开更多
关键词 oxidation of propane surface acidity alkaline earth doped Mo-V-sb-Ox catalysts acrylic acid acetic acid
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Structure distortion, optical and electrical properties of ZnO thin films co-doped with Al and Sb by sol-gel spin coating 被引量:1
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作者 钟文武 刘发民 +3 位作者 蔡鲁刚 周传仓 丁芃 张嬛 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第10期515-519,共5页
ZnO thin films co-doped with A1 and Sb with different concentrations and a fixed molar ratio of AlCl3 to SbCl3 at 1:2, are prepared by a sol-gel spin-coating method on glass annealed at 550 ℃ for 2 h in air. The x-r... ZnO thin films co-doped with A1 and Sb with different concentrations and a fixed molar ratio of AlCl3 to SbCl3 at 1:2, are prepared by a sol-gel spin-coating method on glass annealed at 550 ℃ for 2 h in air. The x-ray diffraction results confirm that the ZnO thin films co-doped with Al distortion, and the biaxial stresses are 1.03× 10^8. 3.26× 10^8 and Sb are of wurtzite hexagonal ZnO with a very small 5.23 × 10^8, and 6.97× 10^8 Pa, corresponding to those of the ZnO thin films co-doped with Al and Sb in concentrations of 1.5, 3.0, 4.5, 6.0 at% respectively. The optical properties reveal that the ZnO thin films co-doped with Al and Sb have obviously enhanced transmittance in the visible region. The electrical properties show that ZnO thin film co-doped with Al and Sb in a concentration of 1.5 at% has a lowest resistivity of 2.5 Ω·cm. 展开更多
关键词 ZnO thin films co-doped with Al and sb sol-gel spin-coating method structure distortion optical and electrical properties
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Mg_(3)(Sb,Bi)_(2)基热电材料研究进展
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作者 冯文彪 李鑫 张亚龙 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第S01期46-51,共6页
热电材料是一种可以利用固体中载流子和声子的输运及其相互作用实现热能和电能之间相互转换的新型功能材料。热电半导体器件既可以对汽车尾气、工业废热、地热和海洋温差等能源进行回收再利用,也可以提供可靠、便捷、绿色和无噪声的快... 热电材料是一种可以利用固体中载流子和声子的输运及其相互作用实现热能和电能之间相互转换的新型功能材料。热电半导体器件既可以对汽车尾气、工业废热、地热和海洋温差等能源进行回收再利用,也可以提供可靠、便捷、绿色和无噪声的快速精确制冷方式,为日益增长的能源危机问题和传统的空气压缩制冷方式带来的臭氧层破坏及温室效应问题提供有效的解决方案。其中,在废热发电领域最具应用潜质的中温区热电材料也是近年来研究的重点。Mg_(3)Sb_(2)基热电材料由于其低廉的成本和无毒无害等优点,以及特殊的晶体结构优势,过去十几年被广泛研究,本征条件下极低的晶格热导率使其成为最有希望实现“声子玻璃、电子晶体”构想的半导体材料。与此同时,其极低的电导率也为热电性能的进一步优化带来极大的困难,研究者们尝试用多种方法来提高其热电性能,包括制备大晶粒度晶体、加入第三组元和元素掺杂等,这些方法使Mg_(3)Sb_(2)基热电材料的热电性能得到极大的提升。基于此,本文综述了Mg_(3)Sb_(2)基热电材料制备方法的最新研究进展,以及不同的热电性能优化途径,提出存在的问题和未来的发展方向。同时,本文提出利用定向凝固方法制备三元Mg_(3)(Sb,Bi)_(2)单晶材料,此方法有望通过减少晶界和Mg的氧化进一步提高合金本征条件下的电导率,并利用各热电性能参数的各向异性来进一步提高ZT值。此外,结合第一性原理计算方法讨论合金中掺杂元素位置和掺杂效率对载流子传输和散射的影响关系,为此类热电材料的性能优化提供新的思路。 展开更多
关键词 热电材料 定向凝固 Mg_(3)(sb Bi)_(2) 元素掺杂
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Sb掺杂对透明SnO_2薄膜导电性能影响的第一性原理计算(英文) 被引量:8
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作者 邓周虎 闫军锋 +3 位作者 张富春 王雪文 徐建平 张志勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第B06期110-115,共6页
本文根据密度泛函理论(DFT),采用第一性原理平面波赝势方法,计算了Sb掺杂对透明导电薄膜SnO2电子结构及导电性能的影响,讨论了掺杂下SnO2晶体的结构变化、能带结构、电子态密度.计算结果表明,Sb掺杂的SnO2具有高的电导率,且随着掺杂浓... 本文根据密度泛函理论(DFT),采用第一性原理平面波赝势方法,计算了Sb掺杂对透明导电薄膜SnO2电子结构及导电性能的影响,讨论了掺杂下SnO2晶体的结构变化、能带结构、电子态密度.计算结果表明,Sb掺杂的SnO2具有高的电导率,且随着掺杂浓度的增加,能带简并化加剧,浅施主杂质能级向远离导带底方向移动. 展开更多
关键词 SNO2 第一性原理 电子结构 掺杂
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Sb-SnO_2/炭膜对水中四环素电催化降解性能研究 被引量:7
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作者 刘志猛 朱孟府 +3 位作者 邓橙 王政 赵蕾 江明明 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期64-67,共4页
以炭膜为基膜,通过溶胶凝胶法制备了载有纳米Sb掺杂SnO_2的Sb-SnO_2/炭膜电催化膜,通过SEM、TEM和XRD对基膜和Sb-SnO_2/炭膜进行了结构表征及降解水中四环素实验。结果表明,基膜和Sb-SnO_2/炭膜都具有多微孔的表面结构,粒径约为10 nm的S... 以炭膜为基膜,通过溶胶凝胶法制备了载有纳米Sb掺杂SnO_2的Sb-SnO_2/炭膜电催化膜,通过SEM、TEM和XRD对基膜和Sb-SnO_2/炭膜进行了结构表征及降解水中四环素实验。结果表明,基膜和Sb-SnO_2/炭膜都具有多微孔的表面结构,粒径约为10 nm的Sb-SnO_2均匀涂覆在炭膜表面且Sb-SnO_2为四方形金红石结构,与基膜相比,Sb-SnO_2/炭膜提高了对水中四环素的吸附性能;在电压为2.5 V直流电场作用下,Sb-SnO_2/炭膜对水中四环素的去除率显著提高,连续运行12 h,Sb-SnO_2/炭膜对四环素质量浓度为50 mg/L的水溶液中的四环素的去除率可达92.3%,预示着电催化膜在抗生素废水处理中将有很好的应用前景。 展开更多
关键词 电催化膜 锑掺杂二氧化锡 四环素 电化学降解 水处理
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CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究 被引量:7
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作者 谢莲革 沃银花 +4 位作者 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1824-1828,共5页
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温... 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因. 展开更多
关键词 化学气相沉积(CVD) sb掺杂SnO2薄膜 掺杂量
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Sn_(1-x)Sb_xO_2固溶体电极的形成能与电子结构 被引量:3
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作者 梁镇海 丁永波 +2 位作者 樊彩梅 郝晓刚 韩培德 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第3期758-762,共5页
为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的... 为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的电子结构以及不同掺杂比例时的形成能.结果表明:Sb替代Sn后,晶格常数与晶胞体积均增加,但掺杂形成能随掺杂量变化不大,在掺杂量为0.083时掺杂形成能达到最低值5.08eV,稳定性最好.掺杂Sb后,在费米能级至最低导带处存在Sb5s电子态分布,产生施主能级;同时Sb掺杂后,在导带底形成的可填充电子数也从未掺杂的4增加到了掺杂后的19,导电性明显增强,且在掺杂量为0.063时导电性最强.本文的计算结果为钛基Sn1-xSbxO2氧化物电极的开发与应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 电子结构 sb掺杂SnO2 第一性原理 形成能
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