制备条件对Sb/SnO_2超细粉水分散性的影响

采用球磨分散的方法制得了Sb/SnO2 超细粉水分散体系。通过测定分散体系的Zeta电位和沉降率详细考察了分散体系 pH值、掺锑浓度和加热温度对Sb/SnO2 超细粉水分散性的影响规律。结果表明 ,制备条件通过控制粒子表面状态、化学构成和晶体完整性等影响Sb/SnO2 超细粉的分散性。Sb/SnO2 超细粉的等电点为 1 8左右。制备稳定性高、分散效果好的Sb/SnO2 超细粉水分散体系的合适条件的pH值为 1 0 0～ 1 1 5、n(Sb) /n(Sn)为 0 0 4～ 0 1 9,加热温度为 80 0℃左右。

热处理气氛和温度对SnO_2∶Sb超细粉的影响

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法分别制得了纳米级的SnO2∶Sb,Sb2O3和SnO2超细粉,并选取工业用Sb2O3粉末作为参比,运用X射线衍射(XRD)、Leitz多功能显微镜、电阻测试等测试方法对粉末进行了表征,比较系统地研究了热处理气氛和温度对粉末物相和电阻的影响。

SnO_2超细粉的制备与嵌锂性能

用液相沉淀法制备了纳米级的SnO2超细粉,通过X射线衍射及透射电镜(TEM)对其进行表征,并对其电化学嵌脱锂性质做了研究.结果表明:用液相沉淀法制备的SnO2晶体粒径分布较为均匀,分布范围为10～20 nm.该材料的首次嵌脱锂容量分别可以达到1 468 mAh/g和520 mAh/g.

SnO_2:Sb薄膜的制备和光致发光性质

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发射,发射强度随制备功率的增加而增强,且样品退火后发射强度也明显增强.紫外紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁.

钕改性钛基SnO_2/Sb电催化电极的制备及表征

为改善钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用浸渍法制备了Nd改性钛基SnO2/Sb电极。以活性艳红X-3B为目标有机物,考察电极的电催化性能,对制备温度和Nd掺杂量进行了研究,确定了适宜的制备条件为:热处理温度550℃,Nd掺杂量1.0%。采用SEM,EDS,XRD及XPS等分析方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,发现掺杂Nd可使SnO2粒径变小,有利于电极电催化性能的改善,同时Nd元素的引入可使杂质元素Sb,Nd在电极表面涂层富集。Nd改性钛基SnO2/Sb电极表面主要是四方相金红石结构的SnO2晶体,掺杂的Sb和Nd分别以Sb5+和Nd3+的形式存在。电极动电位扫描测试结果表明,Nd改性钛基SnO2/Sb电极具有较高的阳极析氧电位,有利于有机物的阳极氧化降解。

喷雾热解法制备SnO_2:Sb透明导电薄膜

采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:在Sb掺杂量为11％(摩尔分数)和基板温度为500℃的条件下,SnO_2:Sb薄膜具有最佳的光电性能,平均可见光透过率为82％,方块电阻达13.4Ω/□,电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm。

磁控溅射法在有机衬底上制备SnO_2掺Sb透明导电膜

采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为13.9cm2/V·s,载流子浓度为15.5×1019 cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×10-3W·cm。在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右。

基板温度对SnO_2:Sb薄膜结构和性能的影响

以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。

退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。

耐酸非贵金属Ti/MO_2阳极SnO_2+Sb_2O_4中间层研究

采用热分解法制备了非贵金属SnO2+Sb2O4中间层Ti基MO2活性层电极,利用SEM,XRD和XPS方法对中间层进行了表征。测定了Ti/SnO2+Sb2O4/MnO2和Ti/SnO2+Sb2O4/PbO2电极在硫酸溶液中的析氧极化曲线,二者起始析氧过电位均比贵金属小;考察了在高电流密度(4A/cm2)下的加速寿命,二者依次分别达到18h和86h。实验表明,SnO2+Sb2O4是一种具有良好导电性和结合力的耐酸Ti基MO2电极中间层材料。

CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究

采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因.

有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究

采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺杂比例为 6 % .适当调节制备参数 ,可以获得在可见光范围内平均透过率大于 85 %的有机衬底 Sn O2 ∶ Sb透明导电薄膜 ,其电阻率～ 3.7× 10 - 3Ω· cm ,载流子浓度～ 1.5 5× 10 2 0 cm- 3,霍耳迁移率～ 13cm2 · V- 1 ·

Fe掺杂钛基SnO2／Sb电催化电极的制备及表征

为了改进钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用高温热氧化法制备了Fe掺杂钛基SnO2/Sb电极。采用SEM、EDX以及XRD等方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,并以苯酚为目标有机物,研究了所制备电极对有机污染物的电催化降解能力。结果表明,适量Fe的掺杂有利于晶粒细化和导电性的提高;但过量Fe的掺杂可能导致SnO2晶格的混乱程度增大,甚至使晶格破坏,从而使电极性能降低;掺杂0.5%Fe的SnO2/Sb电极对苯酚的降解效果优于未掺杂Fe的电极;电解3 h后,苯酚去除率和化学需氧量(COD)去除率分别达到100.0%和92.0%。

Sb掺杂SnO_2纳米粉体的结晶行为和电学性能

采用非均相成核法制备了 Sb掺杂的 Sn O2 (ATO)纳米粉体 .研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随 Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系 .应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能 .结果表明 ,晶粒生长分为 2个阶段 ,其活化能分别为 2 1 .94和 4.5 2 k J/mol.

SnO_2∶Sb/SiO_2复合薄膜的制备与光学性能

采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约105 nm,折射率为1.352,底层SnO2∶Sb厚度约1200 nm,折射率为1.91;优化工艺条件下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜的性能优于SnO2∶Sb薄膜,在相同情况下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜对可见光的透过率大于SnO2∶Sb薄膜,这是因为上层SiO2薄膜折射率较低,与底层高折射率SnO2∶Sb薄膜共同构成减反射膜系,提高了膜系的可见光透过率。相比于单层SnO2∶Sb膜,在可见光部分增透率大于4.5%,近红外波段的增透率小于1.0%,基本保持原有导电膜的低红外辐射特性,并提高了可见光透过率。

Ti/SnO_2+Sb_2O_3/β-PbO_2阳极电化学氧化异噻唑啉酮

采用提拉法和电沉积法制作Ti/SnO2+Sb2O3/β-PbO2阳极,通过SEM扫描、XRD分析和极化曲线测定表征具有良好结构和催化性能.利用该电极氧化异噻唑啉酮水溶液,研究运行参数(电化学氧化时间、电流密度和水溶液pH值)的变化对异噻唑啉酮和化学耗氧量(ChemicalOxygenDemand,CODcr)降解效果的影响,降解过程符合一级动力学方程.在异噻唑啉酮水溶液初始浓度200mg/L、电流密度15mA/cm2、电化学氧化180min时,异噻唑啉酮、CODcr去除率可分别达到98%和43%.通过紫外光谱图分析了异噻唑啉酮氧化过程为先开环,再生成低分子有机酸,最后矿化为CO2和H2O.

有机衬底SnO_2掺Sb透明导电膜的制备

采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyisocyanate聚酰亚胺 )胶片上制备出了性能良好的薄膜 ,薄膜相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 13cm2 /VS ,载流子浓度为 15 .5× 10 19cm-3 ,薄膜的电阻率有最小值 3.7× 10 -3 Ω·cm。在可见光范围内 ,样品的相对透过率为 85

喷雾热分解法制备超细SnO_2粉体及工艺参数优化

以SnCl4.5H2O为前驱体,采用喷雾热分解法制备了超细SnO2粉体,研究了反应温度、前驱体溶液浓度和载气流量等工艺参数对粉体粒径和形貌的影响,并对工艺参数进行了优化。结果表明:当反应温度为600℃、前驱体溶液浓度为0.6 mol.L-1、载气流量为124 L.h-1时,得到的SnO2粉体平均粒径在1.4μm左右,粒度分布均匀,结晶度高,球形度好,空心破壳少。

Ti/SnO_2+Sb_2O_3+MnO_2/PbO_2阳极的性能研究

制备了一种非贵金属阳极－Ｔｉ／ＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３＋ＭｎＯ２／ＰｂＯ２，并用ＸＲＤ、ＳＥＭ进行了表征，计算出了电极的分形维数，测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数，把该电极用于处理含酚废水和Ｐｂ电极进行对比．结果表明，节电３３％，转化率达９５％，是一种优良的电化学催化剂．

Nd和Sb掺杂SnO_2导电粉体的红外光谱研究

本文以 Sn Cl4· 5 H2 O、Sb Cl3 和 Nd2 O3 为原料制备了 Nd和 Sb掺杂 Sn O2 导电粉体 ,用红外光谱法测定了该粉体的光谱。在 730— 6 2 0 cm-1范围 ,有个宽的吸收峰 ,在 4 0 0 0— 2 80 0 cm-1范围有强吸收。