二甲基亚砜有机溶液中Sb-Te薄膜热电材料的电沉积制备

采用循环伏安以及阴极极化曲线的测试方法分析了二甲基亚砜有机溶液中纯Sb、纯Te、Sb-Te二元体系在Au电极上的还原过程。结合分析结果采用直流恒电位方式电沉积制备了Sb-Te二元薄膜热电材料,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)以及塞贝克系数测试系统对不同电位下制备出的Sb-Te二元薄膜热电材料的物相、形貌、组成、热电性能等进行了表征。结果表明:在Au电极上Sb(Ⅲ)、Te(Ⅳ)离子的氧化还原行为均为不可逆过程,随着电位的不断负移,所制备出的薄膜热电材料表面粗糙度也在不断加大,Sb、Te元素原子百分含量的比值在不断下降,不同电位下沉积出的材料均为P型热电材料。

Ru_(0.26)Sb_(2)Te_(3)合金靶的制备方法及性能研究

贵金属Ru掺杂的Sb_(2)Te_(3)相变材料有望改进Sb_(2)Te_(3)结晶温度低、非晶热稳定性差等问题,以满足相变存储器稳定工作的需求。以Ru∶Sb∶Te=0.26∶2∶3(原子比)的Ru_(0.26)Sb_(2)Te_(3)合金粉、Ru+Sb+Te混合粉以及Ru+Sb_(2)Te_(3)混合粉这3种不同体系为原料,经真空热压制备出用于溅射沉积Ru_(0.26)Sb_(2)Te_(3)薄膜的三元靶材,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、共聚焦激光扫描显微镜等分别表征靶材物相、成分、显微组织、元素分布等。结果表明:以Ru_(0.26)Sb_(2)Te_(3)合金粉为原料可制备出成分准确、相对密度达99.5%以上的合金靶材,Ru元素以RuTe2的形式均匀分布于Sb_(2)Te_(3)基体相中,且Ru元素掺杂未对Sb_(2)Te_(3)主相的晶格常数产生明显影响。Ru+Sb+Te混合粉及Ru+Sb_(2)Te_(3)混合粉原料体系所制备Ru_(0.26)Sb_(2)Te_(3)三元靶材的主要物相仍是Sb_(2)Te_(3)相,Ru元素以Ru单质形式存在于靶材中,且相对于Ru_(0.26)Sb_(2)Te_(3)合金粉原料体系,两混合粉原料体系中Ru元素相对集中于某些区域,并未完全分散于整个基体相中。采用Ru_(0.26)Sb_(2)Te_(3)合金粉原料体系制备的三元合金靶材更有望用于Ru-Sb-Te系列相变薄膜的制备。