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Sb2O3掺杂BiFeO3-BaTiO3压电陶瓷的结构及电性能研究
被引量:
1
1
作者
黄志强
何秀将
+3 位作者
何新华
符小艺
王歆
卢振亚
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第3期565-571,586,共8页
采用传统固相烧结法合成了0.7BiFeO_(3)-0.3BaTiO_(3)+x%Sb_(2)O_(3)(质量分数)陶瓷(BFO-BTO+x Sb,x=0.00~0.20),研究了Sb_(2)O_(3)掺杂对BFO-BTO陶瓷的晶相结构、介电、导电以及压电和铁电性能的影响,并对影响机理进行探讨。结果表明:S...
采用传统固相烧结法合成了0.7BiFeO_(3)-0.3BaTiO_(3)+x%Sb_(2)O_(3)(质量分数)陶瓷(BFO-BTO+x Sb,x=0.00~0.20),研究了Sb_(2)O_(3)掺杂对BFO-BTO陶瓷的晶相结构、介电、导电以及压电和铁电性能的影响,并对影响机理进行探讨。结果表明:Sb掺杂导致陶瓷的晶体结构由伪立方相向菱形相转化。Sb的B位取代增加了BFO-BTO+x Sb陶瓷的铁电弛豫性,降低高温损耗,并使居里温度Tc有所降低。导电特性的研究表明,Sb掺杂改变了V×O和Fe 2+的浓度,降低了电导率,但没有改变陶瓷的导电机制,其主要载流子是氧空位。Sb掺杂量x=0.05时,BFO-BTO+x Sb陶瓷表现出最佳的综合电性能:d 33=213 pC/N,k p=28.8%,Q m=38,T c=520℃,P r=24.7μC/cm^(2)。
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关键词
BiFe
o
3
-BaTi
o
3
sb
2
o
3
掺杂
固相烧结法
介电性能
压电性能
弛豫特性
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职称材料
Sb_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响
被引量:
3
2
作者
石雨
刘心宇
马家峰
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期31-33,共3页
为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减...
为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减小后增大的趋势;当n(BaBiO3):n(Sb2O3)=1000:3时,获得了具有较好NTC特性的样品,其室温电阻率ρ25为416Ω.cm,B25/85值为2378K。
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关键词
BaBi
o
3
NTC特性
sb2o3掺杂
量
电性能
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职称材料
Sb_2O_3掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷的结构与性能
被引量:
1
3
作者
刘剑林
丁士华
宋天秀
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期12-15,共4页
采用固相反应法制备了Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Sb2O3掺杂量(x(Sb2O3)为0.5%~5.0%)对陶瓷晶相结构及介电性能的影响,分析了陶瓷电滞回线变化的原因。结果表明:Sb3+进入了Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷晶格,引起晶格畸变,且...
采用固相反应法制备了Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Sb2O3掺杂量(x(Sb2O3)为0.5%~5.0%)对陶瓷晶相结构及介电性能的影响,分析了陶瓷电滞回线变化的原因。结果表明:Sb3+进入了Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷晶格,引起晶格畸变,且无第二相出现。随着Sb2O3掺杂量的增加,陶瓷晶粒逐渐变小变均匀,tanδ减小。Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷为弥散相变铁电体,在x(Sb2O3)为3.0%处弥散程度最小。
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关键词
Ba(Ti0.91Zr0.09)
o
3
陶瓷
sb2o3掺杂
弥散相变
介电温谱
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职称材料
题名
Sb2O3掺杂BiFeO3-BaTiO3压电陶瓷的结构及电性能研究
被引量:
1
1
作者
黄志强
何秀将
何新华
符小艺
王歆
卢振亚
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第3期565-571,586,共8页
基金
广东省重点领域研发计划(2020B0109380001)。
文摘
采用传统固相烧结法合成了0.7BiFeO_(3)-0.3BaTiO_(3)+x%Sb_(2)O_(3)(质量分数)陶瓷(BFO-BTO+x Sb,x=0.00~0.20),研究了Sb_(2)O_(3)掺杂对BFO-BTO陶瓷的晶相结构、介电、导电以及压电和铁电性能的影响,并对影响机理进行探讨。结果表明:Sb掺杂导致陶瓷的晶体结构由伪立方相向菱形相转化。Sb的B位取代增加了BFO-BTO+x Sb陶瓷的铁电弛豫性,降低高温损耗,并使居里温度Tc有所降低。导电特性的研究表明,Sb掺杂改变了V×O和Fe 2+的浓度,降低了电导率,但没有改变陶瓷的导电机制,其主要载流子是氧空位。Sb掺杂量x=0.05时,BFO-BTO+x Sb陶瓷表现出最佳的综合电性能:d 33=213 pC/N,k p=28.8%,Q m=38,T c=520℃,P r=24.7μC/cm^(2)。
关键词
BiFe
o
3
-BaTi
o
3
sb
2
o
3
掺杂
固相烧结法
介电性能
压电性能
弛豫特性
Keywords
BiFe
o
3
-BaTi
o
3
sb
2
o
3
d
o
ping
s
o
lid state meth
o
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dielectric pr
o
perty
piez
o
electric pr
o
perty
relaxati
o
n behavi
o
r
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Sb_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响
被引量:
3
2
作者
石雨
刘心宇
马家峰
机构
桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
中南大学材料科学与工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期31-33,共3页
基金
广西自然科学基金资助项目(No.桂科字0447092)
桂林电子科技大学基金资助项目(No.E20694)
文摘
为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减小后增大的趋势;当n(BaBiO3):n(Sb2O3)=1000:3时,获得了具有较好NTC特性的样品,其室温电阻率ρ25为416Ω.cm,B25/85值为2378K。
关键词
BaBi
o
3
NTC特性
sb2o3掺杂
量
电性能
Keywords
BaBi
o
3
NTC characteristics
sb
2
o
3
-d
o
ped am
o
unt
electrical pr
o
perty
分类号
TN37 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Sb_2O_3掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷的结构与性能
被引量:
1
3
作者
刘剑林
丁士华
宋天秀
机构
西华大学材料科学与工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期12-15,共4页
基金
四川省教育厅科技基金资助项目(No.2006C025)
西华大学校人才基金资助项目(No.R0620109)
文摘
采用固相反应法制备了Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Sb2O3掺杂量(x(Sb2O3)为0.5%~5.0%)对陶瓷晶相结构及介电性能的影响,分析了陶瓷电滞回线变化的原因。结果表明:Sb3+进入了Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷晶格,引起晶格畸变,且无第二相出现。随着Sb2O3掺杂量的增加,陶瓷晶粒逐渐变小变均匀,tanδ减小。Sb2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷为弥散相变铁电体,在x(Sb2O3)为3.0%处弥散程度最小。
关键词
Ba(Ti0.91Zr0.09)
o
3
陶瓷
sb2o3掺杂
弥散相变
介电温谱
Keywords
Ba(Ti0.91Zr0.09)
o
3
ceramic
sb
2
o
3
d
o
ping
diffused phase transiti
o
n
dielectric-temperature spectrum
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Sb2O3掺杂BiFeO3-BaTiO3压电陶瓷的结构及电性能研究
黄志强
何秀将
何新华
符小艺
王歆
卢振亚
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
2
Sb_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响
石雨
刘心宇
马家峰
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
下载PDF
职称材料
3
Sb_2O_3掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷的结构与性能
刘剑林
丁士华
宋天秀
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
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