Sb^(5+)掺杂TiO_2纳米带的制备及其乙醇气敏性能研究

采用水热法制备纯的及Sb5+掺杂的TiO2纳米带,并用XRD和TEM对样品进行表征。研究结果表明:700℃焙烧的TiO2纳米带依然保持为锐钛矿相;掺杂后TiO2纳米带的形貌基本保持不变,是长5~10μm,宽100~300 nm的纳米带结构。在最佳工作温度下,TiO2纳米带对乙醇气体具有快速的响应和恢复特性;Sb5+掺杂不仅可以提高TiO2纳米带的灵敏度,而且降低最佳工作温度,由掺杂前的400℃降低为掺杂后的300℃;在n(Sb)/n(Ti)=7.5%的最佳掺杂量下,对体积分数为100×10-6的乙醇气体的响应时间为19 s,恢复时间为11 s,灵敏度为13.82,且检测下限可达到1×10-6。

钛掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变特性的改善（英文）

利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能力测试的实验数据,经阿伦纽斯外推处理可知,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品的10年数据保持温度要高于未掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品.本文的实验结果均证实,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜更适合应用于相变随机存取存储器中.

Sb_2O_5/TiO_2催化超声降解甲基橙溶液

采用实验室合成的 Sb2 O5掺杂 Ti O2 作为催化剂 ,研究各种因素对甲基橙的超声催化降解反应的影响。结果表明 ,在 Sb2 O5掺杂Ti O2 催化剂作用下 ,甲基橙的超声催化降解效果明显优于单独使用Ti O2 的情况。 1 .5 %掺杂量的催化剂 ,用量在 1 .0～ 1 .5 g/L之间 ,超声波频率 2 5 k Hz,输出功率 1 .0 W/cm2 ,p H为 1 .0～ 3.0时 ,初始浓度为 2 0 mg/L的甲基橙水溶液 ,1 0 0 min左右基本可全部降解 ,COD去除率达到 99.0 %以上。Sb2 O5掺杂 Ti O2

Sn掺杂Ge-Sb-Te相变薄膜的晶化特性

用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.

Sb离子掺杂SnO_2的价态转变与电导性分子动力学模拟

本文采用分子动力学方法,模拟计算了300K常压下不同浓度及不同价态Sb/SnO2的结构参数及能量参数。结果表明,在低掺杂浓度范围(≤1.0 mol%),Sb/SnO2中Sb离子倾向于以Sb5+形态存在,而高掺杂浓度时(≥3.0 mol%),则以Sb3+形态存在,即随掺杂浓度增大,部分Sb5+将转化为Sb3+,Sb/SnO2导电能力下降,电导率在掺杂浓度为1.0 mol%时达最大值。