高效制氢装置阴极结构设计及性能分析

使用化学气相输运法(CVT)制备了高质量Sc掺杂SiP晶体,并探究了Sc掺杂对SiP HER活性的影响。结果显示,掺杂Sc后的SiP具有更优异的HER性能,在电流密度为10 mA/cm2时的过电位为112.8 mV,Tafel斜率为85.09 mV/dec,电化学活性表面积为245 cm2,并具有优异的稳定性。该研究为开发具有高效活性的新型催化剂在HER和其他储能领域的应用提供了深入的见解。