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一步法电化学沉积Cu(In1-x, Gax)Se2薄膜的特性 被引量:8
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作者 敖建平 孙国忠 +6 位作者 闫礼 康峰 杨亮 何青 周志强 李凤岩 孙云 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1073-1079,共7页
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制... 在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹. 展开更多
关键词 电沉积 Cu(In1-x Gax)se2薄膜 循环伏安法 pH缓冲溶液
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纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜反应过程及其性能研究 被引量:2
2
作者 郑春满 韦永滔 +1 位作者 谢凯 韩喻 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期701-706,共6页
以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,... 以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,采用霍尔效应测试仪和吸收光谱分析等对多晶CIGS薄膜的性能进行了表征。研究结果表明,纳米金属氧化物主要含CuO、In2O3、Ga2O3和铜-铟、铜-镓二元合金氧化物等成分,在还原反应中逐渐转变成Cu11In9、Cu9In4等产物,同时薄膜中形成大量孔隙;硒化过程中,硒蒸气沿孔隙通道进入还原产物的晶格,反应生成CIS和CGS,从而形成具有黄铜矿结构的多晶CIGS薄膜;多晶CIGS薄膜表面晶粒排列紧密,属于p型半导体,其载流子浓度为2.3×1015cm-3,迁移率为217 cm2/(V.s),电阻率为36.cm,带隙宽度约为1.15 eV。 展开更多
关键词 氧化物 Cu(In Ga)se2薄膜 光学性能 反应过程
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基态Se2^x(x=0,-1,+1,+2)分子离子的势能函数与垂直电离势 被引量:1
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作者 刘信平 李光大 冉鸣 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第5期724-728,共5页
用原子分子反应静力学原理推导出了Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子的基态电子状态及其离解极限.在6-311G**水平基础上,用B3LYP方法计算了Se2x(x=0,-1,+1,+2)分子离子的基态电子状态的平衡几何Re和离解能De及谐振频率;并在计算出来的一系列... 用原子分子反应静力学原理推导出了Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子的基态电子状态及其离解极限.在6-311G**水平基础上,用B3LYP方法计算了Se2x(x=0,-1,+1,+2)分子离子的基态电子状态的平衡几何Re和离解能De及谐振频率;并在计算出来的一系列单点能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数和力学性质;计算了Se2+、Se22+的垂直电离势;计算表明Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子是可稳定存在的. 展开更多
关键词 se2^+(x=0 -1 +1 +2)分子离子 势能函数 垂直电离势
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低温沉积Cu(InxGa1-x)Se2薄膜
4
作者 肖健平 何青 +1 位作者 陈亦鲜 夏明 《科技导报》 CAS CSCD 2008年第11期53-55,共3页
采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜的晶体结构、导电性质,探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结... 采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜的晶体结构、导电性质,探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结果表明,衬底温度对掺杂程度、晶相单一性、晶粒尺寸、电阻率有重要影响。衬底温度低于500℃时,CIGS材料性能会出现明显劣化。 展开更多
关键词 低温沉积 Cu(InxGa1-x)se2 结构特性
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Cu(In,Ga)Se2太阳电池窗口层光学常数的测量与计算 被引量:1
5
作者 何炜瑜 孙云 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期141-144,共4页
采用多层薄膜反射率与透射率非相干叠加的方法,计算Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)多晶薄膜太阳电池的窗口层(CdS薄膜和ZnO薄膜)的光学常数,并通过科希方程和塞尔迈耳方程对计算的折射率进行了拟合,给出了拟合公式,为CIGS多晶薄膜太阳电池结构的... 采用多层薄膜反射率与透射率非相干叠加的方法,计算Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)多晶薄膜太阳电池的窗口层(CdS薄膜和ZnO薄膜)的光学常数,并通过科希方程和塞尔迈耳方程对计算的折射率进行了拟合,给出了拟合公式,为CIGS多晶薄膜太阳电池结构的光学设计和优化奠定了基础。 展开更多
关键词 CU(IN GA)se2 CDS ZNO 光学常数 色散关系
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垂直排列ReS2(1-x)Se2x合金纳米片的控制合成及带隙调控
6
作者 敖伟栋 刘妍 +5 位作者 马青山 刘欢 周斌 郑霄家 于东麒 张文华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1083-1088,共6页
二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO_2/Si衬底上生长了垂直排列ReS_2纳米片材料,硒化处理后得到ReS_(2(1-x))Se_(2x... 二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO_2/Si衬底上生长了垂直排列ReS_2纳米片材料,硒化处理后得到ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片,并研究了硒化温度(700、850和920℃)及硒化时间(0.5、1和1.5h)对ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片形貌及组分的影响。XPS元素定量分析及紫外–可见–近红外吸收光谱研究表明ReS_(2(1-x))Se_(2x)样品中Se含量可以在x=0(纯ReS_2)到x=0.86之间调变,相应材料的带隙可从1.55eV(800nm)调变到1.28eV(969 nm)。SEM结果显示ReS_(2(1-x))Se_(2x)纳米片的结构受到硒化温度和硒化时间的影响,硒化温度升高和硒化时间延长会破坏纳米片的垂直结构。上述结果表明本研究成功合成了垂直排列ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片,该材料在电化学催化、功能电子器件和光电子器件方面具有潜在应用价值。 展开更多
关键词 ReS2(1-x)se2x ReS2 硒化 垂直排列 带隙调控
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磁控溅射再硒化法制备Cu(In,Al)Se2薄膜
7
作者 张谷一 孟飞 朱洁 《中国材料科技与设备》 2007年第4期53-54,57,共3页
本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜,然后固态源硒化制成Cu(In,Al)Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分,SEM观察薄膜的表面形貌,XRD表征薄膜的组织结构。结果表明,由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu(In,Al)Se2薄膜具有单一的... 本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜,然后固态源硒化制成Cu(In,Al)Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分,SEM观察薄膜的表面形貌,XRD表征薄膜的组织结构。结果表明,由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu(In,Al)Se2薄膜具有单一的黄铜矿结构,且随着Al含量的增加,晶面间距减小。 展开更多
关键词 Cu-In-Al合金膜 硒化 Cu(In A1)se2薄膜
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Review on Alkali Element Doping in Cu(In,Ga)Se2 Thin Films and Solar Cells 被引量:2
8
作者 Yun Sun Shuping Lin +4 位作者 Wei Li Shiqing Cheng Yunxiang Zhang Yiming Liu Wei Liu 《Engineering》 SCIE EI 2017年第4期452-459,共8页
This paper reviews the development history of alkali element doping on Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells and summarizes important achievements that have been made in this field. The influences of incorporation strat... This paper reviews the development history of alkali element doping on Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells and summarizes important achievements that have been made in this field. The influences of incorporation strategies on CIG5 absorbers and device performances are also reviewed. By analyzing CIGS surface structure and electronic property variation induced by alkali fluoride (NaF and KF) post-deposition treatment (PDT), we discuss and interpret the following issues: ① The delamination of CIGS thin films induced by Na incorporation facilitates CulnSe2 formation and inhibits Ga during low-temperature co-evaporation process- es. ② The mechanisms of carrier density increase due to defect passivation by Na at grain boundaries and the surface. ③ A thinner buffer layer improves the short-circuit current without open-circuit voltage loss, This is attributed not only to better buffer layer coverage in the early stage of the chemical bath deposition process, but also to higher donor defect (Cd^+Cu) density, which is transferred from the acceptor defect (C^-cu) and strengthens the buried homojunction. ④ The KF-PDT-induced lower valence band maximum at the absorber surface reduces the recombination at the absorber/buffer interface, which improves the open-circuit voltage and the fill factor of solar cells. 展开更多
关键词 Alkali elements Cu(In Ga)se2 Thin-film solar cells Post-deposition treatment
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Advances in Cost-Efficient Thin-Film Photovoltaics Based on Cu(In,Ga)Se2 被引量:1
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作者 Michael Powalla Stefan Paetel +5 位作者 Dimitrios Hariskos Roland Wuerz Friedrich Kessler Peter Lechner Wiltraud Wischmann Theresa Magorian Friedlmeier 《Engineering》 SCIE EI 2017年第4期445-451,共7页
In this article, we discuss the leading thin-film photovoltaic (PV) technology based on the Cu(ln,Ga)Se2 (CIGS) compound semiconductor. This contribution includes a general comparison with the conventional Si-wa... In this article, we discuss the leading thin-film photovoltaic (PV) technology based on the Cu(ln,Ga)Se2 (CIGS) compound semiconductor. This contribution includes a general comparison with the conventional Si-wafer-based PV technology and discusses the basics of the CIGS technology as well as advances in world-record-level conversion efficiency, production, applications, stability, and future developments with respect to a flexible product. Once in large-scale mass production, the CIGS technology has the highest potential of all PV technologies for cost-efficient clean energy generation. 展开更多
关键词 Thin-film photovoltaics Solar energy Flexible Cu(In Ga)se2
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Physical Properties of[A6Cl][Fe24Se26](A=K,Rb)with Self-Similar Structure
10
作者 Shaohua Wang Qiangwei Yin Hechang Lei 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2020年第1期74-77,共4页
We have successfully synthesized two novel compounds[A6Cl][Fe24Se26](A=K,Rb).The key structural units of them are FeSe octamers,consisting of edge-shared FeSe4 tetrahedra.Two kinds of FeSe octamer layers with differen... We have successfully synthesized two novel compounds[A6Cl][Fe24Se26](A=K,Rb).The key structural units of them are FeSe octamers,consisting of edge-shared FeSe4 tetrahedra.Two kinds of FeSe octamer layers with different connection configurations stack along the c axis,forming a three-dimensional(3D)TiAl3-type structure.Interestingly,the 3D structural topology of these ocatmers in one unit cell is similar to the local atomic arrangement of themselves,i.e.,self-similarity in structure.Physical property characterizations indicate that both the compounds exhibit insulating antiferromagnetism with Neel temperatures Tn^110K and 75K for[K6Cl][Fe24Se26]and[Rb6Cl][Fe24Se26]. 展开更多
关键词 structure. [Fe se2
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用于高效光伏器件的Cu(In,Ga)Se2薄膜的微结构特征
11
作者 HassonFS 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期50-50,共1页
关键词 CU(IN GA)se2 高效光伏器件 薄膜 微结构特性
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大面积Cu(In,Ga)Se2薄膜的生长和特征
12
作者 HermannAM 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期49-49,共1页
关键词 大面积 Cu(In Ga)se2薄膜 生长 光伏电池
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Deciphering the Origins of P1-Induced Power Losses in Cu(In_(x),Ga_(1–x))Se2(CIGS)Modules Through Hyperspectral Luminescence
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作者 César Omar Ramírez Quiroz Laura-Isabelle Dion-Bertrand +2 位作者 Christoph J.Brabec Joachim Müller Kay Orgassa 《Engineering》 SCIE EI 2020年第12期1395-1402,共8页
In this report,we show that hyperspectral high-resolution photoluminescence mapping is a powerful tool for the selection and optimiz1ation of the laser ablation processes used for the patterning interconnections of su... In this report,we show that hyperspectral high-resolution photoluminescence mapping is a powerful tool for the selection and optimiz1ation of the laser ablation processes used for the patterning interconnections of subcells on Cu(Inx,Ga1-x)Se2(CIGS)modules.In this way,we show that in-depth monitoring of material degradation in the vicinity of the ablation region and the identification of the underlying mechanisms can be accomplished.Specifically,by analyzing the standard P1 patterning line ablated before the CIGS deposition,we reveal an anomalous emission-quenching effect that follows the edge of the molybdenum groove underneath.We further rationalize the origins of this effect by comparing the topography of the P1 edge through a scanning electron microscope(SEM)cross-section,where a reduction of the photoemission cannot be explained by a thickness variation.We also investigate the laser-induced damage on P1 patterning lines performed after the deposition of CIGS.We then document,for the first time,the existence of a short-range damaged area,which is independent of the application of an optical aperture on the laser path.Our findings pave the way for a better understanding of P1-induced power losses and introduce new insights into the improvement of current strategies for industry-relevant module interconnection schemes. 展开更多
关键词 Cu(In_(x) Ga_(1-x))se2 Cell-to-module efficiency gap P1-induced power losses Hyperspectral photoluminescence Laser ablation short-range heat effect
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花开有声 音动你心——轻骑兵V23SE2
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《数字生活》 2007年第12期80-81,共2页
提起轻骑兵V23SE,多媒体音箱界的烧友们可能没有不知道的;这款产品以其用料扎实、非凡的声音还原能力、超高性价比的优势,不仅成为轻骑兵2.0音箱的主打产品,也是2.0市场上声誉最好的一代经典。从最早的V23到其升级版V23SE,始终占据着中... 提起轻骑兵V23SE,多媒体音箱界的烧友们可能没有不知道的;这款产品以其用料扎实、非凡的声音还原能力、超高性价比的优势,不仅成为轻骑兵2.0音箱的主打产品,也是2.0市场上声誉最好的一代经典。从最早的V23到其升级版V23SE,始终占据着中端2.0市场的重要位置。日前,轻骑兵V23系列的新一代产品,V23SE的升级换代产品V23SE2,经过精雕细琢,已经正式上市了! 展开更多
关键词 多媒体音箱 SE V23se2 分频器
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In2Se3/CuSe核壳结构微纳粉的合成及其喷涂热处理制备CuInSe2薄膜
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作者 李斌 李英莲 +3 位作者 莫淑一 陈明光 王东生 龙飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1135-1140,共6页
分别采用超声微波溶剂热法、常压溶剂热法及高压溶剂热法制备In_2Se_3/CuSe粉体,研究不同方法制备In_2Se_3/CuSe粉体的物相、形貌,并利用涂覆–快速热处理法制作薄膜太阳电池吸收层。通过XRD、Raman、FESEM和TEM对样品的物相、形貌和组... 分别采用超声微波溶剂热法、常压溶剂热法及高压溶剂热法制备In_2Se_3/CuSe粉体,研究不同方法制备In_2Se_3/CuSe粉体的物相、形貌,并利用涂覆–快速热处理法制作薄膜太阳电池吸收层。通过XRD、Raman、FESEM和TEM对样品的物相、形貌和组成进行了表征。结果表明:超声微波溶剂热法和常压溶剂热法得到的产物是以In_2Se_3+CuSe混合相的形式存在,高压溶剂热法合成的In_2Se_3/CuSe粉体则呈核壳结构,(以In_2Se_3为核,CuSe为壳)。涂覆–快速热处理法制备CIS薄膜的FESEM照片结果表明,高压溶剂热法合成的In_2Se_3/CuSe更容易获得平整致密的薄膜。将该CIS薄膜直接用于电池器件的组装,获得的光电性能参数:Voc为50 m V,Jsc为8 m A/cm^2。 展开更多
关键词 CIS 溶剂热法 In2Se3/CuSe 核壳结构 涂覆法
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Ga梯度分布对Cu(In,Ga)Se2薄膜及太阳电池的影响 被引量:6
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作者 刘芳芳 孙云 何青 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期272-277,共6页
传统制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)手段之一是共蒸发三步法,工艺中通过Cu,In,Ga,Se 4种元素相互扩散、作用形成抛物线形的Ga梯度分布.本文通过调整Ga源温度制备了Ga梯度分布不同的CIGS薄膜及电池.利用多种测试方法,研究了Ga梯度分布不同对CIG... 传统制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)手段之一是共蒸发三步法,工艺中通过Cu,In,Ga,Se 4种元素相互扩散、作用形成抛物线形的Ga梯度分布.本文通过调整Ga源温度制备了Ga梯度分布不同的CIGS薄膜及电池.利用多种测试方法,研究了Ga梯度分布不同对CIGS薄膜表面及背面结构性质及电性质的影响,计算分析了表面导带失调值及背面电场对电池性能的影响,从而获得了合适的Ga梯度分布,提高了电池光谱相应,获得了较好的电池性能参数. 展开更多
关键词 Cu(In Ga)se2太阳电池 Ga梯度 导带失调值 背电场
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脉冲激光沉积及硒化法制备Cu(In,Ga)Se2薄膜研究
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作者 王可 唐磊 +4 位作者 陈桂林 叶颖 庄彬 陈水源 黄志高 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期2888-2894,共7页
采用脉冲激光沉积和硒化后热处理的方法在石英衬底上制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,研究脉冲激光沉积(PLD)技术在制备CIGS薄膜太阳能电池材料上的应用,分析了不同预制层沉积顺序及厚度对CIGS薄膜组织结构、表面形貌、成分以及光学性能的... 采用脉冲激光沉积和硒化后热处理的方法在石英衬底上制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,研究脉冲激光沉积(PLD)技术在制备CIGS薄膜太阳能电池材料上的应用,分析了不同预制层沉积顺序及厚度对CIGS薄膜组织结构、表面形貌、成分以及光学性能的影响。结果表明:利用PLD技术及后硒化处理工艺,制得的CIGS太阳能电池吸收层具有纯相和高结晶度等特性;CuGa/In金属预制层的叠层顺序和叠层数、硒化退火温度对薄膜的结晶质量、晶粒尺寸、成分都具有重要影响,其中叠层顺序影响最为明显;样品均表现出对可见光区具有透射率低和吸收系数高的光学特性。本研究为制备性能优良的CIGS太阳能电池吸收层,提供了一个新颖的工艺手段。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 硒化 Cu(In Ga)se2薄膜 工艺条件 光学特性
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Pt embedded Ni3Se2@NiOOH core-shell dendrite-like nanoarrays on nickel foam as bifunctional electrocatalysts for overall water splitting 被引量:11
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作者 Xuerong Zheng Yanhui Cao +6 位作者 Xiaopeng Han Hui Liu Jihui Wang Zhijia Zhang Xianwen Wu Cheng Zhong Wenbin Hu 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第8期1096-1104,共9页
Developing high-performance bifunctional catalysts toward hydrogen evolution reaction(HER) and oxygen evolution reaction(OER) is essential to enhance water splitting efficiency for large-scale hydrogen production. Nei... Developing high-performance bifunctional catalysts toward hydrogen evolution reaction(HER) and oxygen evolution reaction(OER) is essential to enhance water splitting efficiency for large-scale hydrogen production. Neither noble metal Pt nor transition metal compounds show satisfactory performances for both HER and OER simultaneously. Here, we prepared a three-dimensional Pt-Ni3 Se2@NiOOH/NF(PNOF) hybrid catalyst via in-situ growth strategy. Benefitting from the self-supported structure and oxygen vacancies on the surface of NiOOH nanosheets, the PNOF electrode shows remarkably catalytic performance for dual HER and OER. The overall water electrolyzer using PNOF as anode and cathode can achieve a current density of10 mA cm^-2 at a low voltage of 1.52 V with excellent long-term stability, which is superior to precious metal catalysts of Pt/C and Ir/C. This study provides a promising strategy for preparing bifunctional catalysts with high performance. 展开更多
关键词 Pt-Ni3se2@NiOOH/NF bifunctional catalyst oxygen vacancy overall water splitting
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Facile fabrication of core-shell Ni3Se2/Ni nanofoams composites for lithium ion battery anodes 被引量:3
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作者 Zhongren Wang Quanbin Gao +3 位作者 Peng Lv Xiuwan Li Xinghui Wang Baihua Qu 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第3期119-124,共6页
Due to the highly porous structure,large specific surface area,and 3 D interconnected metal conductive network,nanoporous metal foams have attracted a lot of attention in the field of energy conversion and storage,esp... Due to the highly porous structure,large specific surface area,and 3 D interconnected metal conductive network,nanoporous metal foams have attracted a lot of attention in the field of energy conversion and storage,especially lithium-ion batteries,which are ideal for current collectors.In this work,we develop a facile approach to fabricate core-shell Ni3Se2/Ni nanofoams composites.The Ni3Se2/Ni composites make full use of both the advantages of metal conductive network and core-shell structure,resulting in a high capacity and superior rate performance.In addition,the composites can be directly converted into electrode by a simple mechanical compression,which is more convenient than traditional casting method.What’s more,this material and its structure can be extended to other devices in the field of energy conversion and storage. 展开更多
关键词 Metal FOAMS Ni3se2 CORE-SHELL Structure COMPOSITES LITHIUM ion BATTERY
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Li掺杂对铜锌锡硫硒太阳电池的影响研究
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作者 申绪男 张超 黄洪昌 《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第5期949-953,共5页
开展了基于二甲基亚砜溶剂体系的溶胶凝胶法制备铜锌锡硫硒薄膜中掺杂Li的相关研究。对不同Li掺杂量的CZTSSe薄膜分别进行了表截面形貌、晶体结构、成分比例测试,结果表明:在CZTSSe薄膜中掺杂Li可以提升薄膜的结晶质量,且随着Li掺杂量... 开展了基于二甲基亚砜溶剂体系的溶胶凝胶法制备铜锌锡硫硒薄膜中掺杂Li的相关研究。对不同Li掺杂量的CZTSSe薄膜分别进行了表截面形貌、晶体结构、成分比例测试,结果表明:在CZTSSe薄膜中掺杂Li可以提升薄膜的结晶质量,且随着Li掺杂量的增加,结晶质量变好。分析原因为,高温硒化过程中形成的Li_(2)Se相辅助生长改善了薄膜的结晶质量,抑制了ZnCu和SnCu等施主能级缺陷生成。但是,同样发现在Li/Cu摩尔比为1%~10%之间存在阈值,过量的Li并不能进入晶格而富集在晶界处。对不同Li掺杂的CZTSSe薄膜进行太阳电池的制备,结果表明Li/Cu为1%的太阳电池具有最高的转换效率,达到8.5%。 展开更多
关键词 铜锌锡硫硒 Li掺杂 Li_(2)Se相 太阳电池
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