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Frobenius代数的Segre积
1
作者 马菀羚 何济位 《杭州师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第2期180-186,共7页
根据Segre积的定义,证明了两个Frobenius代数的Segre积仍然是Frobenius代数,并在此基础上研究了两个Frobenius代数Segre积对应的扭超势和Nakayama自同构.
关键词 FROBENIUS代数 segre积 扭超势
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分次近似Frobenius代数的Segre积
2
作者 励雨哲 俞晓岚 《杭州师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第3期290-295,共6页
文章主要研究分次近似Frobenius代数,提出了k-近似Frobenius代数的概念,证明了两个k-近似Frobenius代数的Segre积还是k-近似Frobenius代数,并且对分次近似Frobenius代数的Frobenius空间进行了直和分解.
关键词 分次近似Frobenius代数 segre积 Frobenius空间
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星用功率VDMOS器件SEGR效应研究 被引量:3
3
作者 王立新 高博 +4 位作者 刘刚 韩郑生 张彦飞 宋李梅 吴海舟 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期434-437,共4页
对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应... 对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求。 展开更多
关键词 功率VDMOS器件 segr效应 加速器 注量率
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功率MOSFET抗单粒子加固技术研究
4
作者 陈宝忠 宋坤 +7 位作者 王英民 刘存生 王小荷 赵辉 辛维平 杨丽侠 邢鸿雁 王晨杰 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第3期19-22,共4页
针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂... 针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂的外延缓冲层来降低纵向电场梯度,减弱了非平衡载流子在栅敏感区的累积,并开发了台阶栅介质结构提升栅敏感区的临界场强。实验结果表明,经过加固的功率MOSFET在满额漏源工作电压和15 V栅源负偏电压的偏置条件下,单粒子烧毁和栅穿LET值大于75 MeV·cm^(2)/mg。在相同辐照条件下,加固器件的栅源负偏电压达到15~17 V,较加固前的7~10 V有显著提升。 展开更多
关键词 功率MOSFET 单粒子效应 抗辐射加固 单粒子烧毁 单粒子栅穿
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高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究 被引量:1
5
作者 王韬 张黎莉 +2 位作者 段鑫沛 殷亚楠 周昕杰 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期6-12,共7页
以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线... 以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线性能量转移为98 MeV·cm^(2)/mg的重离子攻击,SiO_(2)栅介质器件则发生了单粒子栅穿效应(Single event gate rupture,SEGR)。采用HfO_(2)作为栅介质时源漏电流和栅源电流分别下降92%和94%,峰值电场从1.5×10^(7)V/cm下降至2×10^(5)V/cm,避免了SEGR的发生。SEGR发生的原因是沟道处累积了大量的空穴,栅介质中的临界电场超过临界值导致了击穿,而高k栅介质可以有效降低器件敏感区域的碰撞发生率,抑制器件内电子空穴对的进一步生成,降低空穴累积的概率。 展开更多
关键词 氧化镓 单粒子栅穿 TCAD仿真 VDMOS器件
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用晶格Boltzmann方法研究微血管脉动流中悬浮颗粒运动特征的转变 被引量:2
6
作者 邱冰 王立龙 +1 位作者 薛泽 李华兵 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第4期7-11,共5页
用二维晶格Boltzmann方法研究球形刚性悬浮颗粒在微血管脉动流中的迁移运动。悬浮颗粒的直径与人体正常红细胞的尺寸相当,微血管的直径是颗粒直径的四倍,血浆被看作牛顿流体,粒子边界的流体作用力用压力张量积分法计算。模拟结果显示,... 用二维晶格Boltzmann方法研究球形刚性悬浮颗粒在微血管脉动流中的迁移运动。悬浮颗粒的直径与人体正常红细胞的尺寸相当,微血管的直径是颗粒直径的四倍,血浆被看作牛顿流体,粒子边界的流体作用力用压力张量积分法计算。模拟结果显示,当液体流速与正常血液流速相当时,Segré-Silberberg效应不会出现,只有当液体流速增大到一定数值时,Segré-Silberberg效应才得以呈现。在流速逐渐增大的过程中观察悬浮粒子平衡位置的变化情况,可以看到平衡位置的变化并非连续,而是显示出类似"量子化"的特征。这与宏观流体中的颗粒迁移运动特征有着显著区别,揭示了从微流动过渡到宏观流动的过程中流体动力学特征的演化过程。 展开更多
关键词 晶格Boltzmann方法 脉动流 微血管 segré-silberberg效应
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Synergistic effect of total ionizing dose on single-event gate rupture in SiC power MOSFETs
7
作者 曹荣幸 汪柯佳 +9 位作者 孟洋 李林欢 赵琳 韩丹 刘洋 郑澍 李红霞 蒋煜琪 曾祥华 薛玉雄 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期666-672,共7页
The synergistic effect of total ionizing dose(TID) and single event gate rupture(SEGR) in SiC power metal–oxide–semiconductor field effect transistors(MOSFETs) is investigated via simulation. The device is found to ... The synergistic effect of total ionizing dose(TID) and single event gate rupture(SEGR) in SiC power metal–oxide–semiconductor field effect transistors(MOSFETs) is investigated via simulation. The device is found to be more sensitive to SEGR with TID increasing, especially at higher temperature. The microscopic mechanism is revealed to be the increased trapped charges induced by TID and subsequent enhancement of electric field intensity inside the oxide layer. 展开更多
关键词 SiC power MOSFET total ionizing dose(TID) single event gate rupture(segr) synergistic effect TCAD simulation
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一种抗辐照功率MOSFET器件 被引量:1
8
作者 刘梦新 韩郑生 +3 位作者 刘刚 蔡小五 王立新 夏洋 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1167-1170,共4页
报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加... 报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。 展开更多
关键词 功率MOSFET 单粒子烧毁 单粒子栅穿 总剂量辐照效应
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晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响 被引量:3
9
作者 刘忠永 蔡理 +3 位作者 刘保军 刘小强 崔焕卿 杨晓阔 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第4期234-238,256,共6页
研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350... 研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350V和255V,SEB发生时的临界击穿电场强度分别为2.4×10~6 V/cm和1.8×10~6 V/cm。在V_d=30V、V_g=-13.9 V的偏置条件下,两种晶圆器件的氧化层最大瞬态电场均为5.6×10~6 V/cm。结果表明晶圆各向异性导致(0001)晶圆器件的抗SEB能力更强,而对单粒子栅穿效应(SEGR)没有影响。 展开更多
关键词 4H-SIC 晶圆各向异性 单粒子烧毁 单粒子栅穿
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大型钢锭定向凝固技术的发展 被引量:7
10
作者 张永权 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期83-89,共7页
介绍了定向凝固技术的原理、定向凝固钢锭的制造方法和在实际生产中的应用,以及该技术对特厚钢板综合性能的影响。因而为生产高质量各向同性特厚钢板指明了工艺方向。
关键词 厚钢板 钢锭 定向凝固 偏析
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淬火温度对渗碳淬火组织及变形的影响 被引量:4
11
作者 于广义 张忠和 +3 位作者 王飞宇 张尔康 王博 闫帅 《热处理技术与装备》 2018年第5期17-21,共5页
以12Cr2Ni4合金渗碳钢为试验材料,以C形畸变试样为试验工具,采用金相显微镜分析渗碳层的金相组织,进行了780、820℃淬火对渗层组织及变形影响的工艺试验。金相显微组织检验的结果表明:淬火温度对渗层碳化物的形态、数量、大小以及分布... 以12Cr2Ni4合金渗碳钢为试验材料,以C形畸变试样为试验工具,采用金相显微镜分析渗碳层的金相组织,进行了780、820℃淬火对渗层组织及变形影响的工艺试验。金相显微组织检验的结果表明:淬火温度对渗层碳化物的形态、数量、大小以及分布没有影响; 820℃淬火对心部组织有优化作用; 820℃淬火使"马氏体+残余奥氏体"的评级不合格;由于试样尺寸小、淬火转移时间长,820℃淬火的畸变量并没有增大;预处理正火和成分偏析共同导致的畸变量大幅增加40%以上。结论:12Cr2Ni4合金渗碳钢的淬火温度不能升高到820℃,预备热处理采用调质、严格控制成分的均匀性,对控制渗碳淬火畸变有重要作用。 展开更多
关键词 淬火温度 畸变 渗碳层 预备热处理 成分偏析
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功率VDMOSFET单粒子效应研究 被引量:4
12
作者 段雪 郎秀兰 +6 位作者 刘英坤 董四华 崔占东 刘忠山 孙艳玲 胡顺欣 冯彬 《微纳电子技术》 CAS 2008年第10期573-576,共4页
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS... 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。 展开更多
关键词 功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 单粒子栅穿 单粒子烧毁 缓冲屏蔽 锎源
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SiC MOSFET器件抗辐照特性研究 被引量:6
13
作者 王敬轩 吴昊 +3 位作者 王永维 李永平 王勇 杨霏 《智能电网》 2016年第11期1078-1081,共4页
针对SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)器件进行了抗辐照试验的研究,利用实验室环境模拟空间辐照进行了试验,采用^(60)Coγ射线源与测试系统开展了总剂量辐照试验研究,对... 针对SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)器件进行了抗辐照试验的研究,利用实验室环境模拟空间辐照进行了试验,采用^(60)Coγ射线源与测试系统开展了总剂量辐照试验研究,对SiC MOSFET器件的阈值电压与导通电阻的漂移进行了表征,得到辐照后阈值电压的漂移小于0.8 V,导通电阻的变化小于0.02?。同时采用Br、I、Au三种离子作为单粒子辐射源,研究了SiC MOSFET器件的单粒子栅穿(single event gate rupture,SEGR)和单粒子烧毁(single event burnout,SEB)机制。通过试验获得了SiC MOSFET器件抗辐照特性参数,为其在航空、航天等领域中的应用提供了技术参考。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 抗辐照 单粒子栅穿 单粒子烧毁
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Lateral Migration and Nonuniform Rotation of Square Particle Suspended in Poiseuille Flow
14
作者 Yong Ye Huajie Zhou +2 位作者 Sihao Zhou Zhangrong Qin Binghai Wen 《Journal of Flow Control, Measurement & Visualization》 2020年第3期146-158,共13页
A square particle suspended in a Poiseuille flow is investigated by using the lattice Boltzmann method with the Galilean-invariant momentum exchange method. The lateral migration of Segré-Silberberg effect is obs... A square particle suspended in a Poiseuille flow is investigated by using the lattice Boltzmann method with the Galilean-invariant momentum exchange method. The lateral migration of Segré-Silberberg effect is observed for the square particle, accompanied by the nonuniform rotation and regular wave. To compare with the circular particle, its circumscribed and inscribed squares are used in the simulations. Because the circumscribed square takes up a greater difference between the upper and lower flow rates, it reaches the equilibrium position earlier than the inscribed one. The trajectories of the latter are much closer to those of circle;this indicates that the circle and its inscribed square have a similar hydrodynamic radius in a Poiseuille flow. The equilibrium positions of the square particles change with Reynolds number and show a shape of saddle, whereas those of the circular particles are virtually not affected by Reynolds number. The regular wave and nonuniform rotation are owing to the interactions of the square shape and the parabolic velocity distribution of Poiseuille flow, and high Reynolds number makes the square rotating faster and decrease its oscillating amplitude. A series of contours illustrate the dynamic flow fields when the square particle has successive postures in a half rotating period. This study is beneficial to understand the motion of anisotropic particles and the dendrite growth in dynamic environment. 展开更多
关键词 Particle Suspension Square Particle segré-silberberg Effect Lattice Boltzmann Method
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一种提升抗单粒子能力的新型超结结构 被引量:3
15
作者 王琳 宋李梅 +2 位作者 王立新 罗家俊 韩郑生 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第9期84-88,共5页
为了提升超结器件在空间辐照环境下的可靠性,针对额定电压为700 V的超结器件提出了一种新型结构.加固的结构在标准SJVDMOS平面栅的基础上刻蚀掉部分栅极,同时引入了一个肖特基接触来提升器件的抗单粒子能力.2D synopsyssentaurus TCAD... 为了提升超结器件在空间辐照环境下的可靠性,针对额定电压为700 V的超结器件提出了一种新型结构.加固的结构在标准SJVDMOS平面栅的基础上刻蚀掉部分栅极,同时引入了一个肖特基接触来提升器件的抗单粒子能力.2D synopsyssentaurus TCAD对器件进行了仿真建模,并通过单粒子的瞬态仿真来评估器件的SEE性能,仿真结果表明加固之后的器件在单粒子效应下的整体安全工作区大幅增加,器件抗单粒子烧毁和抗单粒子栅穿的能力都明显提升,同时新型结构的电学性能也维持了良好的水平. 展开更多
关键词 超结器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 线性能量传输函数 单粒子效应
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p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究 被引量:1
16
作者 郑君 周伟松 +3 位作者 胡冬青 刘道广 何仕均 许军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期905-909,928,共6页
借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流... 借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流和零栅电压时的漏-源泄漏电流均在纳安量级水平,二极管正向压降约为-1 V。采用2-D器件仿真方法以及相关物理模型对所设计的p沟VDMOS器件的单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅击穿(SEGR)效应进行了分析和研究,并通过对所获得的器件样片采用钴-60"射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平条件下辐照对所研制的p沟VDMOS器件相关电学参数的影响情况。 展开更多
关键词 p沟VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅击穿 辐照 线性能量转移
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Scaling effects of single-event gate rupture in thin oxides 被引量:2
17
作者 丁李利 陈伟 +3 位作者 郭红霞 闫逸华 郭晓强 范如玉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第11期640-644,共5页
The dynamics of the excess carriers generated by incident heavy ions are considered in both SiO2 and Si substrate. Influences of the initial radius of the charge track, surface potential decrease, external electric fi... The dynamics of the excess carriers generated by incident heavy ions are considered in both SiO2 and Si substrate. Influences of the initial radius of the charge track, surface potential decrease, external electric field, and the LET value of the incident ion on internal electric field buildup are analyzed separately. Considering the mechanisms of recombination, impact ionization, and bandgap tunneling, models are verified by using published experimental data. Moreover, the scaling effects of single-event gate rupture in thin gate oxides are studied, with the feature size of the MOS device down to 90 nm. The walue of the total electric field decreases rapidly along with the decrease of oxide thickness in the first period (1 2 nm to 3.3 nm), and then increases a little when the gate oxide becomes thinner and thinner (3.3 nm to 1.8 nm). 展开更多
关键词 single-event gate rupture segr heavy ion thin oxides TCAD simulation
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高压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究 被引量:2
18
作者 张立荣 《电子与封装》 2013年第6期33-37,共5页
利用SILVACO工艺模拟软件和器件模拟软件以及L-Edit版图设计工具,我们对一款高压VDMOS功率器件进行了模拟仿真和优化设计。利用自主开发的VDMOS工艺流程完成了器件的实际流片。测试结果表明,器件的源漏击穿电压达到600 V以上,导通电阻小... 利用SILVACO工艺模拟软件和器件模拟软件以及L-Edit版图设计工具,我们对一款高压VDMOS功率器件进行了模拟仿真和优化设计。利用自主开发的VDMOS工艺流程完成了器件的实际流片。测试结果表明,器件的源漏击穿电压达到600 V以上,导通电阻小于2.5,跨导为4 S,栅-源泄漏电流约为±100 nA,零栅电压时的漏-源泄漏电流约为10μA,二极管正向压降约为1.2 V。采用二维器件模拟仿真工具以及相关物理模型对所研制的高压VDMOS器件的SEB和SEGR效应进行了分析,并通过对所研制的器件样片采用钴-60γ射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平下辐照对所研制的高压VDMOS器件相关电学参数的影响。 展开更多
关键词 高压VDMOS 功率器件 SEB segr 辐照特性
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Lattice Boltzmann Simulation of One Particle Migrating in a Pulsating Flow in Microvessel
19
作者 邱冰 谭惠丽 李华兵 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2011年第10期756-760,共5页
A lattice Boltzmann model of two dimensions is used to simulate the movement of a single rigid particle suspended in a pulsating flow in micro vessel The particle is as big as a red blood cell, and the micro vessel is... A lattice Boltzmann model of two dimensions is used to simulate the movement of a single rigid particle suspended in a pulsating flow in micro vessel The particle is as big as a red blood cell, and the micro vessel is four times as wide as the diameter of the particle. It is found that Segrd-Silberberg effect will not respond to the pulsation of the flow when the Reynolds number is relatively high. However, when the Reynolds number is low enough, Segrd-Silberberg effect disappears. In the steady flow, different initial position leads to different equilibrium positions. In a pulsating flow, different frequencies of pulsation also cause different equilibrium positions. Particularly, when the frequency of pulsation is closed to the human heart rate, Segrd-Silberberg effect presents again. The evolutions of velocity, rotation, and trajectory of the particle are investigated to find the dynamics of such abnormal phenomenon. 展开更多
关键词 segre Silberberg effect lattice Boltzmann method red blood cell pulsating flow
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Projection on Segre varieties and determination of holomorphic mappings between real submanifolds Dedicated to Professor Sheng GONG on the occasion of his 75th birthday
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作者 BAOUENDI M S EBENFELT Peter ROTHSCHILD Linda P 《Science China Mathematics》 SCIE 2006年第11期1611-1624,共14页
It is shown that a germ of a holomorphic mapping sending a real-analytic generic submanifold of finite type into another is determined by its projection on the Segre variety of the target manifold. A necessary and suf... It is shown that a germ of a holomorphic mapping sending a real-analytic generic submanifold of finite type into another is determined by its projection on the Segre variety of the target manifold. A necessary and sufficient condition is given for a germ of a mapping into the Segre variety of the target manifold to be the projection of a holomorphic mapping sending the source manifold into the target. An application to the biholomorphic equivalence problem is also given. 展开更多
关键词 segre variety generic submanifold segre mappings finite type biholomorphic equivalence.
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