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(NH_4)_2S_x溶液改善GaAs MESFETs击穿特性的机理研究 被引量:1
1
作者 刘立浩 杨瑞霞 +3 位作者 邢东 郭荣辉 申华军 刘芳芳 《电子器件》 CAS 2003年第1期80-83,共4页
使用 (NH4) 2 Sx 溶液对GaAsMESFETs进行处理。处理后 ,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了 ,栅漏击穿电压有了显著提高。我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场 ,负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压 ,这就是 (NH4) 2 Sx
关键词 gaas mesfets (NH4)2Sx处理 击穿电压 负电荷表面态
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GaAs MESFETs欧姆接触的快速评估和改进 被引量:1
2
作者 张万荣 李志国 +5 位作者 穆甫臣 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 穆杰 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1999年第3期1-4,共4页
提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法-温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致.同时,针对传统AuGeNi/Au欧姆接... 提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法-温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致.同时,针对传统AuGeNi/Au欧姆接触系统的缺点,提出了加TiN扩散阻挡层的新型欧姆接触系统.实验表明,新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统AuGeNi/Au欧姆接触系统. 展开更多
关键词 mesfet 欧姆接触 激活能 扩散阻挡层 砷化镓
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半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应
3
作者 刘汝萍 夏冠群 +3 位作者 赵建龙 翁建华 张美圣 郝幼申 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期64-68,共5页
设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图,用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区,在非掺杂的半绝缘GaAs 衬底上制备GaAs MESFETs 器件.研究了这二种不同工艺制备的... 设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图,用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区,在非掺杂的半绝缘GaAs 衬底上制备GaAs MESFETs 器件.研究了这二种不同工艺制备的MESFETs 器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小.结果表明,采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs 器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小,背栅效应的大小与距离近似成反比,采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大. 展开更多
关键词 mesfet 背栅效应 砷化镓 半绝缘
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改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索
4
作者 李亚丽 杨瑞霞 杨克武 《电子器件》 CAS 2005年第1期135-137,共3页
硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVD SiNx 钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是:As S键很不稳定... 硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVD SiNx 钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是:As S键很不稳定,在较高温度下分解,使GaAs表面负电荷密度减小,击穿电压下降。 展开更多
关键词 硫钝化gaas mesfets 稳定性PECVD SINX
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GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 被引量:2
5
作者 穆甫臣 李志国 +4 位作者 郭伟玲 张万荣 孙英华 程尧海 严永鑫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期6-12,28,共8页
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退化的GaAsMES-FET的失效分析。结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,... 报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退化的GaAsMES-FET的失效分析。结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富,GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 展开更多
关键词 mesfet 欧姆接触 可靠性 砷化镓
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GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析 被引量:1
6
作者 毛剑波 易茂祥 丁勇 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期124-127,共4页
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果... 探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 gaas mesfet 旁栅效应 迟滞特性 沟道衬底结 电子陷阱
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用于GaAs功率MESFET的新型钝化膜 被引量:3
7
作者 曹昕 罗晋生 +1 位作者 陈堂胜 陈克金 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期165-169,共5页
用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明,AlN钝化的器件性能较好,它是一种很有前途的GaAs钝化... 用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明,AlN钝化的器件性能较好,它是一种很有前途的GaAs钝化材料。 展开更多
关键词 功率mesfet 钝化 ALN薄膜 砷化镓 溅射
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GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究 被引量:5
8
作者 戴永胜 方大纲 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期612-617,共6页
基于Agilent公司的IC-CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路(GaAs M-MMIC)开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESFET简化电路模型及不同栅... 基于Agilent公司的IC-CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路(GaAs M-MMIC)开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESFET简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案,扩展了电路模型的应用频率范围,解决了电路模型参教提取中的关键问题,如:开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认。采用该技术提取的电路模型参数,成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品,验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 砷化镓微波单片集成电路 开关场效应晶体管模型 电路模型参数 微波控制电路 多倍频程
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硫钝化GaAs MESFET的机理研究 被引量:3
9
作者 邢东 李效白 刘立浩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期61-64,共4页
研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。
关键词 硫钝化 gaasmesfet 击穿电压 负电荷表面态
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宽带GaAs MESFET开关模型 被引量:1
10
作者 陈新宇 徐全胜 +4 位作者 陈继义 陈效建 郝西萍 李拂晓 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期189-192,共4页
提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1~ 2 0 GHz频率范围内 。
关键词 开关模型 mesfet MMIC电路 金属半导体场效应晶体管 gaas 砷化镓 等效电路
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GaAs MESFET在抗辐射领域的应用 被引量:1
11
作者 高剑侠 林成鲁 严荣良 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期107-114,共8页
详细论述了多种辐照源辐射GaAsMESFET器件和电路产生的SEU(单粒子翻转)效应,辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子束等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生SEU的过程和机制。研究表明:1)在低温生长GaAs阻挡层... 详细论述了多种辐照源辐射GaAsMESFET器件和电路产生的SEU(单粒子翻转)效应,辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子束等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生SEU的过程和机制。研究表明:1)在低温生长GaAs阻挡层的MESFET电路,有较强的抗SEU能力;2)在MESFET中,产生SEU的原因在于辐射导致了漏极收集电荷的增加,而且,电荷收集增强机制有三种:a)背沟道导通机制,b)双极增益机制。 展开更多
关键词 mesfet 辐射加固 SEU 砷化镓
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C波段8W功率GaAs MESFET的设计和制作技术 被引量:1
12
作者 顾聪 刘佑宝 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期307-312,共6页
采用自行研制的两只 C波段 5 .2~ 5 .8GHz 4W以上的 Ga As MESFET功率管芯 ,通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数 ,结合工艺制作技术 ,实现了 C波段 5 .2~ 5 .8GHz8WGa As MESFET功率管。该功率管在 5 .2~ 5 .8GHz频带内的功... 采用自行研制的两只 C波段 5 .2~ 5 .8GHz 4W以上的 Ga As MESFET功率管芯 ,通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数 ,结合工艺制作技术 ,实现了 C波段 5 .2~ 5 .8GHz8WGa As MESFET功率管。该功率管在 5 .2~ 5 .8GHz频带内的功率增益约为 7.0 d B,1 d B的压缩功率约为 3 9d Bm,功率附加效率约为 3 0 %。功率管的测量值与计算值基本吻合。 展开更多
关键词 mesfet 场效应晶体管 C波段 砷化镓
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5~10-GHz15-W GaAs MESFET器件的设计 被引量:1
13
作者 顾聪 高一凡 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期65-67,共3页
采用多节平调阻抗变换器技术制作 5~ 1 0 GHz1 5W Ga As MESFET功率放大器。阻抗变换器的长度设计为最高频率的 1 /4波长 ,实现宽频带内稳定的增益和输出功率。采用这种阻抗变换器 ,放大器在 5~ 1 0 GHz范围内具有 9± 1 d B的线... 采用多节平调阻抗变换器技术制作 5~ 1 0 GHz1 5W Ga As MESFET功率放大器。阻抗变换器的长度设计为最高频率的 1 /4波长 ,实现宽频带内稳定的增益和输出功率。采用这种阻抗变换器 ,放大器在 5~ 1 0 GHz范围内具有 9± 1 d B的线性增益 ,其 1 d B压缩功率为 41 .8± 1 d Bm,功率附加效率为 37.5± 7.5% 展开更多
关键词 砷化嫁 mesfet 功率放大器 阻抗变换器
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旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响
14
作者 张有涛 夏冠群 +2 位作者 李拂晓 高建峰 杨乃彬 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期821-825,共5页
研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性,Au/Ge/Ni/A... 研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性,Au/Ge/Ni/Au欧姆接触和Ti/Pt/Au/Ti栅金属的旁栅阈值特性相似,三者都有明显的光敏特性.上述结果为GaAsMESFET数字集成电路版图设计规则的制定提供了可靠依据. 展开更多
关键词 旁栅效应 gaas mesfet 阈值电压 缺陷陷阱 集成度
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GaAs MESFET开关模型的研究 被引量:9
15
作者 高学邦 杜红彦 +4 位作者 王小旭 赵静 王同祥 韩丽华 高翠琢 《半导体情报》 2000年第1期62-64,F003,共4页
讨论了开关 Ga As MESFET的开态模型和关态模型 ,介绍了利用高频器件建模软件 Modelling建立 Ga As MESFET开关模型的方法 ,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。
关键词 砷化镓 mesfet 开关模型 场效应管
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GaAs MESFET自升温效应的分析 被引量:1
16
作者 王静 程思琪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期80-85,共6页
分析了GaAsMESFET由于沟道电流功耗而引起的器件自升温效应。以基本的Poison方程、电流方程及热流方程为基础,采用二维数值分析法,确定了器件内部自升温效应下的温度分布特点,以及决定器件自升温幅度的主要因素。
关键词 自升温效应 mesfet 微波半导体器件
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A 2 .5Gb/s GaAs MESFET Clock Recovery and Decision Circuit
17
作者 詹琰 夏冠群 +2 位作者 王永生 赵建龙 朱朝嵩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期944-946,共3页
A 2 5Gb/s depletion mode GaAs MESFET clock recovery and decision circuit is described,which applies to the optical fiber communication.The circuit consists of a clock recovery circuit,including a preprocessor,phase ... A 2 5Gb/s depletion mode GaAs MESFET clock recovery and decision circuit is described,which applies to the optical fiber communication.The circuit consists of a clock recovery circuit,including a preprocessor,phase detector(PD),low pass filter(LPF) and voltage controlled oscillator(VCO) and a decision circuit,including a comparator and a latch.The SPICE simulation result confirms the high frequency 2 5GHz of the clock recovery and the high speed 2 5Gb/s of the decision circuit.The 2 5Gb/s decision circuit has proved to be able to deal with the input signal and produce a digital output signal after it being sampled by a clock signal. 展开更多
关键词 gaas mesfet clock recovery DECISION
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高温正向大电流下TiAl、TiPtAu栅GaAs MESFET的栅退化机理及其对器件特性的影响 被引量:3
18
作者 黄云 费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》 2000年第6期25-29,共5页
针对GaAs MESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了Tial栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效... 针对GaAs MESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了Tial栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的退化是导致器件的跨导gm、栅反向漏电流Is、夹断电压Vp等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。 展开更多
关键词 砷化镓 场效应晶体管 mesfet TiAC栅 退化机理
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基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
19
作者 谭振新 薛晨阳 +4 位作者 侯婷婷 贾晓娟 史伟莉 刘俊 张文栋 《测试技术学报》 2010年第5期405-409,共5页
利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计结构,利用惠斯通电... 利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计结构,利用惠斯通电桥测试电路,检测不同载荷下的输出特性,验证了微加速度计的力电耦合效应.测试结果表明,该微加速度计的线性度较好,其最大加载范围可达到24 g,且饱和区的灵敏度可达到4.5 mV/g,为高灵敏微传感器的研究奠定了一定的基础. 展开更多
关键词 mesfet gaas 灵敏度 线性度 微加速度计
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用于光电集成的GaAs/InP MESFET研究
20
作者 陈松岩 刘宝林 +4 位作者 陈龙海 王本忠 刘式墉 陈朝 黄美纯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期212-215,共4页
提出了一种新的生长过渡层的方法,并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料,用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的(004)品面行射半高峰宽(FWHM)低至140arcsee。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管(M... 提出了一种新的生长过渡层的方法,并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料,用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的(004)品面行射半高峰宽(FWHM)低至140arcsee。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导为100mS/mm,可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。 展开更多
关键词 低压MOVPE 场效应晶体管 异质外延 砷化镓
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