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GaAs亚微米自对准工艺技术研究
被引量:
2
1
作者
陈克金
顾炯
+2 位作者
盛文伟
毛昆纯
林金庭
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期161-167,共7页
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mm...
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。
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关键词
自对准
离子注入
平面工艺
砷化镓
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职称材料
题名
GaAs亚微米自对准工艺技术研究
被引量:
2
1
作者
陈克金
顾炯
盛文伟
毛昆纯
林金庭
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期161-167,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
总结了在50mmGaAs圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究,着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好,在50mmGaAs圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的GaAsIC和GaAs功率MESFET,证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国GaAsIC确实具有重大意义。
关键词
自对准
离子注入
平面工艺
砷化镓
Keywords
self-aligned
,
ion implantation
,
planar technology
,
gaas wafers
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs亚微米自对准工艺技术研究
陈克金
顾炯
盛文伟
毛昆纯
林金庭
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994
2
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