SemiSouth发布耐压为650 V和1700 V的SiC制JFET

美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650 V和耐压为1700 V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650 V的产品名称为"SJDA065R055",导通电阻为55 mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30 A,在脉冲驱动时为80 A,工作温度范围为一55～+150℃,

SemiSouth发布45 mΩ导通电阻的SiC制JFET

美国SemiSouth Laboratories公司发布了SiC制JFET新产品。此次发布的新产品共有两种。分别是以裸片形态供货的SJDC120R045和收纳在TO-247封装中的SJDP120R045。封装品可在175℃下工作。SemiSouth已经上市了常闭型SiC制JFET产品,此次上市的新产品为常开型。

Ⅱ—Ⅵ公司与SemiSouth公司开发SiC外延晶片

SemiSouth实验室与Ⅱ—Ⅵ公司正协力为SiC外延晶片提供SiC衬底及外延。该项合作将Ⅱ—Ⅵ的4H—SiC衬底生产能力与SemiSouth公司运用SiC外延反应堆开发出的SiC外延材料生产技术相结合,计划生产直径为2英寸,层结构厚度达20μm并具有宽范围n—与P—型掺杂。Ⅱ—Ⅵ公司总经理Thomas Anderson说:"我们坚信,与SemiSouth公司的进一步合作将使两公司的技术得到迅速发展,并最终使产品成本降低。据他介绍,Ⅱ—Ⅵ在外延材料和器件的生产方面得到SemiSouth公司宝贵的反馈意见。这将帮助他们提高SiC衬底材料的质量.并生产出满足SemiSouth外延工艺具体要求的衬底。

SemiSouth以新型SiC JFET器件进入高端音频市场

据SemiSouth透露,其最新碳化硅JFET器件较传统器件成本低15%,且线性特征和保真性能优良,非常适合于高端音频放大器的需求。SemiSouth Laboratories推出一系列新型低成本SiC JFET器件,具有非常好的线性特征,产品定位于高端音频应用。