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Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格红外探测器最佳结构 被引量:5
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作者 李国正 张浩 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期242-244,共3页
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。
关键词 半导体材料 异质结 红外探测器 应变层超晶格
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