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Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格红外探测器最佳结构
被引量:
5
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作者
李国正
张浩
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期242-244,共3页
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。
关键词
半导体材料
异质结
红外探测器
应变层超晶格
下载PDF
职称材料
题名
Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格红外探测器最佳结构
被引量:
5
1
作者
李国正
张浩
机构
西安交通大学电子工程系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期242-244,共3页
文摘
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。
关键词
半导体材料
异质结
红外探测器
应变层超晶格
Keywords
semiconductor materials
,
heterojunction
,
infrared detectors
,
strained-layer superlattice
分类号
TN215.04 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格红外探测器最佳结构
李国正
张浩
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995
5
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职称材料
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