国外硅单晶质量研究进展

文章收集了１９８６年以来半导体物理国际会议发表的有关硅单晶质量的研究报告和成果。全文共分五大部分。内容包括氧、氢、碳、金属过渡元素等杂质的行为，硅中各种缺陷的产生及其性质，缺陷的消除及控制技术。

雪崩探测器用硅材料中微缺陷的初步探讨

综述了国内外同行对硅材料中微缺陷的有关研究，叙述了微缺陷（下称ＭＤ）对硅雪崩光电探测器（Ｓｉ－ＡＰＤ）性能的影响和消除措施，介绍了目前已有的检测方法，最后进行了讨论。