Study on Photocapacitance in PN Junction of High Resistivity P-type Silicon

The PN junction photodiode is fabricated with high resistivity P-type silicon ( ρ =12 000 Ω·cm).The experimental C-V curves with and without laser radiation were measured.The relative change of capacitance can be greater than 100%,which is much greater than the relative change for low resistivity P-type silicon.The relative change of capacitance with and without laser radiation at zero bias is 121.7%.

高阻P型硅PN结中的光电转换

用高阻Ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω·ｃｍ）单晶材料制作了ＰＮ结光敏二极管，对二极管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ—Ｖ实验曲线及样管在光照前后的电容相对变化可达到１００％，远大于低阻Ｐ型硅ＰＮ结在光照前后电容的相对变化率，并得到零偏下样管电容在光照前后的相对变化率为１２１．７％。

点状PN结中的光电转换

用N型硅单晶材料制作了点状PN结光电二极管 ,对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算 ,在同样的光辐射下 ,点状PN结光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的 2 0 0倍以上。分析表明 ,在光探测机制上不仅要考虑平面结范围内的光电转换 ,更要考虑平面结周边一个少数载流子扩散长度范围内的光电转换。利用点状PN结光照电流的测量 ,可以确定在衬底材料中光生少子的扩散长度。