镓铟砷/铝铟砷QW LD中俄歇复合及其对T_0的影响

修正了现行俄歇复合率的公式，并用之分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ异质材料系统在有无量子尺寸效应情况下的俄歇复合率随载流子浓度和温度变化的行为。发现其阈值电流密度随温度的变化行为可分为特征温度（Ｔ０）不同的相邻两个温区，在较高温区，量子尺寸效应作用不大，在较低温区，量子尺寸效应反而降低了Ｔ０，并对此意外的现象提出初步的解释。

影响量子阱激光器热特性的主要因素

本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素 ,包括 :(1)俄歇复合几率的大小 ;(2 )有源区的载流子泄漏 ;(3)价带间光吸收 ;(4)激光器有源区材料的禁带宽度Eg。并分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。