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Influences of semiconductor laser on fibre-optic distributed disturbance sensor based on Mach-Zehnder interferometer 被引量:1
1
作者 梁生 张春熹 +4 位作者 蔺博 林文台 李勤 钟翔 李立京 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第12期339-346,共8页
This paper investigates the influences of a semiconductor laser with narrow linewidth on a fibre-optic distributed disturbance sensor based on Mach-Zehnder interferometer. It establishes an effective numerical model t... This paper investigates the influences of a semiconductor laser with narrow linewidth on a fibre-optic distributed disturbance sensor based on Mach-Zehnder interferometer. It establishes an effective numerical model to describe the noises and linewidth of a semiconductor laser, taking into account their correlations. Simulation shows that frequency noise has great influences on location errors and their relationship is numerically investigated. Accordingly, there is need to determine the linewidth of the laser less than a threshold and obtain the least location errors. Furthermore, experiments are performed by a sensor prototype using three semiconductor lasers with different linewidths, respectively, with polarization maintaining optical fibres and couplers to eliminate the polarization induced noises and fading. The agreement of simulation with experimental results means that the proposed numerical model can make a comprehensive description of the noise behaviour of a semiconductor laser. The conclusion is useful for choosing a laser source for fibre-optic distributed disturbance sensor to achieve optimized location accuracy. What is more, the proposed numerical model can be widely used for analysing influences of semiconductor lasers on other sensing, communication and optical signal processing systems. 展开更多
关键词 fibre-optic distributed sensor semiconductor laser narrow linewidth laser fibre-optic interferometric sensor
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Numerical Simulation of External-Cavity Distributed Feedback Semiconductor Laser
2
作者 Tianyu Guan Chaoze Zhang +2 位作者 Yuqin Mao Ligang Huang Tao Zhu 《Optics and Photonics Journal》 2023年第6期109-118,共10页
We propose a theoretical model to describe external-cavity distributed feedback semiconductor lasers and investigate the impact of the number of external feedback points on linewidth and side-mode suppression ratio th... We propose a theoretical model to describe external-cavity distributed feedback semiconductor lasers and investigate the impact of the number of external feedback points on linewidth and side-mode suppression ratio through numerical simulation. The simulation results demonstrate that the linewidth of external-cavity semiconductor lasers can be reduced by increasing the external cavity length and feedback ratio, and adding more external feedback points can further narrow the linewidth and enhance the side mode suppression ratio. This research provides insight into the external cavity distributed feedback mechanism and can guide the design of high-performance external cavity semiconductor lasers. . 展开更多
关键词 External-Cavity Distributed Feedback linewidth Compression Mul-ti-Point Feedback Narrow-linewidth Laser semiconductor Laser
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基于MEMS反射镜的窄线宽外腔可调谐半导体激光器
3
作者 齐步祥 马国龙 +4 位作者 卢林林 顾鸿鸣 郭燕婷 李惜雨 张云山 《光电子技术》 CAS 2024年第3期203-208,共6页
基于大转角的电磁式MEMS反射镜和闪耀光栅作为外腔调谐元件,设计了Littman-Metcalf结构的外腔半导体可调谐激光器,MEMS反射镜可准确控制偏转角度,2 h内角度复位调谐波长漂移小于20 pm,该可调谐激光器实现了1435.81~1555.83 nm(120.02 nm... 基于大转角的电磁式MEMS反射镜和闪耀光栅作为外腔调谐元件,设计了Littman-Metcalf结构的外腔半导体可调谐激光器,MEMS反射镜可准确控制偏转角度,2 h内角度复位调谐波长漂移小于20 pm,该可调谐激光器实现了1435.81~1555.83 nm(120.02 nm)的稳定的波长调谐,全波段波长调谐过程中激光器边模抑制比大于30 dB,相同调谐电流下,激光器波长控制误差小于20 pm。注入电流350 mA时,外腔激光器输出功率达25.89 mW,最小阈值电流68 mA。利用延迟自外差法测得可调谐激光器的线宽优于69 kHz。该研究成果有望在激光雷达、相干激光通信、光学传感器及计量检测等诸多领域发挥重要作用。 展开更多
关键词 可调谐激光器 窄线宽 半导体激光器 MEMS反射镜
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纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究 被引量:5
4
作者 吕少哲 孙聆东 +5 位作者 赵家龙 窦恺 黄世华 虞家琪 向卫东 丁子上 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期23-27,共5页
测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系.考虑CdS微晶的LO声子的相互作用,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽... 测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系.考虑CdS微晶的LO声子的相互作用,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽.CdS微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的. 展开更多
关键词 光致发光 半导体微晶 线宽 硫化镉
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GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算 被引量:2
5
作者 张帆 李林 +5 位作者 王勇 邹永刚 李占国 马晓辉 隋庆学 刘国军 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期521-525,共5页
本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光... 本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光器的增益特性,并使用MATLAB软件中的Mupad工具包求解费米积分的数值解.然后根据得到的增益拟合曲线峰值的变化计算了带间跃迁对线宽展宽因子的影响.最后,分别讨论和计算了自由载流子吸收和带隙收缩对线宽展宽因子的影响.结果表明,带间跃迁和带隙收缩对线宽展宽因子的影响较大(α因子值分别为22.562,-6.853),而自由载流子吸收对线宽展宽因子的影响较小(只有-0.605). 展开更多
关键词 半导体激光器 线宽展宽因子 增益 自由载流子吸收 带隙收缩
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线宽增强因子对外光注入半导体激光器非线性单周期振荡特性的影响 被引量:6
6
作者 张明江 刘铁根 +1 位作者 李静霞 王云才 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期542-546,共5页
线宽增强因子是影响半导体激光器输出特性的一个重要参量,不同材料不同结构类型的半导体激光器的线宽增强因子有较大的差异.利用光注入半导体激光器的单模速率方程模型,数值研究了线宽增强因子对外光注入半导体激光器的非线性单周期振... 线宽增强因子是影响半导体激光器输出特性的一个重要参量,不同材料不同结构类型的半导体激光器的线宽增强因子有较大的差异.利用光注入半导体激光器的单模速率方程模型,数值研究了线宽增强因子对外光注入半导体激光器的非线性单周期振荡特性的影响.结果表明:外光注入半导体激光器的动态特性对线宽增强因子的变化极为敏感,随着线宽增强因子的增加,在负失谐注入范围内单周期振荡区域显著增大,同时注入锁定的稳态输出被大大抑制.分析了线宽增强因子对非线性单周期振荡光谱特性和振荡频率的影响,结果表明:随着半导体激光器线宽增强因子的增大,单周期振荡的频率越大;当线宽增强因子不变时,单周期振荡的频率随注入光强度和频率失谐的增加而增加. 展开更多
关键词 半导体激光器 非线性动力学 线宽增强因子 混沌 周期振荡
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半导体激光器的线宽压窄及频率连续调谐 被引量:3
7
作者 王波 姚景芹 +3 位作者 武海斌 沈云 谢常德 王海 《量子光学学报》 CSCD 2004年第2期82-86,共5页
我们利用共焦F-P腔光学弱反馈技术,实现了单模GaAlAs半导体激光器线宽压窄、频率锁定及连续调谐。其线宽从自由运转时的10MHz被压窄到45kHz,并可将频率锁定于共焦F-P腔。实验证明,在弱反馈情况下,激光器的频率连续调谐范围与共焦F-P腔... 我们利用共焦F-P腔光学弱反馈技术,实现了单模GaAlAs半导体激光器线宽压窄、频率锁定及连续调谐。其线宽从自由运转时的10MHz被压窄到45kHz,并可将频率锁定于共焦F-P腔。实验证明,在弱反馈情况下,激光器的频率连续调谐范围与共焦F-P腔的光强反馈量近似成正比,实现了在铷原子D2线附近1.2GHz的频率连续调谐。 展开更多
关键词 窄线宽半导体激光器 共焦F-P腔 反馈量 频率调谐范围
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外腔半导体激光器的实验研究 被引量:4
8
作者 金杰 郭曙光 +1 位作者 吕福云 张光寅 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期56-59,共4页
本文报道了外腔半导体激光器的一些研究成果 .利用闪耀光栅作反馈元件 ,对 80 8nm波长的半导体激光器形成弱耦合外腔 ,实现了光谱特性较好的窄线宽单模激光输出 ,线宽小于 0 .0 6nm,边模抑制比大于 30 d B,最大输出功率为 35 .4 m W,总... 本文报道了外腔半导体激光器的一些研究成果 .利用闪耀光栅作反馈元件 ,对 80 8nm波长的半导体激光器形成弱耦合外腔 ,实现了光谱特性较好的窄线宽单模激光输出 ,线宽小于 0 .0 6nm,边模抑制比大于 30 d B,最大输出功率为 35 .4 m W,总的光—光转换效率为 4 6% .通过调整光栅转角 ,可以得到 1 1 .66nm的波长调谐范围 .设计了光栅 -反射镜联动结构 ,使外腔半导体激光器的输出方向不再随调谐而变化 . 展开更多
关键词 实验研究 弱耦合 窄线宽 可调谐 外腔半导体激光器 谱线宽度 腔长
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半导体激光器谱线展宽因子测量 被引量:1
9
作者 吕鸿昌 罗斌 陈建国 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第2期12-14,共3页
以1.3μmDH-InGaAsP半导体激光器为研究对象,利用自发辐射谱测量谱线展宽因子,测出了α因子随工作电流变化的关系曲线。
关键词 半导体激光器 谱线展宽因子 激光器 测量
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用于光纤传感网的窄线宽多波长光纤光源研究 被引量:3
10
作者 王肇颖 胡苗苗 +4 位作者 葛春风 贾东方 桑梅 杨天新 刘铁根 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期106-110,共5页
窄线宽多波长光纤光源是光纤传感系统中的重要光源,可同时为多路复用技术中的传感器阵列提供所需的多个工作波长.为此对多波长光纤光源的稳态输出进行了数值模拟,理论分析了未泵浦掺铒光纤长度对输出线宽的窄化作用.同时实验构建了一种... 窄线宽多波长光纤光源是光纤传感系统中的重要光源,可同时为多路复用技术中的传感器阵列提供所需的多个工作波长.为此对多波长光纤光源的稳态输出进行了数值模拟,理论分析了未泵浦掺铒光纤长度对输出线宽的窄化作用.同时实验构建了一种带有单程反馈和线宽窄化机制的多波长光纤光源,测量分析了这2种机制以及激光腔输出耦合比对多波长输出结果的影响.实验实现功率谱不平坦度<±3,dB时,多波长个数可达27个,3,dB线宽约0.06,nm,波长在50,GHz范围内整体连续可调. 展开更多
关键词 光纤传感 光纤光源 窄线宽 多波长 半导体光放大器
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窄线宽半导体激光器谱宽测试技术研究 被引量:1
11
作者 黎海涛 杨亚培 邓兴成 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期494-501,共8页
提出一种新颖的窄线宽半导体激光器测试技术—延迟光纤干涉法。利用部分相干光理论推出延迟光纤干涉的计算公式,通过模拟计算,总结出采用这种技术的测试方法,建立了实验系统,对实验结果进行数据分析,证明了这种新的测试技术方案是... 提出一种新颖的窄线宽半导体激光器测试技术—延迟光纤干涉法。利用部分相干光理论推出延迟光纤干涉的计算公式,通过模拟计算,总结出采用这种技术的测试方法,建立了实验系统,对实验结果进行数据分析,证明了这种新的测试技术方案是正确可行的。 展开更多
关键词 窄线宽 半导体激光器 测试技术
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闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究 被引量:5
12
作者 江鹏飞 周燕 谢福增 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期869-870,878,共3页
在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能。实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质... 在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能。实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz(Δλ<3.6×10-6nm)。实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性。 展开更多
关键词 外腔半导体激光器 外腔反馈 强反馈 窄线宽
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高稳频窄线宽半导体激光器 被引量:1
13
作者 陈伟 班德超 穆春元 《中兴通讯技术》 2020年第3期78-82,共5页
在相干光通信和空间光通信领域,激光器的线宽和频率稳定性对于保证通信质量起到至关重要的影响,因此需要采取相应的措施来压窄线宽并保证频率稳定。从芯片工艺入手,介绍了当前几种典型芯片的结构、性能特点以及其所能达到的线宽和稳频... 在相干光通信和空间光通信领域,激光器的线宽和频率稳定性对于保证通信质量起到至关重要的影响,因此需要采取相应的措施来压窄线宽并保证频率稳定。从芯片工艺入手,介绍了当前几种典型芯片的结构、性能特点以及其所能达到的线宽和稳频水平。针对高稳频窄线宽的要求,从主动稳频和被动稳频两种途径介绍稳频技术。为进一步提高稳频效果,介绍了当前较流行的激光器驱动电路的组成,以及温控电路的结构和相应的算法处理。 展开更多
关键词 高稳频 窄线宽 半导体激光器
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线宽增长因子对光纤色散传输系统的影响 被引量:1
14
作者 赵同刚 吴永刚 +2 位作者 任建华 赵荣华 林金桐 《光通信研究》 北大核心 2004年第2期51-54,共4页
文章讨论了半导体激光器频率啁啾产生的物理机制 .利用波动方程 ,得到了线宽增长因子同光源线宽的关系 ;重点分析了激光器方程中的线宽增长因子和光纤通信系统中啁啾参数的一致性 ;并以线宽增长因子为切入点 ,将高斯脉冲作为信号源 ,数... 文章讨论了半导体激光器频率啁啾产生的物理机制 .利用波动方程 ,得到了线宽增长因子同光源线宽的关系 ;重点分析了激光器方程中的线宽增长因子和光纤通信系统中啁啾参数的一致性 ;并以线宽增长因子为切入点 ,将高斯脉冲作为信号源 ,数值解光纤传输的非线性薛定谔方程 ,考察了线宽增长因子和群速度色散共同对光纤通信系统传输性能的影响 . 展开更多
关键词 线宽增长因子 光纤通信 啁啾参数 色散 半导体激光器
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窄线宽可调谐半导体激光器
15
作者 吕福云 刘玉洁 +3 位作者 袁树忠 魏振兴 李加 张光寅 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期79-81,共3页
研究了一种利用光栅弱耦合外腔改善可见光半导体激光器性能的方法,并对650nm半导体激光器进行了实验,外腔镜由一个闪耀光栅构成,通过转动光栅角度,获得了窄线宽单模激光输出,谱线宽度0.1pm,线宽压窄比达9800,边模... 研究了一种利用光栅弱耦合外腔改善可见光半导体激光器性能的方法,并对650nm半导体激光器进行了实验,外腔镜由一个闪耀光栅构成,通过转动光栅角度,获得了窄线宽单模激光输出,谱线宽度0.1pm,线宽压窄比达9800,边模抑制比>20。 展开更多
关键词 弱耦合 可调谐半导体激光器 窄线宽
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Ⅲ-Ⅴ族材料半导体激光器线宽展宽因子研究
16
作者 张帆 曾丽娜 +1 位作者 马晓辉 李林 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2011年第3期6-9,共4页
利用简单模型研究了GaAs、InP和InAs三种材料的半导体激光器其线宽展宽因子(α因子)。根据增益理论模拟计算了不同载流子浓度情况下三种材料的增益曲线,通过微分增益和光子能量对载流子浓度的微分分析了带间跃迁对α因子的影响,并综合... 利用简单模型研究了GaAs、InP和InAs三种材料的半导体激光器其线宽展宽因子(α因子)。根据增益理论模拟计算了不同载流子浓度情况下三种材料的增益曲线,通过微分增益和光子能量对载流子浓度的微分分析了带间跃迁对α因子的影响,并综合各个方面的影响得到了三种材料的α因子。结果表明,由于InAs材料带隙和导带有效质量较小容易实现大的增益,但同时其线宽展宽因子也最大;InP具有最小的线宽展宽因子。对于有源区材料带隙和导带有效质量较大的激光器材料,在计算线宽展宽因子时可以忽略自由由载流子吸收对它的影响。 展开更多
关键词 半导体激光器 线宽展宽因子 增益
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半导体激光器波导结构对线宽影响的理论修正
17
作者 徐伟弘 汪开源 《光通信技术》 CSCD 1995年第3期207-211,共5页
从质子轰击条形半导体激光器线宽的实验测量,发现半导体激光器线宽与谐振腔结构有关。通过对C.H.Henry给出的半导体激光器线宽的理论公式进行分析,认为半导体激光器腔结构不同会引起激光器线宽的不同,并从理论上分析与推导... 从质子轰击条形半导体激光器线宽的实验测量,发现半导体激光器线宽与谐振腔结构有关。通过对C.H.Henry给出的半导体激光器线宽的理论公式进行分析,认为半导体激光器腔结构不同会引起激光器线宽的不同,并从理论上分析与推导了波导结构对激光器线宽的影响,定义了结构线宽△vs1/2概念及其表达式。修正了的线宽理论公式具有更广泛的适用范围。 展开更多
关键词 半导体激光器 线宽 波导结构
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GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
18
作者 金世荣 褚君浩 +6 位作者 汤定元 罗晋生 徐仲英 罗昌平 袁之良 许继宗 郑宝真 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期291-296,共6页
研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加。
关键词 激子线宽 声学声子散射 半导体 量子阱
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基于半导体光放大器的干涉型器件中不协调性的分析 被引量:3
19
作者 李亚捷 吴重庆 +2 位作者 王拥军 李赟 季江辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1851-1856,共6页
分析了SOA线宽增强因子α及交叉增益调制对干涉仪输出功率的影响,指出在SOA中由于交叉增益调制和交叉相位调制并存,干涉仪的两臂输出不能同时达到极大和极小值,存在一定的不协调性;干涉仪最佳工作点不是唯一的,而是存在一个和α一一对... 分析了SOA线宽增强因子α及交叉增益调制对干涉仪输出功率的影响,指出在SOA中由于交叉增益调制和交叉相位调制并存,干涉仪的两臂输出不能同时达到极大和极小值,存在一定的不协调性;干涉仪最佳工作点不是唯一的,而是存在一个和α一一对应的工作区间.文中对干涉仪的不协调程度、工作区间及消光比进行了详细分析,发现随着α的增加,干涉仪的不协调程度降低、工作区间范围缩小且干涉消光比提高;在和α对应的同一工作区间内,消光比随工作点的后移呈增加趋势.实验结果进一步证明了理论分析的正确性. 展开更多
关键词 半导体光放大器 干涉仪 交差相位调制 交叉增益调制 线宽增强因子 不协调性
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半导体激光器在超高速光网络中的应用
20
作者 赵建宜 张玓 刘文 《中兴通讯技术》 2013年第3期8-11,20,共5页
光通信的快速发展对光电子器件提出了更高的要求。基于超高速光传输网络、光以太网及接入网对通信用半导体激光器的性能要求,结合中国光电子器件具体情况,对半导体激光器的性能、研究状态及应用进行了探讨。
关键词 超高速光网络 半导体激光器 线宽 可调谐 直接调制
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