高掺镁铌酸锂晶体OH^-吸收光谱的低温研究

本文测量了纯铌酸锂和高掺镁铌酸锂晶体的低温红外光谱,观察了OH-吸收峰的温度依赖特性。研究发现纯铌酸锂的OH-振动吸收峰基本不随温度而变化,而高掺镁铌酸锂晶体的OH-振动吸收峰的主峰峰位随温度的降低向高波数方向移动。通过分析两种晶体中不同的缺陷模型以及H+在晶格中的占位,我们提出高掺镁铌酸锂晶体中的H+紧邻高电性杂质缺陷(MgNb)3-分布,直接参与缺陷集团,完全不同于纯铌酸锂晶体中H+的分布情形,这造成了高掺镁铌酸锂晶体中OH-振动吸收峰随温度的变化。而集团内部缺陷之间相互作用随温度降低而增强的趋势是OH-振动吸收峰右移的主要原因。

FT─IR技术在半导体材料中的应用

介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特性的有效方法。

纯铌酸锂晶体红外光谱的低温研究

测量了同成分纯铌酸锂的低温红外光谱,发现低温下铌酸锂晶体将会出现位于3200 cm-1左右的新红外吸收峰.研究发现该峰与晶体中的氢离子无关,并且其峰强和峰形都随温度的升高发生复杂的变化.基于上述实验结果,认为该峰应该起源于电子在相邻的小极化子(Nb4Li+)和自由极化子(Nb4N b+)之间的跃迁.另外,通过拟合发现新红外吸收峰可分解成三个高斯峰,这三峰应归因于能量有细微差别的三种跃迁.