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GeSi材料及其在数据转换器中的应用 被引量:1
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作者 李开成 孙微风 +2 位作者 张静 文尧 黄燕 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期243-246,共4页
GeSi材料是继Si和GaAs之后出现的一种性能优良的半导体材料。文章综合评述了GeSi材料生长技术的发展、基本特性以及GeSi器件的研究状况,给出了GeSi材料在数据转换器方面的应用成果。
关键词 异质结 双极晶体管 数据转换器 硅化锗
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