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GeSi材料及其在数据转换器中的应用
被引量:
1
1
作者
李开成
孙微风
+2 位作者
张静
文尧
黄燕
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期243-246,共4页
GeSi材料是继Si和GaAs之后出现的一种性能优良的半导体材料。文章综合评述了GeSi材料生长技术的发展、基本特性以及GeSi器件的研究状况,给出了GeSi材料在数据转换器方面的应用成果。
关键词
异质结
双极晶体管
数据转换器
硅化锗
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职称材料
题名
GeSi材料及其在数据转换器中的应用
被引量:
1
1
作者
李开成
孙微风
张静
文尧
黄燕
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期243-246,共4页
文摘
GeSi材料是继Si和GaAs之后出现的一种性能优良的半导体材料。文章综合评述了GeSi材料生长技术的发展、基本特性以及GeSi器件的研究状况,给出了GeSi材料在数据转换器方面的应用成果。
关键词
异质结
双极晶体管
数据转换器
硅化锗
Keywords
semiconductor
,
gesi
,
heterojunction bipolar transistor
,
data converter
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TP335 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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作者
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发文年
被引量
操作
1
GeSi材料及其在数据转换器中的应用
李开成
孙微风
张静
文尧
黄燕
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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