慢病毒介导siRNA干扰Sez6对小鼠小脑浦肯野细胞发育的影响

目的通过Sez6 siRNA慢病毒感染小鼠小脑组织切片细胞,干扰Sez6基因表达后,观察浦肯野细胞生长发育变化。方法使用Sez6 siRNA慢病毒感染体外培养的刚出生(P0)的小鼠小脑组织切片细胞后;免疫组化标识浦肯野细胞,观察细胞树突发育。结果 Sez6基因表达下调明显,浦肯野细胞树突分支数量减少(P<0.05),发育延迟;浦肯野细胞胞体排列不整齐。结论 Sez6的表达与浦肯野细胞树突发育相关,还可能跟浦肯野细胞迁移排列相关。

SEZ6基因在人肿瘤细胞的表达

目的通过检测SEZ6基因在15种不同组织来源的人肿瘤细胞中的表达情况,以探讨SEZ6基因与肿瘤的发生、发展之间的关系,为进一步研究SEZ6基因的生物学功能提供理论依据。方法体外培养15种不同组织来源的人肿瘤细胞,抽提总RNA,运用RT-PCR检测SEZ6基因的表达情况。结果(1)SEZ6在肿瘤细胞K562、A2780、SHP-77、H1299、SGC 996、A549、H2122、SPCA、MHCC-97H、SW480、MDA-MB-435中表达,其中,在A2780、H1299、A549、MHCC-97H、SW480及MDA-MB-435细胞系中高表达,与阳性对照组无差异。另外,在6种肺癌细胞系中,5种(SHP-77、H1299、A549、H2122、SPCA)有SEZ6基因表达;(2)在高转移性肿瘤细胞MHCC-97H、SW480、MDA-MB-435、H1299和SHP-77中SEZ6高表达,与低转移性肿瘤细胞有显著性差异,P<0.05。结论SEZ6基因在部分肿瘤细胞中表达,并在高转移性肿瘤细胞中高表达,提示SEZ6基因可能参与了肿瘤的发展过程,并与肿瘤的转移有关。

单晶圆湿式制程的先驱——SEZ公司

随着器件特征尺寸的不断缩小以及诸如铜和低介电常数绝缘体等新材料的应用，使得半导体芯片的功能更为强大，也使得产业面临着严峻的制造工艺挑战，对功能更为强大的芯片的需求也催生了芯片制造商对新型工艺解决方案的需求。日前。

SEZ:单晶圆湿式制程是未来半导体技术发展的趋势

随着器件尺寸的不断缩小以及诸如铜和低介电常数绝缘体等新材料的应用,半导体芯片的功能越来越强,但同时也使得产业面临着严峻的制造工艺挑战,对功能更强的芯片的需求也催生了芯片制造商对新型工艺解决方案的需求。单晶圆湿式处理解决方案便是这些新型工艺其中之一。为了让读者更加了解单晶圆湿式制程,记者专门采访了SEZ集团亚太区首席运营官Herwig Petschnig先生和中国区总经理Hai Benron先生,以下是访谈内容。

SEZ型立式混流泵在引水泵站中的应用

论述了混流泵的特点和应用范围,并以扬州瘦西湖调水泵站为例,分析了SEZ立式混流泵的结构和主要特点,介绍了其在引水泵站中的应用。

IL-6、LPS激活巨噬细胞所得上清液对神经母细胞瘤细胞株Neuro2a增殖、凋亡及突起生长和Sez6基因表达的影响

目的探讨IL-6、细菌脂多糖(LPS)激活巨噬细胞所得上清液(CM)对神经母细胞瘤细胞株Neuro2a细胞增殖、凋亡及细胞突起生长与Sez 6基因表达的影响。方法以IL-6和CM分别作用于Neuro2a细胞,采用MTT法、流式细胞术分别检测细胞的增殖、凋亡能力;培养24 h后观察统计细胞突起生长变化,采用实时荧光定量PCR(RT-qPCR)方法检测Sez 6基因的表达。结果与对照组比较,IL-6、CM刺激对Neuro2a细胞增殖、凋亡未见明显影响,但可增加细胞突起总长度、最长突起长度、突起数目,并且可促进Sez 6基因的表达(F=6.00~22.52,P<0.05)。结论IL-6、CM对Neuro2a细胞增殖、凋亡作用不明显,但可能通过上调Sez 6基因的表达促进细胞突起的生长。

SEZ公司新推出单晶圆湿法处理技术3（采访2）

semiconC hina期间，单晶圆湿式处理解决方案的领导厂商SEZ也向半导体行业带来了新的产品，SEZ亚太区技术与行销副总裁陈溪新先生介绍，SEZ公司新推出的平台——Esanti TM是一套灵活的、具备多反应仓的单晶圆处理平台，专为满足未来技术节点前段工艺过程（FEOL）清洗需求而设计的，能够完成45nm及其更低尺寸器件制造过程中FEOL（前段工艺过程）严苛的清洗和光刻胶剥离。

DA VINCITM系统平台推动SEZ的单晶圆商业模式

SEz(瑟思)集团近日在德国慕尼黑的SEMICON EUROPE宣布，于2003年中期引入市场的．应用于后段工艺过程(BEOL)的DaVinciTM平台销售已超过公司整体收入的50%。该系列平台是SEZ有史以来最快被市场接受的，同时也是业界最快被引进产品之一。预计将来的销售速度会更快，预计到2005年底，’DaVinci系统的销售将占SEZ公司全部收入近60％的份额。

Special Economic Zone (SEZ)

1. Name of development areas and industrial sections: Tianjin Economic and Technological Development Area Location: Tonggu Area (state class) Planned area (sq.km): 33 Developed Area: 19 Key industries to be developed: Electronics, machinery and electrical, light industry, refined chemical, foodstuffs, new type building materials, new technology development Add: No. 1, First Avenue, Tianjin Economic and technological Development

SEZ部署了FEOL清洗产品特性全新的ESANTI单晶圆湿式平台

奥地利VILLACH（维拉赫）和瑞士苏黎世讯：业界领先服务于半导体行业的单晶圆湿式处理解决方案创新者SEZ（瑟思）集团（日前宣布了公司面向前段工艺过程（FEOL）中清洗和光阻剥离工艺的Esanti平台。极其灵活的Esanti平台充分利用了SEZ集团久经考验的专业技术单晶圆湿式处理技术，旨在满足45nm及其更低尺寸的芯片制造中前段工艺过程的清洗衍变需求。它构筑于公司的核心旋转处理器技术之上，增加了新的功能，改善了缺陷去除和表面干化，从而有效地满足了范围宽泛的量产制造应用需求。这一新型平台是SEZ集团面向FEOL工艺过程系列产品的最新贡献，是继今年7月发布专利产品Enhanced Sulfuric Acid（ESA）剥离工艺过程之后的又一力作，而Esanti平台无疑优化了该产品的部署展开。

SEZ隆重推出单晶圆FEOL光阻去除的创新解决方案

SEZ集团在Semicon West上宣布开发出新型化学制程，将极大地改善前段制程（FEOL）中的光阻去除制程。SEZ的专有技术Enhanced Sulfuric Acid（ESA）去除制程能够利用一系列以硫酸为主的化学试剂，极大地缩减了目前在光阻去除机或者批式环境中实施的光阻去除制程的步骤：光阻重修、蚀刻植入后和光阻去除以及在等离子光阻去除制程之后的残留物去除等。

SEZ携手AIR LIQUIDE合作开发蚀刻解决方案

SEZ（瑟思）集团与Air Liquide（液化空气公司，Euronext Paris证券交易所上市）于7月1113联合宣布，双方将通力合作，携手解决生产线前段（FEOL）的先进金属栅极蚀刻所面临的化学制剂的挑战。45纳米技术标准下的高k值门极绝缘体和高级金属栅极的电极预计会带来许多的制程挑战，包括去除不需要的含有金属电极材料的背面和倒角边沉积膜层。受到与领先的原子层沉积（ALD）公司Aviza Technology彼此独立但又互补的合作开发项目的推动，SEZ和Air Liquide将寻求合作共同开发一种全面、多元的高级蚀刻材料的解决方案，确保芯片制造商们以最低的拥有成本（CoO）获得最好的性能。

SEZ公司推出300mm,90nm技术的单晶圆清洗系统

高压水射流作为一种新型、高效、清洁的能量,与机械刀具联合作用清洗油管具有优势。根据 不同使用条件和适用对象,对水射流参数进行调整,对钻头切削齿和喷嘴布置进行合理的设计。首创了 一种高压水射流处理水泥堵塞油管新技术,设计制造了清洗堵塞油管专用设备和工具。

Aviza和SEZ就晶圆污染控制技术展开合作

美国Aviza科技公司和澳大利亚SEZ集团日前就在利用ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）技术形成高介电常数（high-k）膜时，对附着在晶圆顶端或背面而造成组件污染的薄膜进行清除的技术达成了合作协议。