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题名神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析
被引量:2
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作者
张富强
陈诺夫
吴金良
钟兴儒
林兰英
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机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
中国科学院力学研究所国家微重力实验室
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出处
《空间科学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期455-461,共7页
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基金
国家载人航天工程
国家自然科学基金项目(60176001)
国家重点基础研究专项经费(G20000365)
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文摘
利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长的GaMnSb晶体进行了X射线能谱分析和X射线衍射分析,发现空间生长的GaMnSb是多晶结构.对未获得GaMnSb单晶的原因进行了分析,发现空间晶体炉温度的波动和提供能量的不足是导致生成GaMnSb多晶结构的主要原因.由于在晶体生长的初始阶段晶体炉提供的能量不足,使GaSb单晶部分未能熔化,从而导致GaMnSb材料的生长在没有籽晶的情况下进行.
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关键词
神舟3号飞船
微重力
gamnsb
稀磁半导体
X射线衍射
多晶结构
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Keywords
shenzhou-3 spacecraft, microgravity, gamnsb, diluted magnetic semiconductors
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分类号
V520
[航空宇航科学与技术—人机与环境工程]
TN304
[电子电信—物理电子学]
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