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NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究 被引量：2
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作者 杨肇敏 徐葭生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期489-496,共8页
本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.
关键词 短沟 MOS管 热载流子效应 NMOS
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