SnO_2基压敏陶瓷的阻抗谱的研究

研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷,在25~300℃范围内的电特性.用尼奎斯特图表示了阻抗数据,结果表明:制备的样品有2个时间常数,分别代表两种激活能,一个在低频,一个在高频.这些激活能与晶界氧的吸附及氧与晶粒边界的作用有关,在晶界吸附的O′和O〞作为受主态,有利于形成肖特基势垒.

低压ZnO变阻器的研究

研究了掺杂物对ＺｎＯ变阻器电学性能（标称电压Ｖ１ｍＡ和非线性系数α）的影响，用双肖特基势垒模型和隧道效应解释了其微量观机制，获得了Ｖ１ｍＡ＜２０Ｖ，α＞２０的低压ＺｎＯ变阻器。

红外及远红外激光探测器

本文介绍了近年来红外及远红外技术中探测器材和探测器体系结构的一些新发展,并介绍了HgCdTe探测器,非本征光电导体,多量子阱红外探测器,高温超导红外探测器和肖特基势垒混频器五种新的探测器及探测机理。

关于Schottky定理中导函数的上界

对于在单位圆盘D ={z;|z <1}中正则且不取值 0与 1的正则函数 ,本文找到了|f′(z) |的准确上界 .同时应用这个结论获得了一个有趣的结果 .

快速热退火对Co/Si_(0.85)Ge_(0.15)肖特基结电学特性的影响

用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但对肖特基势垒高度(SBH)的影响很小。分析认为,随着退火温度的升高,金属/半导体界面缺陷态密度的增加是造成理想因子变大的主要原因。界面态对费米能级的"钉扎"以及固相反应生成锗硅化钴与Co的功函数大致相同,是SBH基本不随温度变化的主要因素。

6H-SiC肖特基二极管的特性研究

采用缓慢氧化-稀释的HF刻蚀-沸水浸泡法(BW法)处理SiC表面,以减少其界面态。首次在100°C以下制备了6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻ρc=5～7×10-3Ω.cm2,理想因子n=1.20～1.25。同时,还制备了P型6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触采用950°C高温合金Al/SiC工艺获得,该样品衬底较大的串联电阻导致其正向压降偏高,理想因子较大。实验表明,BW法不仅能降低合金温度和工艺难度,而且能有效改善器件的电学特性。

用超短光脉冲产生超高频辐射

本文描述了用ＧａＡｓ作衬底，集成肖特基势垒裂缝和类指数天线作为瞬态电磁脉冲的发射器和接收器，用超短光脉冲照射其裂缝，我们得到了高达５５ＧＨｚ的宽带电磁辐射脉冲．

光电效应普朗克常数测定中截止电位Us的解析表示

本文从理论上研究了截止电位附近区域 ,光电管的伏安特性 .根据肖脱基效应 ,推导出截止电位的解析表达式 ,采用“解析法”替代原实验的“抬头点法”确定截止电位 ,改进了光电效应测量普朗克常数实验 ,减少测量误差 .

GaAs MSM—PD的实验研究

本文报道一种双肖特基势垒叉指电极型快速光探测器，其光敏面１５０×１５０μｍ２，指长１４０μｍ，指定１０μｍ，指间隔１０μｍ．实验结果表明：该探测器的光灵敏度为０．７０Ａ／Ｗ，暗电流为ｎＡ量级（ＵＤＣ＝１０Ｖ），其响应时间小于４０ｐＳ．

The Influence of Ultrasonic Treatment on the Properties of Schottky Diodes

The given work studies the reason of the change of a superfluous current near crystallization temperature of an amorphous αPbSb metal alloy and at the same time founds out the influence of ultrasonic processing (USP) on the properties of αPbSb-nSi solar elements (SE), made by Shottki diodes technology (ShD) with a metal alloy. It is found that occurrence of a superfluous current αPbSb-nSi ShD under the influence of thermoannealing is connected with changes of structure of an amorphous film of metal at transition in a polycrystalline condition. VAC damaged αPbSb-nSi Sh Dare very sensitive to annealing time. Eventually, even at room temperature, level of a superfluous current decreases, i.e. “the wound” put by mechanical damage sort of heals, restoration process occurs the faster, the higher the annealing temperature is. Function of γt annealing parameters changes in an interval and the influence USP on photo-electric properties αPbSb-nSi SE depends on the chosen UIT mode.

金属保护层改善NiSi/Si肖特基势垒均匀性的研究

用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量。对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样品的反向电流明显减小,而且Ti保护层结构比Co保护层结构的作用更明显;没有保护层的管子和有保护层的管子具有不同的边缘特性。实验数据能够很好地用非均匀肖特基势垒输运模型拟合。提取出的参数表明,保护层结构在不同程度上有效地提高了肖特基势垒的均匀性,从而减小了肖特基二极管的反向电流;边缘特性的差异性也是由于肖特基势垒均匀性的改变而导致的。金属保护层能提高肖特基势垒的均匀性是因为保护层抑制了工艺过程中的氧污染。

GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片

针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究。通过稳态热仿真发现,将肖特基二极管芯片衬底由GaAs替换为热导率更高的AlN可以降低结温。对芯片衬底替换工艺开展了研究,获得了GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管。分别对基于GaAs衬底二极管和基于GaAs/AlN异构集成二极管的162 GHz倍频器开展功率性能测试对比。测试结果表明:装配GaAs衬底二极管的倍频器输入功率为200 mW时,输出功率最高为43.6 mW;而装配GaAs/AlN异构集成二极管的倍频器输入功率提高到316 mW,输出功率为72.4 mW。肖特基二极管由GaAs衬底替换为AlN衬底后耐受功率(输入功率)提高了约58%,倍频效率由21.8%提升至22.9%,输出功率也相应提升,验证了相比GaAs衬底肖特基二极管,GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管的散热性能及耐受功率具有明显的优越性。

内场致发射电极在电解水中的电化学行为

内场致发射电极是根据内场致发射原理制备的一种电极。把它应用于电化学实验中是最近几年新兴起的一个学术研究领域。本文介绍了内场致发射电极的基本原理及在电解水中的应用，讨论了它在电解水中的电化学行为的规律，得出了内场致发射电子可以参加电化学反应的结论。

PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列的市场前景

本文全面深入地分析了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的市场前景。从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi阵列与InSb和HgCdTe阵列技术作了详细的比较,评述了PtSi阵列技术的发展现状和面临的现实,分析了PtSi阵列技术的应用范围,目前面临的市场状况和可预料的今后时间内PtSi阵列技术的前景。

一种改进太阳能计算器芯片二极管稳压电路设计

对于太阳能计算器,稳压电路的设计是串联三个PN结二极管以达到稳压目的。这种设计会出现以下问题:当外部光线太强时,太阳能电池板的供电电压较高,而稳压电路由于正向饱和压降过高,不能及时将高电压释放掉,会造成计算器不能正常工作。文章研究了改进二极管稳压电路的设计,通过只变更其中的一层mask(P+),将其中一个PN结二极管改为肖特基二极管,使其正向饱和压降处于一个合理的区间,并且研究了通过该变动后不同的Ti金属厚度以及不同温度对该稳压电路的影响。结果显示该种优化完全符合应用需求。