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纳秒脉冲激光诱导的硅离子发射与激光能量密度的关系
1
作者
刘鸿图
吴真
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期289-294,共6页
用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究了在193nm脉冲激光辐照下自Si(100)表面上硅离子的脱附.发射硅离子动能分布的测量表明,随着激光能量的增加,将相继出现一些新的特征峰,其强度随着激光能量密度的增加而增加.在低...
用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究了在193nm脉冲激光辐照下自Si(100)表面上硅离子的脱附.发射硅离子动能分布的测量表明,随着激光能量的增加,将相继出现一些新的特征峰,其强度随着激光能量密度的增加而增加.在低的激光能量密度下出现在2.2,3.0,4.2和6.9eV的峰表征不同背键表面态下的电激发过程,而在较高能量密度下相继出现的特征峰分别表示硅表面上的预熔、蒸发、等离子体形成等物理过程的开始.因此,所有在动能分布曲线相继出现的特征峰可做为检验在不同激光能量的作用下,各种不同物理过程开启的判据.
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关键词
硅
激光诱导
激光能量密度
粒子发射
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职称材料
题名
纳秒脉冲激光诱导的硅离子发射与激光能量密度的关系
1
作者
刘鸿图
吴真
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期289-294,共6页
文摘
用高分辨质量选择的飞行时间谱技术研究了在193nm脉冲激光辐照下自Si(100)表面上硅离子的脱附.发射硅离子动能分布的测量表明,随着激光能量的增加,将相继出现一些新的特征峰,其强度随着激光能量密度的增加而增加.在低的激光能量密度下出现在2.2,3.0,4.2和6.9eV的峰表征不同背键表面态下的电激发过程,而在较高能量密度下相继出现的特征峰分别表示硅表面上的预熔、蒸发、等离子体形成等物理过程的开始.因此,所有在动能分布曲线相继出现的特征峰可做为检验在不同激光能量的作用下,各种不同物理过程开启的判据.
关键词
硅
激光诱导
激光能量密度
粒子发射
Keywords
si
(
100
),
laser-induced
si ̄
+
emission
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳秒脉冲激光诱导的硅离子发射与激光能量密度的关系
刘鸿图
吴真
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1996
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