抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究

采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si（100）单晶片表面粗糙度的影响，结果表明：低温下，硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大，是造成硅片表面粗糙度大的主要原因；而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响，局部腐蚀速率差减小，硅片表面较为平整。另外，硅片在质量分数为20％～30％的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小，是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快，而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。

SiC单晶片切割力建模与自适应控制

Si C单晶因优良的物理和机械性能而大量用于大功率器件和IC行业。但由于材料的高硬度和高脆性,使其加工过程变得很困难。为此,分析了Si C单晶片切割过程,建立切割过程模型,通过F检验法进行系统阶次辨识,采用遗忘因子递推最小二乘算法在线估计模型参数,建立进给量与切割力的差分方程,设计基于最小方差自校正的切割力控制器,并进行实验验证。结果表明:控制器能够很好的跟踪不同信号,具有良好的鲁棒性,提高了Si C单晶片的加工效率和表面质量。

盐浴等温热处理对超高强硬线钢100Si组织和性能的影响

通过测定100Si钢Φ14 mm盘条等温TTT曲线和设计盐浴热处理工艺实验对100Si钢盘条强塑性进行工艺技术研究。结果表明:100Si钢的鼻尖温度为580℃左右,对应等温转变孕育期最短时间为5 s左右,且100Si钢等温相变行为对温度十分敏感;随盐浴等温温度(510~580℃)的升高,盘条抗拉强度以及断面收缩率呈降低趋势;随离线奥氏体化温度升高,100Si钢盘条的珠光体球团尺寸增加;与热轧盘条相比,盐浴热处理条件下盘条的索氏体片层间距分布比较集中,且索氏体片层间距随着盐浴温度的降低而减小;温度低于920℃时,100Si钢中的V将以VC的形式在奥氏体中析出,且VC在铁素中的析出发生在珠光体转变之后;在较低的奥氏体化温度以及较低的盐浴温度下盘条中析出的VC粒子质量分数较少,会减弱析出强化;920℃离线奥氏体化、530℃盐浴等温的热轧盘条具有最好的索氏体相强化效果与析出强化效果之间的平衡,其较好的力学性能为抗拉强度1 650 MPa,断面收缩率32.5%。

磁控溅射法制备多晶BiFeO_3薄膜

通过磁控溅射法在单晶Si(100)基片上生长了不同厚度的BiFeO_3多晶薄膜,对样品的结构、形貌、磁性进行研究。结果表明,通过改变溅射时间,影响薄膜微观结构。样品薄膜具有平整的表面。室温下,样品呈现反铁磁有序。

国家“十一五”将重点发展17类新材料

首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2～3个满足100～45nm线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单晶、晶片和外延片的高技术产业基地，形成年产3000t多晶硅的生产能力，以及进行6～8英寸SOI、SiGe／Si和应变硅材料示范工程建设。

国家“十一五”将重点发展17类新材料

从第八届科博会中国可持续发展战略论坛上获悉，新材料产业“十一五”规划将重点发展17类新材料。首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2～3个满足100～45nm线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单晶、晶片和外延片的高技术产业基地，形成年产3000t多晶硅的生产能力，以及进行6～8英寸SOI、SiGe／Si和应变硅材料示范工程建设。