SmCo(Al,Si)/Cr薄膜磁性能的温度稳定性

用磁控溅射方法结合高温退火的方法在玻璃基片上制备了一种高矫顽力 SmCo(Al,Si)/Cr结构的磁性薄膜，其矫顽力达到 385.48 kA/m(4844 Oe)。研究其在 15℃到 350℃的范围内的磁性能与温度的关系。发现矫顽力随温度单调减小，而剩磁随温度的增加开始是减少的，在 90℃左右达到极小值。然后随温度的增加，在 190℃附近达到极大值。随后温度继续增加，剩磁逐渐减小。

高矫顽力SmCo(Al,Si)/Cr薄膜的研究

通过对磁控溅射条件的优化 ,制备出了较理想的 Sm Co(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出 ,在 Sm含量 (摩尔分数 )为 31 .6% ,Cr缓冲层为 66nm,Sm(Co,Al,Si) 5磁性层为 30 nm的条件下 ,制得的 Sm(Co,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力 Hc 为 1 87.8k A/m,剩磁比 S =Mr/Ms≈ 0 .94。在 50 0℃退火 2 5min后 ,矫顽力 Hc 达到1 0 4 2 .5k A/m,剩磁比 S≈ 0 .92。

SmCo／Cr磁性薄膜的工艺与性能

通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介 质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明，Sm含量在31.6％ atm,Cr缓冲层为66 nm， Sm(CoAlSi)5磁性层为30 nm等条件下，制得的Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力(Hc)为187.8 kA/ m(2.36 kOe)，矩形比( S=Mr/Ms)≈0.94；在500℃保温25 min退火后，矫顽力(Hc)达1042.5 kA/m(13.1 kOe)，矩形比(S)≈O.92。