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Si(001)-(2×2×1):H表面O_2吸附的密度泛函理论研究(英文)
1
作者 邓小燕 杨春 +2 位作者 周明秀 郁卫飞 李金山 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第6期485-487,共3页
建立了一种计算Si(001)-(2×2×1):H表面O2吸附的理论模型．在周期性边界条件下,采用基于密度泛函理论广义梯度近似的超软赝势法对Si(001)-(2×2×1):H表面O2吸附进行了第一性研究．通过占位能的计算,得到了Si(001)-(2&... 建立了一种计算Si(001)-(2×2×1):H表面O2吸附的理论模型．在周期性边界条件下,采用基于密度泛函理论广义梯度近似的超软赝势法对Si(001)-(2×2×1):H表面O2吸附进行了第一性研究．通过占位能的计算,得到了Si(001)-(2×2×1):H表面O2的最佳吸附位置．计算结果表明吸附后的反应产物应为Si=O和H2O,从理论上支持了D．Kovalev等人提出反应机制． 展开更多
关键词 si(001)-(2×2×1):h O2 密度泛函理论 吸附位置
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Si(001)-(2×2×1):H表面弛豫研究
2
作者 邓小燕 王秀清 《河北北方学院学报（自然科学版）》 2008年第5期11-13,21,共4页
目的研究Si(001)-(2×2×1):H表面的几何结构和电子特性.方法在周期边界条件下,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势法,对Si(001)-(2×2×1):H表面结构进行了弛豫计算并对该表面进行电子结构分析.结果结... 目的研究Si(001)-(2×2×1):H表面的几何结构和电子特性.方法在周期边界条件下,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势法,对Si(001)-(2×2×1):H表面结构进行了弛豫计算并对该表面进行电子结构分析.结果结果表明弛豫作用使得部分电子从第一层硅原子转移到了第二层硅原子上,从而导致表层硅呈现正电性.结论这样的电子结构特性将有助于负电性强的氧气分子在硅氢表面的吸附.弛豫后的Si(001)-(2×2×1):H表面的能带结构具有半导体材料的特征. 展开更多
关键词 si(001)-(2×2×1): h 表面弛豫 密度泛函理论(DFT)
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