期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
硅三极管电子辐照的残余电压效应
1
作者
巫晓燕
田野
+3 位作者
石瑞英
龚敏
温景超
王靳君
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期881-884,共4页
研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013~1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能...
研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013~1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的。
展开更多
关键词
硅三极管
电子辐照
残余电压
下载PDF
职称材料
题名
硅三极管电子辐照的残余电压效应
1
作者
巫晓燕
田野
石瑞英
龚敏
温景超
王靳君
机构
四川大学物理科学与技术学院微电子系
微电子技术四川省重点实验室
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期881-884,共4页
文摘
研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013~1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的。
关键词
硅三极管
电子辐照
残余电压
Keywords
si bipolar junction transistor
electron irradiation
offset voltage
分类号
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅三极管电子辐照的残余电压效应
巫晓燕
田野
石瑞英
龚敏
温景超
王靳君
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部