期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究 被引量:1
1
作者 关辉 朱长纯 刘君华 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第4期70-73,共4页
本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。
关键词 硅锥阴极 微电子器件 工艺 设计
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部