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Correlation between Light Emissions from Amorphous-Si:H/SiO2 and nc-Si/SiO2 Multilayers
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作者 马忠元 韩培高 +9 位作者 李卫 陈德嫒 魏德远 钱波 李伟 徐骏 徐岭 黄信凡 陈坤基 冯端 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第7期2064-2067,共4页
我们从 amorphous-Si 调查轻排放的性质: H/SiO2 andnc-Si/SiO2 multilayers (ML ) 。当时,轻排放的尺寸依赖很好被展出 thea-Si : H 潜水艇层厚度比 4 nm 薄,接口状态好由氢使钝化。为 nc-Si/SiO2 ML,修改接口说的氧和 nanocrystall... 我们从 amorphous-Si 调查轻排放的性质: H/SiO2 andnc-Si/SiO2 multilayers (ML ) 。当时,轻排放的尺寸依赖很好被展出 thea-Si : H 潜水艇层厚度比 4 nm 薄,接口状态好由氢使钝化。为 nc-Si/SiO2 ML,修改接口说的氧和 nanocrystalline 硅在轻排放的性质起一个占优势的作用。nc-Si 的尺寸什么时候比 4 nm 小,被发现从 nc-Si/SiO2 的轻排放与与量监禁结合的接口状态的模型一致。氢和氧的角色详细被讨论。 展开更多
关键词 光排放 无定型 si:H/siO2 nc-si/siO2 多层物理
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含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光 被引量:1
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作者 孙甲明 钟国柱 +1 位作者 范希武 李长华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期227-229,共3页
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅SiO2薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光.通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅SiO2薄膜的纳米硅晶粒有关.
关键词 硅量子点 富硅二氧化硅 电致发光 纳米硅 薄膜
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