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Correlation between Light Emissions from Amorphous-Si:H/SiO2 and nc-Si/SiO2 Multilayers
1
作者
马忠元
韩培高
+9 位作者
李卫
陈德嫒
魏德远
钱波
李伟
徐骏
徐岭
黄信凡
陈坤基
冯端
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2007年第7期2064-2067,共4页
我们从 amorphous-Si 调查轻排放的性质: H/SiO2 andnc-Si/SiO2 multilayers (ML ) 。当时,轻排放的尺寸依赖很好被展出 thea-Si : H 潜水艇层厚度比 4 nm 薄,接口状态好由氢使钝化。为 nc-Si/SiO2 ML,修改接口说的氧和 nanocrystall...
我们从 amorphous-Si 调查轻排放的性质: H/SiO2 andnc-Si/SiO2 multilayers (ML ) 。当时,轻排放的尺寸依赖很好被展出 thea-Si : H 潜水艇层厚度比 4 nm 薄,接口状态好由氢使钝化。为 nc-Si/SiO2 ML,修改接口说的氧和 nanocrystalline 硅在轻排放的性质起一个占优势的作用。nc-Si 的尺寸什么时候比 4 nm 小,被发现从 nc-Si/SiO2 的轻排放与与量监禁结合的接口状态的模型一致。氢和氧的角色详细被讨论。
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关键词
光排放
无定型
si
:H/
si
O2
nc-
si
/
si
O2
多层物理
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职称材料
含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光
被引量:
1
2
作者
孙甲明
钟国柱
+1 位作者
范希武
李长华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期227-229,共3页
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅SiO2薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光.通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅SiO2薄膜的纳米硅晶粒有关.
关键词
硅量子点
富硅二氧化硅
电致发光
纳米硅
薄膜
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职称材料
题名
Correlation between Light Emissions from Amorphous-Si:H/SiO2 and nc-Si/SiO2 Multilayers
1
作者
马忠元
韩培高
李卫
陈德嫒
魏德远
钱波
李伟
徐骏
徐岭
黄信凡
陈坤基
冯端
机构
State Key Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2007年第7期2064-2067,共4页
基金
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 60508009, 90301009, 60471021, 50472066, and 10574069, and the State Key Basic Research Programme of China under Grant No 2006CB932202.
文摘
我们从 amorphous-Si 调查轻排放的性质: H/SiO2 andnc-Si/SiO2 multilayers (ML ) 。当时,轻排放的尺寸依赖很好被展出 thea-Si : H 潜水艇层厚度比 4 nm 薄,接口状态好由氢使钝化。为 nc-Si/SiO2 ML,修改接口说的氧和 nanocrystalline 硅在轻排放的性质起一个占优势的作用。nc-Si 的尺寸什么时候比 4 nm 小,被发现从 nc-Si/SiO2 的轻排放与与量监禁结合的接口状态的模型一致。氢和氧的角色详细被讨论。
关键词
光排放
无定型
si
:H/
si
O2
nc-
si
/
si
O2
多层物理
Keywords
si
/
si
O2 SUPERLATTICES
POROUS
silicon
ELECTRONIC-STRUCTURE
OPTICAL-PROPERTIES
quantum
dots
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
electroluminescence
NANOCRYSTALS
CONFINEMENT
分类号
O43 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光
被引量:
1
2
作者
孙甲明
钟国柱
范希武
李长华
机构
中国科学院长春物理研究所
中国科学院激发态物理开放研究实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期227-229,共3页
基金
国家高技术新材料委员会资助
文摘
用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅SiO2薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光.通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅SiO2薄膜的纳米硅晶粒有关.
关键词
硅量子点
富硅二氧化硅
电致发光
纳米硅
薄膜
Keywords
si quantum dots
,
si rich silicon dioxide
,
electroluminescence
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Correlation between Light Emissions from Amorphous-Si:H/SiO2 and nc-Si/SiO2 Multilayers
马忠元
韩培高
李卫
陈德嫒
魏德远
钱波
李伟
徐骏
徐岭
黄信凡
陈坤基
冯端
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2007
0
下载PDF
职称材料
2
含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光
孙甲明
钟国柱
范希武
李长华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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职称材料
已选择
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