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HBr反应离子刻蚀硅深槽
被引量:
1
1
作者
刘家璐
张廷庆
+2 位作者
刘华预
王清平
叶兴耀
《微电子学》
CAS
CSCD
1995年第4期39-44,共6页
对HBr反应离子刘蚀硅和SiO_2进行了实验研究。介绍了HBr等离子体的刻蚀特性,讨论了HBr反应离子刻蚀硅的刻蚀机理,研究了HBr中微量氧、碳对HBrRIE刻蚀过程的影响。实验表明,HBr是一种刻蚀硅深槽理想的含原...
对HBr反应离子刘蚀硅和SiO_2进行了实验研究。介绍了HBr等离子体的刻蚀特性,讨论了HBr反应离子刻蚀硅的刻蚀机理,研究了HBr中微量氧、碳对HBrRIE刻蚀过程的影响。实验表明,HBr是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用HBrRIE,可获得高选择比(对Si/SiO_2)和良好的各向异性。
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关键词
反应离子刻蚀
硅槽刻蚀
集成电路
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职称材料
硅槽刻蚀技术中的源气体选择
被引量:
2
2
作者
王清平
苏韧
《微电子学》
CAS
CSCD
1994年第6期65-68,共4页
源气体及组分的选择是硅槽刻蚀技术的关键因素。本文介绍了刻蚀过程中源气体及组分对硅的作用方式,从刻蚀速率、侧壁钝化、损伤、刻蚀均匀性等方面分析比较了近年来所出现的几种硅糟刻蚀用源气体及组分。
关键词
硅槽刻蚀
源气体
刻蚀
下载PDF
职称材料
题名
HBr反应离子刻蚀硅深槽
被引量:
1
1
作者
刘家璐
张廷庆
刘华预
王清平
叶兴耀
机构
西安电子科技大学
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1995年第4期39-44,共6页
文摘
对HBr反应离子刘蚀硅和SiO_2进行了实验研究。介绍了HBr等离子体的刻蚀特性,讨论了HBr反应离子刻蚀硅的刻蚀机理,研究了HBr中微量氧、碳对HBrRIE刻蚀过程的影响。实验表明,HBr是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用HBrRIE,可获得高选择比(对Si/SiO_2)和良好的各向异性。
关键词
反应离子刻蚀
硅槽刻蚀
集成电路
Keywords
Reactive ion
etching
,
si
-
trench
etching
,
ic process
分类号
TN405.983 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
硅槽刻蚀技术中的源气体选择
被引量:
2
2
作者
王清平
苏韧
机构
四川重庆电子工业部第
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1994年第6期65-68,共4页
文摘
源气体及组分的选择是硅槽刻蚀技术的关键因素。本文介绍了刻蚀过程中源气体及组分对硅的作用方式,从刻蚀速率、侧壁钝化、损伤、刻蚀均匀性等方面分析比较了近年来所出现的几种硅糟刻蚀用源气体及组分。
关键词
硅槽刻蚀
源气体
刻蚀
Keywords
si trench etching
,
source gas
,
ic process
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HBr反应离子刻蚀硅深槽
刘家璐
张廷庆
刘华预
王清平
叶兴耀
《微电子学》
CAS
CSCD
1995
1
下载PDF
职称材料
2
硅槽刻蚀技术中的源气体选择
王清平
苏韧
《微电子学》
CAS
CSCD
1994
2
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职称材料
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