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题名Si表面吸附GaN的第一性原理研究
被引量:3
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作者
李炜
陈俊芳
王腾
张洪宾
郭超峰
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机构
华南师范大学物理与电信工程学院
华南师范大学计算机学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第16期71-73,77,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(10575039)
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文摘
为了更好地了解Si表面对GaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜。采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构。
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关键词
si
gan
吸附
第一性原理
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Keywords
si,gan,adsorption, first-principle
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分类号
O481
[理学—固体物理]
O73
[理学—晶体学]
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