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Si对高Si／C比灰铸铁奥氏体枝晶数量的影响规律 被引量：4
1
作者 董洪标 朱峻 +2 位作者 姜春梅 钟雪友 李富帅 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期226-229,共4页
本文运用定向凝固方法，在不同冷却条件下对不同成分灰铸铁的凝固过程运用微分仪进行热分析．结果表明：在碳当量相同的条件下，随着Ｓｉ／Ｃ比的提高，Ｆｅ－Ｃ－Ｓｉ合金的最小共晶凝固温度升高．并进一步分析了Ｓｉ使高Ｓｉ／Ｃ比灰... 本文运用定向凝固方法，在不同冷却条件下对不同成分灰铸铁的凝固过程运用微分仪进行热分析．结果表明：在碳当量相同的条件下，随着Ｓｉ／Ｃ比的提高，Ｆｅ－Ｃ－Ｓｉ合金的最小共晶凝固温度升高．并进一步分析了Ｓｉ使高Ｓｉ／Ｃ比灰铸铁奥氏体枝晶数量增加的原因，提出了Ｓｉ促使灰铸铁共晶共生区向右偏移的一论断，并利用出现奥氏体枝晶的临界冷却速度，半定量地描绘出了硅使得共晶共生区向右偏移的曲线． 展开更多
关键词 共晶温度 灰口铁 奥氏体 硅/碳比
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