期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Si/InP键合界面的研究 被引量:3
1
作者 陈松岩 何国荣 谢生 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期139-142,共4页
应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理。I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特性可知道,对于InP/Si键合结构而言,退火温度与界面特性应... 应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理。I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特性可知道,对于InP/Si键合结构而言,退火温度与界面特性应该存在最佳值。 展开更多
关键词 键合 X射线光电子能谱 si/inp界面
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部