SiN_x:H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响

利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx:H和a-Si:H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx:H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性。当SiH4和NH3气体流量比值为7:15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×107。适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力。优化SiNx:H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍。

PECVD工序对多晶硅光伏组件层压色差的影响

以平板式PECVD设备的生产工序和多晶硅光伏组件层压色差为研究对象,通过实验研究和观测的方法,对PECVD底层氮化硅薄膜的硅氮比和反应仓密封性对光伏组件层压色差的影响进行了实验验证与分析。研究结果表明,底层氮化硅薄膜的硅氮比高会导致光伏组件外观有发绿或发黑色差;仓体密封性差会漏气,导致组件外观有发红或发灰色差。因此,针对PECVD工序制定合理的底层氮化硅薄膜的硅氮比范围和仓体漏气报警机制,可以有效避免光伏组件层压色差外观不良现象的产生。