期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的影响 被引量:3
1
作者 顾芳 陈云云 +2 位作者 张仙岭 李敏 张加宏 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期993-999,共7页
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减小而逐渐增大,表现出明显的量子尺寸效应,这与实验以及其他理论计算结果一致;三种不同的O空位缺陷的存在均使得Si/Si O2界面能隙中出现了缺陷态,费米能级向高能量方向移动,且带隙有微弱增加.光学性质计算结果表明:随着Si纳米层厚度的减小,Si/Si O2界面吸收系数产生了蓝移;O空位缺陷引入后,界面光学性质的变化主要集中在低能区,即低能区的吸收系数和光电导率显著增加.可见,改变厚度和引入缺陷能够有效地调控Si/Si O2界面体系的电子和光学性质,上述研究结果为Si/Si O2界面材料的设计与应用提供了一定的理论依据. 展开更多
关键词 si/sio2界面 第一性原理 空位缺陷 电子结构 光学性质
下载PDF
掺杂Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究 被引量:6
2
作者 顾芳 孙亚飞 +2 位作者 张加宏 何鹏翔 王丽阳 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第5期853-860,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO_2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO_2界面在低能区(即红外区)的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显著影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO_2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO_2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO_2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考. 展开更多
关键词 si/sio2界面 第一性原理 电子结构 光学性质 掺杂 压强
下载PDF
Replication of large area nanoimprint stamp with small critical dimension loss 被引量:1
3
作者 MENG FanTao GUAN Le +2 位作者 WANG ZhiWen HAN ZhiTao CHU JinKui 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2012年第3期600-605,共6页
In this paper,the replication process of large area nanoimprint stamp with small critical dimension(CD) loss was investigated,using the thin residual layer nanoimprint lithography(NIL) technology.The residual layer th... In this paper,the replication process of large area nanoimprint stamp with small critical dimension(CD) loss was investigated,using the thin residual layer nanoimprint lithography(NIL) technology.The residual layer thickness was optimized by changing the spin-coated resist thickness.The dependences of the residual layer etching rate on gas flow,chamber pressure,and RF power were investigated,and the optimized process conditions were established.By means of the thin residual layer NIL technique and optimized residual layer etching process,large area stamp with small CD loss and multi-orientation patterns was successfully replicated on 2-inch SiO2/Si wafer.The CD loss was controlled within 5 nm.The replicated stamp showed high performance in the patterning with thermal NIL.The replication process reported in this work could also be used to fabricate large area nanostructures with small CD loss. 展开更多
关键词 nanoimprint stamp REPLICATION small critical dimension loss nanoimprint lithography multi-orientation patterns
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部