微量Co^(2+)-Si^(4+)取代对多晶石榴石铁氧体材料旋矩磁性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了多晶石榴石铁氧体,研究了微量Co^(2+)-Si^(4+)联合取代对GdCaSnV-YIG、GdCaZrV-YIG、GdCaInV-YIG和GdAl-YIG材料旋矩磁性能的影响。结果表明,Co^(2+)-Si^(4+)联合取代GdAl-YIG可使其矫顽力显著增高,而Co^(2+)-Si^(4+)取代GdCaSnV-YIG、GdCaZrV-YIG和GdCaInV-YIG,可调节其矫顽力和剩磁比。当Co^(2+)-Si^(4+)取代量为0.015时得到GdCaSnV-YIG的矫顽力为0.17 Oe,取代量为0.025时得到GdCaZrV-YIG的矫顽力为0.23 Oe,取代量大于等于0.035时三者的剩磁比均能达到0.79或以上。

Eu^(3+)、Si^(4+)共掺杂TiO_2光催化剂的协同效应

采用溶胶-凝胶-浸渍法制备了Eu/Ti/Si纳米光催化剂,并通过XRD、FT-IR、EPR等进行了表征.结果表明,掺入Eu3+和Si4+,阻止了TiO2从锐钛矿晶型向金红石晶型的转变,使TiO2的粒径减小,且Eu3+能够促进Si4+进入TiO2的晶格中.以甲基橙为光催化反应模型化合物,考察了光催化剂的活性.测定了甲基橙在不同光催化剂上的吸附常数,探讨了催化剂对甲基橙的吸附机理.Eu3+和Si4+的最佳掺入量分别为wEu=0.03%、wSiO2=39.06%,且Eu3+和Si4+同时掺入TiO2光催化剂产生协同效应.讨论了光催化活性与催化剂性质的关系.

Fe^(3+),Si^(4+)掺杂TiO_2纳米材料相变和热稳定性研究

Guth等人[1]在1977年首次报道了铁(Ⅲ)掺杂二氧化钛催化剂对氮气光催化还原为氨具有独特的光催化效果,开辟了一条太阳能转化为化学能的新途径,引起了人们对铁(Ⅲ)掺杂二氧化钛的研究热潮[2～7].

Si^(4+)掺杂对镁铝水滑石纳米晶体结构与性能的影响

研究了Si4+掺杂对镁铝水滑石[Mg6Al2(OH)16CO3]·4H2O阻燃剂制备的影响,讨论了以NaAlO2为铝源,不同的Si4+掺杂浓度对所得镁铝水滑石试样的相组成以及其晶粒大小和结晶状态的影响.结果表明:在Na2SiO3的掺入浓度小于等于0 012mol/L的范围内,可以成功地进行Si4+掺杂,Si4+进入到镁铝水滑石基本层中的羟基八面体空间,使镁铝水滑石晶体的颜色由白色变为天蓝色,抑制了镁铝水滑石晶体的长大.DSC TG热分析表明,Si4+掺杂提高了镁铝水滑石第二次热分解的终止温度点,将其热分解温度范围拓宽了约17℃,最终热分解物的残余量提高了5 5%,从而提高了镁铝水滑石阻燃剂的热稳定性.

Si^+和S^+注入SI-GaAs白光快速退火特性

研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si^+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET.

Si^(5+)+He相互作用时双活跃电子势能的计算(英文)

利用附加电子转移因子和开关函数的半经典近似和量子分子轨道方法,在0 3～3 0KeV能区和2 0～20 0(a u )核间距的条件下,对Si5+离子与He原子相互作用过程中5个singlet态和5个triplet态的双电子捕获势能进行了理论计算。通过参数优化,在比较了基通道电子转移势能和实验值之后,研究了主通道的电子转移势能。其结果说明了这一动力学过程中的避交叉(avoidedcrossings)性质,给出了双电子容易被捕获的不同核间距离点。

Si^+/B^+双注入单晶硅的快速热退火

用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明：Ｓｉ＋ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应；快速热退火Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入样品，其注入损伤基本消除，残留二次缺陷少，硼原子电激活率高；优化与控制快速热退火条件和Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入参数，制备出了电学特性优良的浅ｐ＋ ｎ 结，其二极管反偏漏电流仅为１．９ ｎＡ·ｃｍ － ２（－ １．４Ｖ）。

In^3+,Si^4+共掺杂ZnBi(0.02)Ga(1.98)O4:Cr^3+的发光与长余辉性能研究

长余辉材料在生物医学、信息存储等领域有着广阔的应用前景。人们已在不同体系的材料中成功制备蓝、绿、黄光长余辉材料,且一些材料的高效长余辉性能已能满足实际应用的要求。然而,红色长余辉材料在发光亮度和余辉时间方面都还不够理想。采用高温固相法,通过In^3+, Si^4+共掺杂的方式,制备了深红色发光的Zn(Bi)Ga2O4:Cr^3+材料,并系统地研究了所制备材料的发光光谱、长余辉及热释光性能。XRD分析发现, In^3+, Si^4+参与固相反应并占据了Zn(Bi)Ga2O4适当的晶格位置, In^3+, Si^4+的掺入也不会改变基质的基本相结构。通过监测λ=695 nm的光发射测量了Zn(Bi)Ga2O4:1%Cr^3+;Zn(Bi)Ga2O4:1%Cr^3+, 9%In^3+和Zn(Bi)Ga2O4:1%Cr^3+, 9%In^3+, 7%Si^4+的激发光谱, In^3+, Si^4+的引入改变了Cr^3+的局域环境,从而使得O^2-的2p轨道到Ga^3+的4s4p轨道的电荷迁移带产生红移,并使得Cr^3+的4A^2-4T^1和4A^2-4T^2跃迁强度明显增强。研究440 nm氙灯光激发下发射光谱发现, In^3+的引入改变了部分八面体中Cr^3+的配位环境,造成不同格位的发射峰位置不同,从而使发光光谱表现出非均匀加宽。In^3+掺杂对Cr^3+的配位环境的改变也同时提高了样品的发射光强度。而In^3+, Si^4+共掺杂则使得样品的发射光谱的非均匀加宽效应进一步加强,同时进一步增强了其发光强度。实验表明, 9%In^3+, 7%Si^4+共掺杂的Zn(Bi)Ga2O4:Cr^3+样品表现出最好的光致发光特性。余辉衰减曲线测试发现, In^3+的引入可以大大提高样品的余辉亮度,并延长余辉时间。而Si^4+的引入则进一步的改善了样品的余辉亮度,延长了余辉时间。热释光测试表明, In^3+的引入能提高样品中陷阱能级的深度,而合适浓度的In^3+, Si^4+共掺杂不仅提高了陷阱的深度,也增加了样品中陷阱的浓度。研究发现, 9%In^3+, 3%Si^4+共掺杂的Zn(Bi)Ga2O4:Cr^3+样品具有最好的长余辉性能。相关研究为进一步优化镓酸盐长余辉性材料提供了有意义的参考。

Si^(4+)共掺杂Yb∶YAG单晶生长和光谱特性研究

利用提拉法生长了Si^(4+)共掺杂Yb∶YAG单晶,该晶体属于立方晶系,O_(h)^(10)-Ia3d空间群。掺杂的Si^(4+)没有改变YAG的晶体结构,但是影响了发光离子的价态。吸收光谱表明Si^(4+)的引入使得Yb^(2+)含量增多,这是由于Si^(4+)引入了过量的电荷,为满足电价平衡,Yb^(3+)转换为Yb^(2+)。Yb^(2+)的出现降低了Yb∶YAG的发光强度。稳态X射线激发发射光谱结果表明Si^(4+)共掺杂Yb∶YAG晶体的发光强度是Yb∶YAG的63%,γ射线激发下的光产额降至原来的40%。此外,由于原料中含有多种Yb的同位素,Yb∶YAG除了可以被X射线、γ射线激发出荧光外,还可以与中子发生核反应产生带电粒子,进而引起次级反应产生荧光。荧光的产生仍然由Yb^(3+)决定,因此,Si^(4+)掺入也降低了中子探测灵敏度。

Si^2+/He^+离子辐照对单晶4H-SiC力学性能的影响

为研究单晶4H-SiC的辐照效应,在320℃采用10 dpa的Si^2+辐照未预注入和预注入He^+的单晶4H-SiC,之后通过拉曼光谱和纳米压痕实验分别对辐照后的微观结构和力学性能进行研究。拉曼光谱显示辐照后出现同核Si-Si键和同核C-C键,与Si-C键相关的E2(TO)和A1(LO)峰发生偏移并展宽,结晶度变差。纳米压痕的结果表明,Si^2+辐照和He^++Si^2+辐照后钉扎效应导致4H-SiC硬度分别上升了25.35%和21.37%。由于4H-SiC发生膨胀导致弹性模量下降,其中氦泡导致He^++Si^2+辐照后弹性模量下降更加明显。

Fe^(3+)、Si^(4+)共掺杂TiO_2光催化性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Fe/Ti/Si复合光催化剂,通过对甲基橙的降解来研究其光催化活性。结果表明,Fe的掺杂提高了光催化剂的光响应范围,可以充分地利用太阳光,Fe最佳掺量为3.5×10-6mol/g;适量掺杂SiO2增强了光催化剂的热稳定性,其最佳掺量为15%;Fe、Si共掺杂TiO2在脱色过程中产生了协同作用,提高了催化剂的光催化活性。

BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响

研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。

MeV P^+/Si^+共注入SI-GaAs制备高品质n^+埋层

采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P^+(3MeV,1×10^(14)～3×10^(14)cm^(-2))与MeV能量的Si^+(3MeV,1×10^(14)cm^(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P^+与Si^+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si^+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n^+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm^2/(V·s),激活率可达95％以上。

新型红色长余辉发光材料Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)的合成及性能表征(英文)

采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)。用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征。结果表明:Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)的晶体结构与Gd_2O_2S相同,为六方晶系。颗粒的形貌为类球形。Gd_2O_2S:Eu^(3+),Si^(4+),Ti^(4+)的激发光谱呈250～400nm宽带状,激发光谱主峰位于365nm;发射光谱为线状光谱,归属于Eu^(3+)的~5D_J(J=0,1)→~7F_J(J=0,1,2,4)跃迁。最强的发射峰为627nm和617nm,均属于~5D_0→~7F_2跃迁,且627nm的发射峰明显远强于617nm,显示出纯正的红色发光;并且Si^(4+)和Ti^(4+)离子的共掺杂可显著延长样品Gd_2O_2S:Eu^(3+)的余辉时间。

H_3Si^+(+1,1)小分子配合物理论浅析

通过对H3 Si+ 及H3 Si+ 配合CO、N2 形成“超分子”化合物的稳定构型进行全优化 ,得出H3 Si+ 是平面型结构 ,H3 Si+ AB是锥形结构 ,其中 ,Si-C、Si-N键接近于单键。计算得出H3 Si+ 及其与CO、N2 所得产物均具有较负的稳定化能 ,证实了H3 Si+ 与CO、N2 形成稳定化合物的可能性。分析Si-C、Si-N键的形成机理及键价轨道问题 ,探讨了其成键规律性。

GaAs低能Si^+及SiF^+离子注入研究

本文对30keV Si^+和分子离子S_1F^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si^+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60％,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF^+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF^+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si^+和SiF^+的退火行为进行了讨论。

Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究

研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si+注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si+ / As+ 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .

As^+、Si^+双注入GaAs瞬态退火的行为

研究了不同能量、剂量As^+、Si^+双注入于SI GaAs中,As^+注入对注Ss^+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As^+、Si^+双注入样品比Si^+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si^+,在适当高温下能得到性能良好的有源层.