XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜

研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究。在自截止腐蚀 工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0μm左右,网格尺寸为25μm×25 μm,或条状线宽为5μm的Si刻蚀膜;测量了Si刻蚀膜的形貌和刻蚀深度;研究了离子束刻蚀参数对图形形貌 的影响。并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息。