退火过程中Si的扩散行为研究

研究了电沉积试样的高温退火过程中,不同退火条件下试样中断面层Si原子的扩散。通过理论计算得出Si原子的扩散系数,分析退火条件对Si原子扩散的影响。结果表明:通过高温退火扩散可以促进试样中浓度的均一化分布;随着退火温度的升高,Si在试样中的扩散系数明显增大;退火温度一定时,延长退火时间可以得到Si浓度均匀分布的硅钢薄板。

小尺寸Si/Ge量子点内应变和组分的拉曼光谱表征

本文详细地研究了原始生长和退火处理后的Si/Ge量子点的拉曼光谱。我们观测到了Si/Ge量子点的一系列本征的拉曼振动模以及Ge-Ge模的LO和TO声子峰间4.2cm-1的频率劈裂。通过这些参数,我们自洽地确定了原始生长的平面直径为20nm和高为2nm的Si/Ge量子点内Ge的平均组分为80%,平均应变为-3.4%。分析清楚地表明了这种小尺寸的Si/Ge量子点内的应变仍遵从双轴应变,并且应变的释放主要由量子点和Si隔离层间Si-Ge原子互扩散决定。