期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件
1
作者
黄春红
牛萍娟
+1 位作者
杨广华
王伟
《微纳电子技术》
CAS
2008年第10期615-618,共4页
基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4~12V)内稳定工作。...
基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4~12V)内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值。
展开更多
关键词
互补金属氧化物半导体工艺
si基光发射器件
边缘发
光
光
电集成电路
光
互连
下载PDF
职称材料
与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展
被引量:
2
2
作者
陈弘达
孙增辉
+4 位作者
毛陆虹
崔增文
高鹏
陈永权
申荣铉
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期327-330,共4页
本文概述了近年来该器件的研究与进展,从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。
关键词
si基光发射器件
LEP
RBS
P-N结
CMOS
si
反偏P-n结
原文传递
题名
基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件
1
作者
黄春红
牛萍娟
杨广华
王伟
机构
天津工业大学信息与通信工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第10期615-618,共4页
基金
国家自然科学重点基金项目(NSFC-60536030)
文摘
基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4~12V)内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值。
关键词
互补金属氧化物半导体工艺
si基光发射器件
边缘发
光
光
电集成电路
光
互连
Keywords
CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) prosses
si
-based LED
edge light emitting
OEIC (optoelectronie integrated cireuit)
optical interconnection
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展
被引量:
2
2
作者
陈弘达
孙增辉
毛陆虹
崔增文
高鹏
陈永权
申荣铉
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
天津大学电子与信息工程学院
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期327-330,共4页
基金
国家"863"计划资助项目(2001AA312080
2002AA312240
+1 种基金
2001AA122032)
国家自然科学重大基金项目(69896260)
文摘
本文概述了近年来该器件的研究与进展,从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。
关键词
si基光发射器件
LEP
RBS
P-N结
CMOS
si
反偏P-n结
Keywords
reverse bias
si
licom(RBS) p-n junction
si
based LED
LED based on RBS p-n junction(RBS-LED)
CMOS
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件
黄春红
牛萍娟
杨广华
王伟
《微纳电子技术》
CAS
2008
0
下载PDF
职称材料
2
与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展
陈弘达
孙增辉
毛陆虹
崔增文
高鹏
陈永权
申荣铉
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部