Si基光电子集成器件研究进展

Si 基光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 Si 基光电子集成器件。本文综述近几年来 Si 基光电子集成器件的发展以及一些最新的研究进展,并对器件研制、发光机理和应用前景等方面做了详细的叙述。

Si基纳米发光材料的研究进展

Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料,在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重要应用.这些材料主要包括纳米多孔硅,由SiO_2膜、SiO_x（x<2.0）膜与氢化非晶Si（a-Si:H）膜镶嵌或覆盖的Si纳米微粒,Si纳米量子点以及Si/SiO_2超晶格等.目前的研究迹象预示,一旦这些材料能够实现高效率和高稳定度的光致发光（PL）或电致发光（EL）,很有可能在21世纪初引发一场新的信息革命.主要介绍了过去10年中各类Si基纳米材料在制备方法、结构特征和发光特性方面的研究进展,并初步预测了这一研究领域在今后10年内的发展趋势.